一種消除失調電壓的低溫度系數帶隙基準電路 | |
所屬分類:技術論文 | |
上傳者:aet | |
文檔大小:491 K | |
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文檔介紹:提出了一種利用多晶硅電阻的溫度系數補償負溫度系數電壓實現(xiàn)低溫度系數的帶隙基準電路,,并且引入由二分頻時鐘控制的CMOS開關,,使產生的失調電壓正負交替做周期性變化相互抵消。采用BiCMOS 0.35 ?滋m工藝設計,。仿真結果表明,,此方法能夠使MOS管在失配10%的情況下降低97%的失配,溫度系數可達5.2 ppm/℃,。工作電壓為1.5 V~3.3 V,、工作溫度為-40 ℃~+70 ℃且工作在1.8 V常溫下時,電路的工作電壓為1.144 3 V,,總電流為29.13 ?滋A,,低頻處的電源抑制比為-70 dB。 | |
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