簡介

　　WInSiC4AP聯(lián)盟由來自4個歐盟國家（意大利、法國,、德國和捷克共和國）的20個合作伙伴組成,，包括大型企業(yè)、中小企業(yè),、大學和政府科研機構(gòu),。在這種背景下，企業(yè)（汽車制造、航空電子設(shè)備,、鐵路和國防）和垂直產(chǎn)業(yè)鏈（半導體供應(yīng)商,，電感器和電容器廠商）以及學術(shù)機構(gòu)和研究實驗室將合作設(shè)計解決方案，解決技術(shù)難題,，分享專有知識,，同時也可能出現(xiàn)無法預(yù)料的結(jié)果。WInSiC4AP的核心目標是為高能效,、高成本效益的目標應(yīng)用開發(fā)可靠的技術(shù)模塊,，以解決社會問題，克服歐洲在其已處于世界領(lǐng)先水平的細分市場以及汽車,、航空電子,、鐵路和國防領(lǐng)域所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)。WInSiC4AP方法是依靠產(chǎn)業(yè)垂直整合的優(yōu)勢,，按照應(yīng)用需求優(yōu)化技術(shù),，發(fā)展完整的生態(tài)系統(tǒng)，并將相關(guān)問題作為可靠性問題給予全面分析,。在當今美日等國家正在發(fā)展碳化硅技術(shù),，新企業(yè)搶占市場的背景下，該項目將提升歐盟工業(yè),、一級和二級供應(yīng)商以及產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)的競爭力,。項目組將針對目標應(yīng)用開發(fā)新的拓撲結(jié)構(gòu)和架構(gòu)，在實驗室層面模擬操作環(huán)境,，推進目前急需的還是空白的技術(shù),、元器件和演示產(chǎn)品的研發(fā)工作，以縮小現(xiàn)有技術(shù)水平與技術(shù)規(guī)范的極高要求之間的差距,。

　　在開始討論技術(shù)和開發(fā)目標前,，先看一下圖1的電動汽車概念的簡單示意圖。在這種情況下,，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和牽引電機所用的電子元器件是本項目的研究方向,。

　　圖1：電動汽車工作原理示意圖

　　[資料來源：卡塔尼亞大學演講文稿]

　　圖2是大家都熟悉的硅和寬帶隙材料（SiC，GaN）的比較圖,。在開關(guān)頻率不是重點的汽車應(yīng)用中,，卓越的驅(qū)動性能和寬廣的工作溫度范圍讓SiC成為電動汽車設(shè)計者的首選功率器件。

　　圖2：Si,、SiC和GaN的特性優(yōu)值比較[來源：YoleDéveloppement]

　　I.WInSiC4AP 的主要目標

　　A.主要目標

　　WInSiC4AP致力于為高能效,、高成本效益的目標應(yīng)用開發(fā)可靠的技術(shù)模塊，以解決社會問題,，并克服歐洲在其已處于世界領(lǐng)先水平的細分市場以及汽車,、航空電子,、鐵路和國防領(lǐng)域所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)。

　　B.演示品

　　所有技術(shù)開發(fā)和目標應(yīng)用的講解和展示都是使用含有本項目開發(fā)出來的SiC技術(shù)模塊和封裝的原型演示品：

　　汽車與鐵路：

　　1.PHEV（插電式混動汽車）或BEV（純電動汽車）車載充電器

　　2.HEV（混動汽車）,、BEV和FC（燃料電池汽車）隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器

　　3. 鐵路機車智能功率開關(guān)（IPS-RA）

　　4. 航空級智能功率開關(guān)（IPS-AA）

　　納 / 微電網(wǎng)與航空電子：

　　5.用于納米/微電網(wǎng)V2G / V2H的高效雙向SiC功率轉(zhuǎn)換器

　　6.航空電子逆變器。

　　航空電子：

　　7. LiPo接口

　　8.引擎控制器 - 逆變器

　　該項目的實施分為三個主要階段：規(guī)范和用例定義,，技術(shù)開發(fā),，原型演示品開發(fā)。

　　II.WInSiC4AP項目中的SiC技術(shù)

　　SiC器件的制造需要使用專用生產(chǎn)線,，這是因為半導體的物理特性（摻雜劑的極低擴散性和晶格的復(fù)雜性）,，以及市場現(xiàn)有晶片的直徑尺寸較小（150mm）,，特別是離子注入或摻雜劑激活等工藝與半導體器件制造工藝中使用的常規(guī)層不相容[1],。

