由于對(duì)未來(lái)技術(shù)發(fā)展路線的看法出現(xiàn)歧異,，英特爾(Intel)與美光(Micron)在NAND Flash方面的技術(shù)合作將在一年后告終,。未來(lái)美光的第四代3D NAND Flash將放棄使用浮閘(Floating Gate)技術(shù)，轉(zhuǎn)向電荷捕捉(Charge Trap),。業(yè)界常將此事解讀為電荷捕捉技術(shù)大獲全勝,，成為未來(lái)NAND Flash所采用的主流技術(shù)，因?yàn)槟壳俺擞⑻貭柛拦庵?，三?Samsung),、東芝(Toshiba)與海力士(SK Hynix)都已改用電荷捕捉來(lái)生產(chǎn)3D NAND Flash。

西瓜偎大邊電荷捕捉大獲全勝

在半導(dǎo)體的世界里,，一項(xiàng)技術(shù)能否成功,，供需兩端的規(guī)模都是非常重要的因素。美光的NAND Flash產(chǎn)品發(fā)展路線決定從浮閘轉(zhuǎn)向電荷捕捉,，正是因?yàn)槌擞⑻貭柛拦庵?，業(yè)內(nèi)已經(jīng)沒(méi)有其他供應(yīng)商采用浮閘技術(shù)。

由于美光決定轉(zhuǎn)向,，未來(lái)還會(huì)堅(jiān)守浮閘技術(shù)的NAND Flash供應(yīng)商將只剩下英特爾,。對(duì)英特爾來(lái)說(shuō),，這是一個(gè)相當(dāng)不利的情況。一來(lái)日后所有的研發(fā)費(fèi)用將必須獨(dú)自承擔(dān),，二來(lái)設(shè)備供應(yīng)鏈業(yè)者愿意力挺到何種程度,，也是個(gè)問(wèn)題。英特爾的設(shè)備采購(gòu)訂單再大,，也無(wú)法跟三星,、東芝、海力士等業(yè)者的設(shè)備需求總量相比,。設(shè)備業(yè)者在商言商,，其NAND Flash相關(guān)設(shè)備的研發(fā)重心必然往電荷捕捉移動(dòng)，未來(lái)還能分配多少資源給浮閘制程所使用的設(shè)備,，是個(gè)大哉問(wèn),。

事實(shí)上，類似的情況在DRAM產(chǎn)業(yè)就曾發(fā)生過(guò),。在21世紀(jì)的前十年,，DRAM產(chǎn)業(yè)就曾發(fā)生過(guò)溝槽式(Trench)與堆疊式(Stack)的架構(gòu)大戰(zhàn)。溝槽式DRAM(圖1)的電容在閘極下方,，堆疊式DRAM(圖2)的電容器則在閘極上方,，是這兩種DRAM最大的差異。

在溝槽式DRAM的制程中,，必須先在基板蝕刻出溝槽,，然后在溝槽中沉積出介電層，以形成電容器,，然后在電容器上方再制造出閘極,，構(gòu)成完整的DRAM Cell。這種制程最大的技術(shù)挑戰(zhàn)有二,，一是隨著線寬越來(lái)越細(xì),，溝槽的寬深比跟著增加，如何蝕刻出這種溝槽,，是相當(dāng)大的技術(shù)挑戰(zhàn),。其次，在進(jìn)行沉積制程時(shí),，由于溝槽的開(kāi)口越來(lái)越細(xì),，要在溝槽里面沉積足夠的介電材料，形成容值夠高的電容器,，也越來(lái)越難,。相較之下，堆疊式DRAM則沒(méi)有上述問(wèn)題，因此隨著制程節(jié)點(diǎn)越往前推進(jìn),，溝槽式DRAM的采用者越來(lái)越少,。

