10月11日晚間,，紫光國芯微電子股份有限公司發(fā)布公告，將轉(zhuǎn)讓公司旗下專注于DRAM存儲器芯片設計研發(fā)的西安紫光國芯半導體有限公司（以下簡稱“西安紫光國芯”）給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司（以下簡稱“紫光存儲”）,。

按照公告的說法,，過去幾年里，西安紫光國芯為保持和跟進 DRAM 存儲器芯片設計領(lǐng)域的先進技術(shù),，持續(xù)加大產(chǎn)品開發(fā)投入,，但受下游制造代工產(chǎn)能等方面的限制，短期內(nèi)無法達到規(guī)模經(jīng)濟,，經(jīng)營壓力加大,，資產(chǎn)負債率不斷提高，已影響到其正常持續(xù)經(jīng)營,，給上市公司帶來了一定的資金和業(yè)績壓力,，其自身后續(xù)的研發(fā)投入也面臨很大困難。

鑒于上述原因,，結(jié)合公司間接控股股東紫光集團有限公司（以下簡稱“紫光集團”）在存儲器領(lǐng)域的總體戰(zhàn)略布局，為充分發(fā)揮西安紫光國芯在存儲器芯片設計領(lǐng)域的技術(shù),、產(chǎn)品,、市場方面的優(yōu)勢和價值，增強存儲器方向的協(xié)同作用,，同時保障其持續(xù)發(fā)展對資金的需求,，公司擬將西安紫光國芯 100％股權(quán)以 22，009 萬元人民幣轉(zhuǎn)讓給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司（以下簡稱“紫光存儲”）,。上述股權(quán)轉(zhuǎn)讓完成后,，公司將不再持有西安紫光國芯股權(quán)。

紫光國芯微電子股份有限公司（以下簡稱“本公司”或“公司”）系 2001 年 8 月 17 日經(jīng)河北省人民政府以冀股辦（2001）88 號文批準,，由唐山晶源裕豐電子有限公司整體變更而成的股份有限公司,。

公司屬于電子元器件制造業(yè)，主營業(yè)務為集成電路設計,、開發(fā),、銷售與技術(shù)服務；高亮度發(fā)光二級管（LED）襯底材料開發(fā),、生產(chǎn),、銷售；生產(chǎn)和銷售壓電石英晶體器件,；經(jīng)營本公司自產(chǎn)產(chǎn)品和技術(shù)的出口業(yè)務,；經(jīng)營本公司生產(chǎn)、科研所需的原輔材料,、儀器儀表,、機器設備、零配件及技術(shù)的進口業(yè)務（國家限定公司經(jīng)營和禁止進出口的商品除外）,；經(jīng)營進料加工和“三來一補”業(yè)務,。

公司旗下共有紫光同芯微電子有限公司,、深圳市國微電子有限公司、西安紫光國芯半導體有限公司,、深圳市紫光同創(chuàng)電子有限公司,、 唐山國芯晶源電子有限公司和無錫紫光微電子有限公司等公司。這次出讓的西安紫光國芯半導體有限公司則是公司旗下從事DRAM研發(fā)的企業(yè),。公司主營業(yè)務包括存儲器設計開發(fā)及自有品牌存儲器產(chǎn)品的銷售,，并提供相關(guān)集成電路的設計、測試服務,，目前的主要產(chǎn)品為 DRAM存儲器芯片和模組,。

公司今年一月在互動平臺上回答投資者問題，針對投資者關(guān)于公司DDR4存儲器芯片相比DDR3優(yōu)勢的詢問回復說：“DDR4與DDR3相比,，單條容量有很大提高,，可以實現(xiàn)較高的容量。另外,，頻率和帶寬都有明顯提高,。工藝的提高也會降低工作電壓，有利于更低的功耗,。

同時,，關(guān)于公司在國內(nèi)業(yè)界、排名情況,，紫光國芯介紹,，公司的DRAM芯片設計技術(shù)處于世界先進水平，國內(nèi)稀缺,，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小,，市場份額不大?！?/p>

至于公司的營收水平,，根據(jù)公告顯示，在2017年,，紫光國芯收入3．428億人民幣,，虧損1200多萬。而在今年前七個月,，公司營取得了3．273億元的收入,，虧損了接近六百萬。

紫光國微的獨立董事表示：“公司將全資子公司西安紫光國芯半導體有限公司（以下簡稱“西安紫光國芯”）100％股權(quán)轉(zhuǎn)讓給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司的關(guān)聯(lián)交易事項,，屬于公司對現(xiàn)有業(yè)務的調(diào)整,，有利于減輕上市公司資金投入壓力，改善財務狀況,，提升盈利能力,，符合公司發(fā)展戰(zhàn)略,；同時，可以保障西安紫光國芯的資金需求,，促進其研發(fā)項目的順利推進及業(yè)務的健康發(fā)展,。”

北京紫光存儲是紫光旗下專門從事存儲業(yè)務的企業(yè),，這次接受了紫光國芯的DRAM業(yè)務,，能夠集中精力的開拓國內(nèi)的存儲業(yè)務。而紫光國微剝離DRAM,，也能夠更加專注于安全芯片領(lǐng)域,。這樣對雙方都比較有利，能夠避免未來可能存在的競爭,，戰(zhàn)略上能統(tǒng)一到一起,。

紫光集團今年內(nèi)在持續(xù)加碼存儲業(yè)務。作為本次資產(chǎn)接盤方,，紫光存儲去年成立,，今年8月份攜旗下8個系列的存儲產(chǎn)品首次亮相位于美國的2018年閃存峰會。當時,，紫光存儲CEO任奇?zhèn)ケ硎荆瞎獯鎯?jīng)過短短一年的發(fā)展,，在客戶需求,、產(chǎn)品規(guī)劃、研發(fā),、驗證,、生產(chǎn)等各個方面逐步完善，并成功推出閃存產(chǎn)品,。

另外,，長江存儲8月公開發(fā)布了全新3D NAND架構(gòu)XtackingTM。據(jù)介紹,，該技術(shù)將為3D NAND閃存提高I／O高性能,、存儲密度，縮短產(chǎn)品上市周期,。目前長江存儲已將該技術(shù)應用于到第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā),，預計2019年進入量產(chǎn)階段。

但我們也應該看到,，無論是對紫光存儲還是紫光國芯來說,，在DRAM上面的推薦依然嚴峻。

和NAND Flash一樣,，國內(nèi)的DRAM之前也近乎一片空白,，目前雖然有合肥長鑫,、晉華集成和紫光在這方年投入。但可以看到,，三星,、美光和海力士已經(jīng)占據(jù)了全球96％的DRAM芯片市場份額。在技術(shù)方面,，也同樣走在前面,。

資料顯示，以上三家廠商的DRAM已經(jīng)進入了1X時代,。但這些工藝已經(jīng)推進非常困難,。按照DIGITIMES顧問林育中的說法，目前的制程是1y,，有EUV的助力,，也許可以推進到1z，但是1a呢,？很多人持疑,。即使可以，也是投資甚巨,、所得什微的最后努力,。而根據(jù)Pacific Crest Securities的資料顯示，要實現(xiàn)先進技術(shù)的DRAM工藝每月10000wafer的產(chǎn)量,，需要投入6億美元的成本,。而同等工藝的NAND只需要4．5億美元。

再考慮到三星,、SK海力士和美光有可能依靠DRAM市場的影響力,，對國內(nèi)廠商圍追堵截。再加上技術(shù)授權(quán)方面的問題,，國內(nèi)的DRAM發(fā)展前景嚴峻,。