　　因此，這些特異性需要特殊的集成方案,。

　　使用這些方法將可以實現(xiàn)截止電壓高于1200V和1700V的兩種SiC功率MOSFET,，電流強度為45A，輸出電阻小于100mΩ,。

　　這些器件將采用HiP247新型封裝,，該封裝是專為SiC功率器件設(shè)計，以提高其散熱性能,。SiC的導熱率是硅[2]的三倍,。以意法半導體研制的SiC MOSFET為例，即使在200°C以上時,，SiC MOSFET也能保持高能效特性,。

　　WInSiC4AP項目的SiC MOSFET開發(fā)活動主要在2018年進行。圖3,、圖4,、圖5分別給出了器件的輸出特性、閾值電壓和擊穿電壓等預(yù)測性能,。

　　圖3 ： SiC SCT30N120中MOSFET在25和200℃時的電流輸出特性,。

　　在整個溫度范圍內(nèi)，輸出電阻遠低于100 mOhm; 當溫度從25℃上升到200℃時,，閾值電壓值（Vth）降低了600mV,，擊穿電壓（BV）上升了約50V，不難看出,，SiC MOSFET性能明顯高于硅MOSFET,。

　　圖4 ：SiC SCT30N120中的MOSFET在25和200°C時的閾值電壓

　　圖5： SiC SCT30N120中MOSFET在25和200°C時的擊穿電壓特性

　　從其它表征數(shù)據(jù)可以看出，隨著溫度從25℃上升至200℃,，開關(guān)耗散能量和內(nèi)部體漏二極管的恢復(fù)時間保持不變,。

　　本項目開發(fā)的新器件將會實現(xiàn)類似的或更好的性能,。Rdson降低是正在開發(fā)的SiC MOSFET的關(guān)鍵參數(shù)。最低的Rdson值將幫助最終用戶實現(xiàn)原型演示品,。

　　III.功率模塊

　　WInSiC4AP項目設(shè)想通過技術(shù)創(chuàng)新開發(fā)先進的封裝技術(shù),，發(fā)揮新型SiC器件能夠在高溫[3,4]下輸出大電流的性能優(yōu)勢。

　　關(guān)于封裝技術(shù),，WInSiC4AP將一方面想在完整封裝方案的高溫穩(wěn)健性方面取得突破,，另一方面想要控制封裝溫度變化，最終目標是創(chuàng)造新的可靠性記錄：

　　ü可靠性是現(xiàn)有技術(shù)水平5倍多; 高溫性能同樣大幅提升

　　ü能夠在200°C或更高溫度環(huán)境中工作,。

　　項目將針對集成式SiC器件的特性優(yōu)化封裝方法,，采用特別是模塑或三維立體封裝技術(shù)，開發(fā)新一代功率模塊,，如圖6所示,。

　　圖6： 新一代功率模塊（here 3D）

　　考慮到SiC是一種相對較新的材料，SiC器件的工作溫度和輸出功率高于硅的事實,，有必要在項目內(nèi)開發(fā)介于芯片和封裝（前工序和后工序）之間的新方法和優(yōu)化功率模塊,。

　　事實上，為滿足本項目將要開發(fā)的目標應(yīng)用的功率要求,，需要在一個功率模塊內(nèi)安裝多個SiC器件（> 20個）,。功率模塊需要經(jīng)過專門設(shè)計，確保器件并聯(lián)良好,，最大限度地減少導通損耗和寄生電感,，開關(guān)頻率良好（最小20kHz）。

  圖7所示是本項目將使用的一個模塊,。

　　圖7：STA5汽車功率模塊（最大功率100kW）,。

　　A.縮略語

　　R&D 研發(fā)

　　SiC碳化硅

　　PHEV插電式混動汽車

　　BEV純電動汽車

　　FC燃料電池

　　HEV混動汽車

　　EV電動汽車

　　IV.結(jié)論

　　得益于SiC材料的固有特性，新一代功率器件提高了應(yīng)用能效,，同時也提高了工作溫度,。

　　從項目的角度看，熱動力汽車向混動汽車和最終的電動汽車發(fā)展,，需要使用高效的先進的電子產(chǎn)品,，我們預(yù)計碳化硅技術(shù)在新車中的應(yīng)用將會對經(jīng)濟產(chǎn)生積極的影響。