當(dāng)現(xiàn)成的運(yùn)算放大器(op amp)不能提供特定應(yīng)用所需的信號(hào)擺幅范圍時(shí)，工程師面臨兩種選擇：使用高壓運(yùn)算放大器或設(shè)計(jì)分立解決方案--這兩種選擇的成本可能都很高,。對(duì)許多應(yīng)用來說,，第三種選擇--自舉--可能是比較廉價(jià)的替代方案。除了動(dòng)態(tài)性能要求極為苛刻的應(yīng)用,，自舉電源電路的設(shè)計(jì)是相當(dāng)簡(jiǎn)單的。
建議讀者閱讀Grayson King和Tim Watkins撰寫的優(yōu)秀技術(shù)文章--“通過運(yùn)算放大器自舉產(chǎn)生寬電壓擺幅”（EDN雜志,，1999年5月13日）,，其中闡明了自舉放大器應(yīng)用的眾多事項(xiàng)。
自舉簡(jiǎn)介
常規(guī)運(yùn)算放大器要求其輸入電壓在其電源軌范圍內(nèi),。如果輸入信號(hào)可能超過電源軌,，可以通過電阻衰減過大輸入，使這些輸入降至電源范圍以內(nèi)的電平,。這樣處理并不理想,，因?yàn)樗鼤?huì)對(duì)輸入阻抗、噪聲和漂移產(chǎn)生不利影響,。同樣的電源軌也會(huì)限制放大器輸出,，閉環(huán)增益的大小存在一個(gè)限值，以避免將輸出驅(qū)動(dòng)到飽和狀態(tài),。
因此,，如果要求處理輸入和/或輸出上的大信號(hào)偏離，則需要寬電源軌和能在這些電源軌上工作的放大器,。ADI公司的220 V ADHV4702-1是適合這種情況的出色選擇,，不過自舉低壓運(yùn)算放大器也能滿足應(yīng)用要求。是否使用自舉主要取決于動(dòng)態(tài)要求和功耗限制,。
自舉會(huì)創(chuàng)建一個(gè)自適應(yīng)雙電源,，其正負(fù)電壓不是以地為基準(zhǔn),，而是以輸出信號(hào)的瞬時(shí)值為基準(zhǔn)，有時(shí)稱之為飛軌(flying rail)配置,。在這種配置中,，電源隨著運(yùn)算放大器的輸出電壓(VOUT)上下移動(dòng)。因此,，VOUT始終處于中間電源電壓,，并且電源電壓能夠相對(duì)于地移動(dòng)。使用自舉可以非常容易地實(shí)現(xiàn)這種自適應(yīng)雙電源,。
實(shí)際上,，自舉必須符合一些準(zhǔn)則，有些準(zhǔn)則微不足道,，但沒有一個(gè)準(zhǔn)則是特別麻煩的,。如下是最基本的準(zhǔn)則：
輸出負(fù)載不得過大。
響應(yīng)速度不得低于運(yùn)算放大器的壓擺率,。
必須能處理所需的電壓水平和相關(guān)的功耗,。
工作原理
飛軌概念是指正負(fù)電源軌連續(xù)調(diào)整，使其電壓始終關(guān)于輸出電壓對(duì)稱,。這樣,，輸出始終位于電源范圍內(nèi)。
電路架構(gòu)包括一對(duì)互補(bǔ)分立晶體管和一個(gè)阻性偏置網(wǎng)絡(luò),。NPN發(fā)射極（或N溝道MOSFET的源極引腳）提供VCC,，PNP發(fā)射極（或P溝道MOSFET的源極引腳）用作VEE。晶體管被偏置,，使得所需的電源電壓出現(xiàn)在放大器的+VS和-VS引腳上,，這些電壓通過電阻分壓器從高壓電源獲得。圖1顯示了簡(jiǎn)化高壓跟隨器原理圖,。
圖1.簡(jiǎn)化高壓跟隨器原理圖
理論上,，自舉可以為任何運(yùn)算放大器提供任意高的信號(hào)順從電壓。而在實(shí)際上,，電源調(diào)整比例越大,，動(dòng)態(tài)性能越差，因?yàn)檫\(yùn)算放大器的壓擺率限制了電源對(duì)動(dòng)態(tài)信號(hào)的響應(yīng)速度,。放大器在最大額定電源電壓或接近該電壓下工作時(shí),，電源引腳為跟上動(dòng)態(tài)信號(hào)而需要橫越的范圍最小。當(dāng)運(yùn)算放大器在接近其最高額定電源電壓下工作時(shí),，其他誤差源（如噪聲增益）也會(huì)降低（參見“通過運(yùn)算放大器自舉產(chǎn)生寬電壓擺幅”,，EDN雜志，1999年5月13日）。