兩大技術(shù)陣營(yíng)從130奈米開(kāi)始一路纏斗到75奈米，最后只剩下奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)還能做出溝槽式DRAM,，其他DRAM業(yè)者則早已改采堆疊式架構(gòu),。而在這個(gè)過(guò)程中，DRAM業(yè)者不斷跳槽到堆疊式架構(gòu),，設(shè)備業(yè)者對(duì)溝槽式制程的支援也越來(lái)越少,。最后，隨著奇夢(mèng)達(dá)破產(chǎn),，溝槽式DRAM也宣告走入歷史,。

如果歷史經(jīng)驗(yàn)有任何參考價(jià)值，溝槽式DRAM與堆疊式DRAM的大戰(zhàn)告訴我們,，英特爾可能做出了很危險(xiǎn)的決策,。臺(tái)語(yǔ)俗諺說(shuō)「西瓜偎大邊」，看準(zhǔn)趨勢(shì)發(fā)展方向,，站在主流方,，可獲得的生態(tài)系統(tǒng)資源也越多，規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)也越明顯,。而站錯(cuò)邊的廠商,，最后往往只能黯然退出市場(chǎng)。

人多的地方不要去

照理說(shuō),，英特爾應(yīng)該也看得出固守浮閘技術(shù)的危險(xiǎn)性,，但英特爾/美光宣布分手已經(jīng)幾個(gè)月過(guò)去,，英特爾看起來(lái)沒(méi)有改變NAND Flash技術(shù)發(fā)展路線的打算,。有些媒體認(rèn)為，英特爾應(yīng)該只是不愿公開(kāi)承認(rèn)浮閘技術(shù)已經(jīng)走到盡頭,，試圖做最后的努力,。

但對(duì)英特爾而言，浮閘技術(shù)或許仍有值得賭一把的理由,。筆者認(rèn)為,，英特爾不是一家會(huì)為了面子死撐的企業(yè)，從Wireless USB,、WiMAX到WiDi,，英特爾技術(shù)發(fā)展押錯(cuò)寶的例子其實(shí)不少，最后都是以壯士斷腕的結(jié)局收?qǐng)?。因此,，另一個(gè)可能是，英特爾對(duì)自己的浮閘技術(shù)掌握度深具信心，認(rèn)為至少還能再支撐一個(gè)世代以上,，然后將自家記憶體產(chǎn)品過(guò)渡到Optane,，也就是3D Xpoint技術(shù)。

事實(shí)上,，筆者認(rèn)為,，對(duì)手握3D Xpoint技術(shù)的英特爾來(lái)說(shuō)，以浮閘技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND Flash,，最大的任務(wù)是爭(zhēng)取時(shí)間,，而不是真的要一直靠此技術(shù)跟其他NAND Flash供應(yīng)商競(jìng)爭(zhēng)。

雖說(shuō)西瓜偎大邊,，但「人多的地方不要去」也是商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的常識(shí),。NAND Flash記憶體跟DRAM一樣，是同質(zhì)性很高的產(chǎn)品,，也因?yàn)槿绱?，供?yīng)商之間的競(jìng)爭(zhēng)武器，直言之只有三項(xiàng)法寶--產(chǎn)品開(kāi)發(fā)速度,、成本控管跟口袋深度,。誰(shuí)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)速度領(lǐng)先同業(yè)，誰(shuí)就能掌握新產(chǎn)品上市初期的高獲利時(shí)機(jī),；成本控管能力較佳,、口袋深度夠深的業(yè)者，則更有籌碼打價(jià)格戰(zhàn),，在市況不佳的時(shí)候熬過(guò)市場(chǎng)寒冬,。

相較于其他記憶體供應(yīng)商，英特爾其實(shí)有很多策略選項(xiàng),，Optane就是一路活棋,，而且是其他記憶體供應(yīng)商所沒(méi)有的獨(dú)家技術(shù)。Optane的讀寫效能理論上接近DRAM,，但卻具有NAND Flash的非揮發(fā)特性,，被認(rèn)為是非常有潛力的次世代記憶體。不過(guò),，目前Optane固態(tài)硬碟(SSD)的效能其實(shí)跟NAND Flash SSD相去不遠(yuǎn),，價(jià)格卻高出一大截，因此市場(chǎng)接受度并不理想,。也因?yàn)槿绱?，英特爾還需要時(shí)間為Optane做更多準(zhǔn)備，包含平臺(tái)架構(gòu)/軟體的調(diào)整跟最佳化,，以及最重要的降低成本,，Optane的市場(chǎng)接受度才有機(jī)會(huì)提升,。

