《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設計 > 設計應用 > 一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調諧DE-1類功率放大器
一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調諧DE-1類功率放大器
2018年電子技術應用第8期
花再軍,,黃鳳辰,,陳 釗,李建霓
河海大學 計算機與信息學院,,江蘇 南京211100
摘要: 提出了一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調諧DE-1類功率放大器,,利用零電流轉換(ZCS)和零電流斜率轉換(ZCSS)條件對電路進行理論分析。推導出了理想條件下該功率放大器的各元件參數(shù)的計算表達式,。計算分析了該放大器的性能,。DE-1類功率放大器理論上具有100%的效率,既具有D類功率放大器的優(yōu)點,,又具有E-1類放大器的優(yōu)點,。設計了實驗電路對理論分析進行驗證。采用3 V電源,,在110 kHz頻率下,,該功率放大器的效率達到了97.8%,,且實驗波形與理論分析一致。
中圖分類號: TN710
文獻標識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.173769
中文引用格式: 花再軍,,黃鳳辰,,陳釗,等. 一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調諧DE-1類功率放大器[J].電子技術應用,,2018,,44(8):147-150.
英文引用格式: Hua Zaijun,Huang Fengchen,,Chen Zhao,,et al. A new series-L/parallel-tuned class DE-1 power amplifier[J]. Application of Electronic Technique,2018,,44(8):147-150.
A new series-L/parallel-tuned class DE-1 power amplifier
Hua Zaijun,,Huang Fengchen,Chen Zhao,,Li Jianni
College of Computer and Information,,Hohai University,Nanjing 211100,,China
Abstract: This paper proposes a new series-L/parallel-tuned class DE-1 power amplifier. The theoretical analysis was conducted according to zero current switching(ZCS) and zero current slope switching(ZCSS) conditions. The closed form design equations under ideal switching conditions were given. The performance of the power amplifier was calculated. Theoretically, class DE-1 power amplifier has efficiency of 100%. It has both of the advantage of class D and class E-1. Circuit implementation was carried out to verify the proposed amplifier. In the experiment, the supply voltage is 3 V, and the optimal working frequency is 110 kHz, and the power amplifier achieves efficiency of 97.8%. Good agreement between theory and experiment results is achieved.
Key words : class DE-1,;series-L/parallel-tuned;power amplifier,;efficiency

0 引言

    D類功率放大器由于器件寄生電容的存在,,當開關導通引起能量損耗,該損耗與工作頻率成正比[1-2],。E類功率放大器利用零電壓轉換(Zero Voltage Switching,,ZVS)和零電壓斜率轉換(Zero Voltage Slope Switching,ZVSS)減小了晶體管輸出寄生電容的損耗,,具有較高的輸出功率和效率[3],。SUETSUGU T等研究了任意占空比下的最優(yōu)和次優(yōu)E類功率放大器[4],。鄧思建等研究了輸出負載變化對E 類功率放大器的性能影響[5],。然而,E類功率放大器的開關上的峰值電壓會達到電源電壓的3倍以上[3-4],,這對于耐壓受限的晶體管來說應用受到了限制,。結合D類與E類功率放大器產生了DE類功率放大器[6]。劉昌等研究了輸出電容對DE類功率放大器的影響[7],。SEKIYA H等進一步將DE類功率放大器拓展到任意占空比[8],。DE類功率放大器已經被應用在無線能量傳輸中[9]。E-1類功率放大器[10]相比于E類功率放大器,,其開關器件上的峰值電壓下降為電源電壓的1/2.8,,且最優(yōu)負載相比E類功率放大器提高數(shù)倍,,具有較高的研究價值[11-12]

    本文將D類功率放大器與E-1類功率放大器結合,,提出一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調諧DE-1類功率放大器,。首先利用ZCS和ZCSS條件[10]對該功率放大器的工作過程進行分析。然后給出元件參數(shù)的計算表達式,,接著對電路特性進行分析,,最后實現(xiàn)了一個串聯(lián)電感并聯(lián)調諧DE-1類放大器,對理論分析進行驗證,。