不需要電源移動(dòng)很遠(yuǎn)（或非?？欤┑牡皖l和直流應(yīng)用,，是自舉的最佳候選應(yīng)用。因此,，高壓放大器能提供比動(dòng)態(tài)特性相當(dāng)?shù)牡蛪悍糯笃鞲玫膭?dòng)態(tài)性能,，尤其是當(dāng)二者均偏置為各自的最大工作電源電壓并且自舉到相同信號(hào)范圍時(shí)。自舉也會(huì)影響直流性能,，因此在直流精度和高電壓兩方面均經(jīng)過優(yōu)化的運(yùn)算放大器可提供自舉配置能實(shí)現(xiàn)的最佳直流和交流性能組合,。
采用ADHV4702-1的范圍擴(kuò)展器的設(shè)計(jì)考慮
ADHV4702-1是一款精密220 V運(yùn)算放大器。有了該器件,，就不需要自舉傳統(tǒng)低壓運(yùn)算放大器,，220 V以下信號(hào)范圍的高壓設(shè)計(jì)得以簡(jiǎn)化。如果應(yīng)用需要更高電壓,，那么可以應(yīng)用自舉技術(shù),，輕松地將電路工作范圍增加兩倍以上。下面說明一個(gè)基于ADHV4702-1的500 V放大器設(shè)計(jì)示例,。
電壓范圍
如上所述,，擴(kuò)展器電路的范圍在理論上是無限的，但存在如下一些實(shí)際限制：
電源電壓和電流額定值
電阻和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功耗
FET擊穿電壓
直流偏置電平
首先,，考慮提供給放大器的電源電壓,。任何在器件額定電源電壓范圍內(nèi)的電壓都有效。然而,，功耗是基于所選擇的工作電壓在放大器和FET之間分配,。對(duì)于給定的原始電源電壓，運(yùn)算放大器電源電壓越低,，F(xiàn)ET中的漏源電壓(VDS)越高，功耗也相應(yīng)地進(jìn)行分配,。應(yīng)選擇適當(dāng)?shù)倪\(yùn)算放大器電源電壓,，從而以最有利于散熱的方式在器件之間分配功耗。
其次,，使用下式計(jì)算將原始電源電壓(VRAW)降低到放大器期望電源電壓(VAMP)所需的分壓比：
VRAW/VAMP = (RTOP + RBOT)/RBOT
其中,，RTOP為頂部電阻，RBOT為底部電阻,。
對(duì)于下例,，考慮運(yùn)算放大器標(biāo)稱電源電壓為±100 V。對(duì)于需要±250 V擺幅范圍的應(yīng)用,，通過下式計(jì)算分壓比：
分壓比 = 250 V/100 V = 2.5或2.5:1
然后,，使用便于獲得的標(biāo)準(zhǔn)值電阻設(shè)計(jì)電阻分壓器，盡可能接近地實(shí)現(xiàn)此分壓比,。請(qǐng)注意,，由于涉及高電壓,，電阻功耗可能比預(yù)期要高。
靜態(tài)功耗
對(duì)于所選電阻值,，應(yīng)選擇能夠應(yīng)對(duì)相應(yīng)靜態(tài)功耗的電阻尺寸,。相反，如果電阻的物理尺寸受限,，應(yīng)選擇適當(dāng)?shù)碾娮柚祦韺⑸嵯拗圃陬~定范圍內(nèi),。
在該示例中，RTOP達(dá)到150 V,，RBOT達(dá)到100 V,。使用額定功率為1/2瓦的2512電阻，設(shè)計(jì)必須將每個(gè)電阻器的功耗(V2/R)限制在0.5 W以下,。計(jì)算每個(gè)電阻的最小值,，如下所示：
RTOP = (150 V)2/0.5 W = 45 kΩ（最小值）
RBOT = (100 V)2/0.5 W = 20 kΩ（最小值）
將較高值電阻(45kΩ)作為功耗的限制因素，RBOT值產(chǎn)生一個(gè)2.5:1分壓器,，同時(shí)觀測(cè)靜態(tài)功耗限值為
RBOT = RTOP/1.5 = 30 kΩ
其功耗為(100 V)2/30 kΩ = 0.33 W,。
瞬時(shí)功耗
