今日,，據(jù)外媒報(bào)道,，三星工廠在日前表示,，三星已經(jīng)開(kāi)始使用其7LPP制造技術(shù)生產(chǎn)芯片。這個(gè)新的制作工藝能夠顯著的提到芯片晶體管的密度,，同時(shí)優(yōu)化芯片功耗,。該技術(shù)使用了極紫外光刻（EUVL）制作選擇層，使用其能夠減少每個(gè)芯片所需要的掩模數(shù)量從而縮短芯片的生產(chǎn)周期,。

三星表示,，在同樣的復(fù)雜性下，使用7LPP制造技術(shù)能夠減少40％的面積,，而在相同頻率和復(fù)雜度下,，可以降低50％的功耗，性能方面則可提升20％,。因此,，三星工廠在選擇層使用極紫光外刻技術(shù)后，其就能夠在下一代的SoC中放置40％以上的晶體光,，還能夠降低其功耗,。

其透露，使用EUV可以將芯片所需要的掩模數(shù)量減少20％,，并且,，三星表示他們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了專(zhuān)有的EUV掩模檢測(cè)工具，可以在制造周期的早期進(jìn)行早期缺陷檢測(cè)并消除缺陷,。如此一來(lái),，能夠提升芯片的良品率。

目前,，三星在韓國(guó)華城的Fab廠S3中專(zhuān)注生產(chǎn)7LPP使用極紫外光刻技術(shù)的芯片,。該工廠每天可以在其ASML Twinscan NXE，通過(guò)3400B EUVL進(jìn)行掃描，在每個(gè)280W光源上處理1500個(gè)晶圓,。

三星營(yíng)銷(xiāo)團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁Charlie Bae說(shuō),。“晶圓生產(chǎn)方式的這種根本性轉(zhuǎn)變使我們的客戶(hù)有機(jī)會(huì)以卓越的產(chǎn)量,，減少的層數(shù)和更高的產(chǎn)量顯著提高產(chǎn)品的上市時(shí)間,。我們相信7LPP不僅是移動(dòng)和HPC的最佳選擇，也適用于廣泛的尖端應(yīng)用,?！?/p>

基于此，有媒體預(yù)計(jì),，2019年三星智能耍手機(jī)或許將推出一款7nmSoC,。不過(guò)，目前已知高通將會(huì)采用三星的這種7LPP技術(shù)作為其“Snapdragon 5G移動(dòng)芯片組”,。

據(jù)悉,，三星的7LPP制造技術(shù)由于公司為移動(dòng)SoC設(shè)計(jì)的10LPP，具有一定的優(yōu)勢(shì),。并且,，三星為了使用該流程對(duì)潛在客戶(hù)根據(jù)吸引力，該工廠還提供了一套全面的設(shè)計(jì)支持工具,，接口IP,，參考流程以及更先進(jìn)的封裝解決方案。

當(dāng)前,，7LPP已經(jīng)俘虜了眾多三星高級(jí)代工生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴的支持,，比如Arm、Mentor,、Synopsys、Ansys,、Cadence,、SEMCO等。

如今,，在傳統(tǒng)芯片巨頭企業(yè)之外,，芯片的入局者也越來(lái)越多，競(jìng)爭(zhēng)更加激烈,。在芯片制作工藝層面,，無(wú)論是所需要的設(shè)備、亦或者技術(shù)都是極其稀少的,。因此,，在制作工藝層面的創(chuàng)新，實(shí)質(zhì)上也相當(dāng)于在芯片的競(jìng)爭(zhēng)中掌握了一定的主動(dòng)權(quán)。

不過(guò),，三星的這種7LPP技術(shù)也存在一定的局限性,。由于EUVL僅用于選擇7LPP芯片層，因?yàn)橄鄬?duì)有限數(shù)量的Twinscan NXE：3400B掃描儀幾乎不成問(wèn)題,，撒旦是,，如果該工藝技術(shù)需要EUV用于更多層的時(shí)候，就很有可能需要擴(kuò)展器EUV容量,。