1 DE-1類功率放大器理論

    串聯(lián)電感并聯(lián)調諧DE-1類功率放大器如圖1所示,。S1和S2分別是NMOS管和PMOS管,工作在開關狀態(tài),,受驅動電壓VDr1和VDr2控制,。電感L1和L2分別與MOS管的漏極連接,形成串聯(lián)關系,。串聯(lián)中心點通過隔直電容與Lp-Cp并聯(lián)諧振網絡,、補償電容C和負載RL連接。

dy4-t1.gif

    為了簡化分析,,作如下假設:

    (1)晶體管是理想開關,,導通時短路,截止時開路,。

    (2)開關工作在占空比為25%的方波下,。

    (3)并聯(lián)LC電路的Q值足夠大使得輸出電壓是正弦波。

    (4)所有元件為理想元件,。隔直電容CDC為理想電容,,無交流壓降。

    理想串聯(lián)電感并聯(lián)調諧DE-1類功率放大器的等效電路如圖2所示,。

dy4-t2.gif

    根據(jù)假設(3),,負載上的電壓和電流是正弦的,表達式如式(1)和式(2)所示,。

dy4-gs1-4.gif

    dy4-gs5-14.gif

    當開關中的電流滿足式(15)和式(16)的ZCS和ZCSS條件時,,串聯(lián)電感并聯(lián)調諧DE-1類功率放大器達到最優(yōu)的操作[10]

     dy4-gs15-19.gif

2 DE-1類功率放大器元件參數(shù)計算

dy4-gs20-23.gif

dy4-gs24-30.gif

3 DE-1類功率放大器的特性

    對電流is2(θ)進行積分得到從直流電壓源吸取的電流:

     dy4-gs31-37.gif

4 電路實驗與結果

    給定參數(shù)Vdd=3 V,,Po=0.2 W,,Q=5.8,f=100 kHz,,根據(jù)相關表達式設計串聯(lián)電感并聯(lián)調諧DE-1類功率放大器,。根據(jù)表達式計算電路元件參數(shù),利用計算元件參數(shù)搭建該放大器電路進行實驗。實驗中MOS管選用IRF7309,,它包含1個NMOS管和1個PMOS管,,參數(shù)如表1所列[13]

dy4-b1.gif

    實驗DE-1類功率放大器的元件參數(shù)的理論計算結果和實驗用值列在表2中,。

dy4-b2.gif

    圖3給出了工作頻率分別是100 kHz,、110 kHz和120 kHz下的MOS管驅動信號和MOS漏極電壓波形。各頻率下波形從上往下4個信號依次是PMOS管柵極驅動電壓vDr2,、PMOS管漏極電壓vD2,、NMOS管漏極電壓vD1和NMOS管柵極驅動電壓vDr1

dy4-t3.gif

    由于元件參數(shù)和理論計算存在誤差,,實驗電路最優(yōu)工作頻率不是設計的100 kHz,,而是110kHz。工作在非最優(yōu)頻率下,,開關斷開時,,由于電感中電流不為零,電流斜率也不為零,,導致開關斷開瞬間,,電感電壓不為零,從而造成開關兩端電壓不連續(xù),。頻率低于最優(yōu)頻率時,,開關斷開相比最優(yōu)頻率下滯后,電感電壓歸零后繼續(xù)充電,,電流斜率為正,,此時開關斷開,電感L2電壓上沖,,而電感L1電壓下沖,,從而導致PMOS管漏極電壓低于電源電壓,NMOS管漏極電壓高于0 V,,如圖3(a)所示,;工作頻率高于最優(yōu)頻率,開關斷開相比最優(yōu)頻率下提前,,電感電流還未下降到零,,電流斜率為負,此時斷開開關,,電感L2電壓出現(xiàn)下沖,,而電感L1電壓出現(xiàn)上沖,,從而導致PMOS管漏極電壓高于電源電壓,,NMOS管漏極電壓低于0 V,如圖3(c)所示;最優(yōu)工作頻率下開關,,開關斷開時,,電感中電流為0,其斜率為零,,PMOS管漏極電壓等于電源電壓,,NMOS管漏極電壓等于0 V,開關兩端電壓連續(xù),,如圖3(b)所示,。

