一種消除失調電壓的低溫度系數(shù)帶隙基準電路
所屬分類：技術論文
上傳者：aet
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文檔介紹：提出了一種利用多晶硅電阻的溫度系數(shù)補償負溫度系數(shù)電壓實現(xiàn)低溫度系數(shù)的帶隙基準電路，并且引入由二分頻時鐘控制的CMOS開關,，使產(chǎn)生的失調電壓正負交替做周期性變化相互抵消,。采用BiCMOS 0.35 ?滋m工藝設計。仿真結果表明,，此方法能夠使MOS管在失配10%的情況下降低97%的失配,，溫度系數(shù)可達5.2 ppm/℃。工作電壓為1.5 V～3.3 V,、工作溫度為-40 ℃～+70 ℃且工作在1.8 V常溫下時,，電路的工作電壓為1.144 3 V，總電流為29.13 ?滋A,，低頻處的電源抑制比為-70 dB,。
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