因為英特爾14納米x86 CPU 產(chǎn)能短缺,，比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機銷售不佳,，加上3D NAND轉(zhuǎn)到96層及DRAM轉(zhuǎn)到19納米以下制程工藝的產(chǎn)能增加,，等等因素疊加造成明年內(nèi)存DRAM和閃存NAND預(yù)計將會有3－5％的供過于求，價格下行趨勢確立,，而將造成2019年整體存儲器芯片產(chǎn)業(yè)同比衰退5－9％及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同比衰退1－4％,。但此次下行趨勢預(yù)計不超過18個月。

美光預(yù)估第四季度前景低于市場預(yù)期

美光預(yù)期第四季度銷售環(huán)比衰退2－6％,，同比成長降速為16－22％（低于第三季度的38％同比成長）,，并且低于市場預(yù)期近4％,。雖然美光預(yù)期57－60％毛利,，49％營業(yè)利益，44％的凈利率都與市場預(yù)期相同,，但遠低于前兩季度的61％毛利,，51－52％營業(yè)利益,，49－51％的凈利率。美光認為第四季度銷售低于預(yù)期是因為英特爾14納米x86 CPU 短缺可能持續(xù)到明年第一季度（我們認為英特爾應(yīng)該是短暫將產(chǎn)能轉(zhuǎn)去幫蘋果三款新手機做XMM7560基頻芯片）而造成某些特定客戶開始清除因之前擔(dān)心漲價而多建的庫存,，可能將持續(xù)數(shù)季度,， 加上美國提高關(guān)稅的不利影響。而在產(chǎn)業(yè)下行趨勢拐點出現(xiàn)后,，美光竟然提高2019年資本支出同比成長16％到105億美金,，預(yù)計透過96層3D NAND閃存的技術(shù)演進將閃存產(chǎn)能位元成長率（bit growth）拉高到超過40％（高于產(chǎn)業(yè)平均的35－40％同比成長）。

供給過剩,，價格下行趨勢確立

因為英特爾14納米x86 CPU 產(chǎn)能短缺,，比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機銷售不佳,，但加上3D NAND閃存轉(zhuǎn)到96層及DRAM內(nèi)存轉(zhuǎn)到19納米以下制程工藝的產(chǎn)能增加,，預(yù)估明年內(nèi)存DRAM （23－25％供給vs． 20％需求）和閃存NAND（43－45％ 供給vs． 40％需求）將會有3－5％的供過于求，價格下行趨勢確立,，預(yù)期在未來12個月內(nèi),，DRAM內(nèi)存每位元現(xiàn)貨價格（bit price）同比將衰退超過20％，NAND閃存現(xiàn)貨價格同比將衰退超過40％,，而將造成2019年整體存儲器芯片產(chǎn)業(yè)同比衰退5－9％及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同比衰退1－4％（但邏輯芯片將持續(xù)成長）,。我們的預(yù)估是比存儲器產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)DRAMeXchange對明年存儲器芯片產(chǎn)業(yè)5％的同比成長預(yù)估（DRAM 7％ 同比成長，NAND同比零成長）來的悲觀許多,，但DRAMeXchange最新出爐的報告也因近期供過于求,，而下修今年第四季度的DRAM合約價格預(yù)期，從1－3％價格環(huán)比下跌下修到5％的價格下跌,。

這次下行趨勢有多糟,？

雖然存儲器價格下行趨勢確立，但我們預(yù)估此次下行趨勢應(yīng)不超過18個月,，英特爾14納米x86 CPU 短缺狀況應(yīng)會于明年中之前改善,，10納米x86 CPU應(yīng)于明年下半年量產(chǎn)，AMD 7納米x86 CPU,， 7納米挖礦機及智能手機,，5G手機等都將于明年出籠取代中低階機種及對存儲器半導(dǎo)體產(chǎn)生正面影響。因此我們預(yù)估大多數(shù)的內(nèi)閃存存儲器半導(dǎo)體公司會面對營業(yè)利潤率從近50％的高檔下滑,，但卻不至于步入虧損,。

對中國產(chǎn)業(yè)的影響？

雖然主流DRAM和3D NAND的下跌對NOR,，SLC （Single－Level Cell,， 單層單元閃存） NAND都會造成不良的影響，但只要這次下行趨勢不超過18個月,，主流存儲器芯片大廠不步入虧損,，預(yù)期主流存儲器廠商不會將大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)入利基型NOR和SLC NAND閃存市場而造成其價格崩跌,。預(yù)計NOR和SLC NAND閃存領(lǐng)導(dǎo)廠商旺宏，華邦,，兆易創(chuàng)新,，武漢新芯將持續(xù)將產(chǎn)品從價格及獲利下行的中、低密度NOR轉(zhuǎn)為價格及獲利較好的高密度NOR和SLCNAND,，而讓相關(guān)廠商同比獲利衰退幅度相對較小,。但此下行趨勢對明年即將量產(chǎn)的中國主流存儲器芯片大廠長江存儲（3DNAND）， 合肥長鑫（Mobile DRAM）,，福建晉華（NicheDRAM）當然是雪上加霜,。