    不同工作頻率下測試直流電流、輸出電壓計算功率放大器的效率,,結果在表3中列出,。最優(yōu)工作頻率110 kHz下功率放大器的效率最高,達到了97.8%,,頻率偏離10 kHz時,,效率分別為83.3%和93.5%。

dy4-b3.gif

    圖4顯示了最優(yōu)工作頻率110 kHz時的波形,,從上往下依次是PMOS管柵極驅動電壓vDr2,、PMOS管漏極電壓vD2、輸出電壓vo和NMOS管驅動電壓vDr1波形,。測量得出輸出相位為25°,,與理論值接近;負載上電壓幅度為1.72 V,,與理論計算接近,,此時功率放大器的效率為97.8%。

dy4-t4.gif

5 結論

    本文提出了一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調諧DE-1類功率放大器,,利用ZCS和ZCSS條件對功率放大器波形進行了理論分析,,給出了電路元件的計算方法。最后設計實驗電路驗證該功率放大器,。理論上DE-1類功率放大器具有100%的效率,。實驗中,3 V電源電壓110 kHz工作頻率下該放大器的轉換效率達到了97.8 %,,且波形與理論分析一致,。

參考文獻

[1] KAZIMIERCZUK M K.RF power amplifiers[M].John Wiley & Sons,2008.

[2] El-HAMAMSY S A.Design of high-efficiency RF class-D power amplifier[J].IEEE Transactions on Power Electronics,,2002,,9(3):297-308.

[3] SOKAL N O,SOKAL A D.Class E-a new class of high-efficiency tuned single-ended switching power amplifiers[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,,1975,,10(3):168-176.

[4] SUETSUGU T,,KAZIMIERCZUK M K.Off-nominal operation of class-E amplifier at any duty ratio[J].IEEE Transactions on Crcuits and Systems-I:Regular Papers,2007,,54(6):1389-1397.

[5] 鄧思建,,譚堅文,廖瑞金,,等.E類功率放大器負載變化對工作特性的影響分析[J].電工技術學報,,2015,30(4):98-105.

[6] KOIZUMI H,,SUETRUGU T,,F(xiàn)UJII M,et al.Class DE high-efficiency tuned power amplifier[J].IEEE Transactions on Circuits and Systems-I:Fundamental Theory and Applications,,1996,,43(1):51-60.

[7] 劉昌,李康,,孔凡敏.并聯(lián)電容對DE類功率放大器的影響[J].半導體技術,,2012,37(4):58-63.

[8] SEKIYA H,,WEI X,,NAGASHIMA T,et al.Steady-state analysis and design of class-DE inverter at any duty ratio[J].IEEE Transactions on Power Electronics,,2015,,30(7):3685-3694.

[9] 劉野然,曾怡達.基于DE類功放的無線電能傳輸系統(tǒng)設計與分析[J].電子設計工程,,2015,,13(2):98-101.

[10] THIAN M,F(xiàn)USCO V.Idealized operation of zero-voltage-switching series/parallel-tuned class-E power amplifier[J].IET Circuits Devices systems,,2008,,2(3):337-346.

[11] Chen Peng,He Songbai.Analysis of inverse class-e power amplifier at subnominal condition with 50% duty ratio[J].IEEE Transactions on Circuits and Systems-II:Express Briefs,,2015,,62(4):342-346.

[12] Chen Peng,He Songbai.Investigation of inverse class-E power amplifier at sub-nominal condition for any duty ratio[J].IEEE Transactions on Circuits and Systems-I:Regular Papers,,2015,,62(4):1015-1024.

[13] International Rectifier.IRF7309 datasheet[Z].2004:1-11.



作者信息:

花再軍,黃鳳辰,,陳  釗,,李建霓

(河海大學 計算機與信息學院,江蘇 南京211100)

此內容為AET網站原創(chuàng),,未經授權禁止轉載,。