考慮到電阻的瞬時(shí)電壓取決于放大器的輸出電壓以及電源電壓，本例中任何時(shí)刻每個(gè)分壓器上的電壓可能高達(dá)350 V（VCC = 250 V且VOUT = -100 V）,。正弦輸出波形在VCC和VEE分壓器中產(chǎn)生相同的平均功耗,，但任何非零平均輸出都會(huì)導(dǎo)致一個(gè)分壓器的功耗高于另一個(gè)分壓器的功耗。對(duì)于滿量程直流輸出（或方波）,，瞬時(shí)功耗為最大功耗,。
在此示例中，為將瞬時(shí)功耗保持在0.5 W以下,，每個(gè)分壓器中兩個(gè)電阻之和(RSUM)不得小于以下值：
RSUM = (350 V)2/0.5 W = 245 kΩ
因此,，電阻比為1.5:1（對(duì)于2.5:1分壓器）時(shí)，各個(gè)電阻的最小值如下：
RTOP = 147 kΩ
RBOT = 98 kΩ
FET選擇
承受最壞情況偏置條件所需的擊穿電壓主要決定FET的選擇,；當(dāng)輸出飽和,，使得一個(gè)FET處于最大VDS，另一個(gè)FET處于最小VDS時(shí),，便可明白這一點(diǎn),。在前面的示例中，最高絕對(duì)VDS約為300 V,，即總原始電源電壓(500 V)減去放大器的總電源電壓(200 V),。因此，F(xiàn)ET必須承受至少300 V電壓而不被擊穿,。
功耗必須針對(duì)最壞情況VDS和工作電流來計(jì)算,，并且必須選擇指定在此功率水平下工作的FET。
接下來考慮FET的柵極電容，因?yàn)樗鼤?huì)與偏置電阻一起形成一個(gè)低通濾波器,。擊穿電壓較高的FET往往具有較高的柵極電容,，而且偏置電阻往往為100 kΩ，因此不需要多少柵極電容就能顯著降低電路的速度,。從制造商的數(shù)據(jù)手冊(cè)中獲得柵極電容值,，計(jì)算RTOP和RBOT并聯(lián)組合所形成的極點(diǎn)頻率。
偏置網(wǎng)絡(luò)的頻率響應(yīng)必須始終快于輸入和輸出信號(hào),，否則放大器的輸出可能超出其自身的電源范圍,。暫時(shí)偏離到放大器電源軌之外會(huì)有損壞輸入的風(fēng)險(xiǎn)，而暫時(shí)飽和或壓擺受限會(huì)有造成輸出失真的風(fēng)險(xiǎn),。任何一種狀況都可能導(dǎo)致負(fù)反饋暫時(shí)丟失和不可預(yù)測(cè)的瞬態(tài)行為,，甚至可能因?yàn)槟承┻\(yùn)算放大器架構(gòu)中的相位反轉(zhuǎn)而閂鎖。
性能
直流線性度
圖2顯示了增益誤差與輸入電壓的關(guān)系（直流線性度）,，增益為20,，電源為±140 V。
圖2.增益誤差與輸入電壓的關(guān)系
壓擺率
圖3顯示了壓擺率曲線,，增益為20,，電源為±140 V，測(cè)量值為20.22 V/μs,。
圖3.壓擺率
實(shí)現(xiàn)更高速度的權(quán)衡
功耗
如前所述,，工作電壓較高時(shí)，F(xiàn)ET的擊穿電壓（和相關(guān)的柵極電容）以及電阻值也必須較高,。較高的電阻和電容值都會(huì)造成帶寬降低,，唯一可用的調(diào)整因素是電阻值。降低電阻值會(huì)提高帶寬,，但代價(jià)是功耗增加,。空間低阻值,、高功率的電阻尺寸較大,，需占用較多電路板空間。以電容的形式在RBOT上增加一些引線補(bǔ)償可以改善電路的頻率響應(yīng),。此電容與RBOT和RTOP電阻形成一個(gè)零點(diǎn)，抵消FET柵極電容所形成的極點(diǎn),。極點(diǎn)和零點(diǎn)相消,，因此可以選擇更高阻值的電阻，從而降低直流功耗,。
結(jié)論
在需要較高電壓但使用典型高壓運(yùn)算放大器不經(jīng)濟(jì)的應(yīng)用中,，常常會(huì)讓常規(guī)運(yùn)算放大器自舉。自舉有其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。還有一個(gè)選擇,，ADHV4702-1提供一種高達(dá)220 V的精密高性能解決方案,，無需自舉。但是,，當(dāng)信號(hào)范圍要求超過220 V時(shí),，該器件可以自舉以處理超過標(biāo)稱信號(hào)范圍兩倍以上的電壓，同時(shí)提供比自舉低壓放大器更高的性能,。