另一方面，Optane除了用在SSD之外,，也可以DIMM模組的型態(tài)出現(xiàn),。目前英特爾已經(jīng)提供基于Optane的DIMM模組工程樣品給特定客戶，預(yù)計(jì)2019年開(kāi)始量產(chǎn),。這是一項(xiàng)非常值得關(guān)注的產(chǎn)品,，即便短期內(nèi)Optane DIMM不可能取代DRAM的地位，但至少有攪局的潛力,。

某記憶體相關(guān)業(yè)者就直言,，主機(jī)板上的DIMM插槽總數(shù)不太有增加的機(jī)會(huì)。換言之,，只要Optane DIMM占掉一個(gè)插槽,，DRAM的DIMM插槽就少一個(gè)。由于DRAM報(bào)價(jià)居高不下,，英特爾在2017年拱手把盤據(jù)數(shù)十年的全球半導(dǎo)體營(yíng)收龍頭寶座讓給了三星,，而Optane DIMM這項(xiàng)產(chǎn)品在此刻現(xiàn)身，其實(shí)頗有牽制三星的意味存在,。

前面提到,，英特爾不是純記憶體業(yè)者，而是運(yùn)算平臺(tái)的主導(dǎo)者,，因此,，相較于其他記憶體業(yè)者只能在英特爾制定的平臺(tái)框架內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)，在技術(shù)上,，英特爾可以用平臺(tái)設(shè)計(jì)來(lái)拉抬Optane,，在商業(yè)模式上也有捆綁銷售的可能性。

供應(yīng)商家數(shù)不足恐成普及障礙

雖然Optane有其特殊性,，而且英特爾還可以將其包裹在平臺(tái)中推廣,，但整體來(lái)說(shuō)，這項(xiàng)技術(shù)未來(lái)的最大隱憂,，恐怕就是它的特殊性,。3D Xpoint是英特爾跟美光聯(lián)手開(kāi)發(fā)的次世代記憶體技術(shù),，目前已經(jīng)商品化的廠商則只有英特爾一家,，美光則不愿意將基于3D Xpoint技術(shù)的記憶體運(yùn)用在SSD產(chǎn)品上，甚至寧可讓其廠房閑置,，也不愿生產(chǎn)3D Xpoint記憶體,。

某種程度上，這也是Optane SSD價(jià)格居高不下的原因之一,，因?yàn)楫a(chǎn)能實(shí)在太低,。沒(méi)有量就不會(huì)有Cost Down，是電子業(yè)的基本規(guī)律。此外,，單一供貨商也會(huì)使原始設(shè)備制造商(OEM)跟品牌廠持觀望態(tài)度,。

或許也是考量到單一供應(yīng)商可能造成的問(wèn)題，加上3D Xpoint的部分關(guān)鍵技術(shù)也來(lái)自美光,，因此在英特爾,、美光宣布停止合作開(kāi)發(fā)下一代NAND Flash記憶體的同時(shí)，美光也明確表示,，雙方在3D Xpoint技術(shù)上的合作將繼續(xù)進(jìn)行,。

美光的盤算應(yīng)該是將3D Xpoint記憶體運(yùn)用在DIMM模組產(chǎn)品上，而非SSD,。但即便英特爾跟美光聯(lián)手提供3D Xpoint記憶體,，其供應(yīng)量相對(duì)于整個(gè)DRAM或NAND Flash產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)還是太小，只能稍微紓解單一供應(yīng)商的疑慮,。

總結(jié)來(lái)說(shuō),，3D Xpoint雖有發(fā)展?jié)摿Γ涫袌?chǎng)普及仍有諸多障礙需要克服,，英特爾跟美光的操盤手,，對(duì)此必須小心翼翼，做好縝密規(guī)畫(huà),。