《電子技術(shù)應(yīng)用》
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新光刻技術(shù)證實(shí)能對(duì)納米芯片的發(fā)展產(chǎn)生重大影響

2019-02-12

如今,,業(yè)界不斷刷新著納米芯片的記錄,,這無疑將在未來計(jì)算上帶給我們更多的可能性。為此,,各國科研人員不斷進(jìn)行著努力,。近日,,一個(gè)國際研究團(tuán)隊(duì)在報(bào)告中表示,自己在制造納米芯片方面取得了突破性進(jìn)展,,或?qū)榧{米芯片的生產(chǎn)以及全球所有納米技術(shù)實(shí)驗(yàn)室,,帶來重大影響。

據(jù)悉,,該個(gè)研究團(tuán)隊(duì)由美國紐約大學(xué)坦頓工程學(xué)院化學(xué)和生物分子工程教授Riedo帶隊(duì),,他們證明了使用加熱到攝氏100度以上的探頭的光刻技術(shù),要優(yōu)于在二維半導(dǎo)體(例如二硫化鉬(MoS2))上制造金屬點(diǎn)擊的方法,,成本更低,,有望成為當(dāng)今電子束光刻的替代品。

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該團(tuán)隊(duì)將這種新制造方法稱為熱掃描探針光刻(t-SPL),,其與當(dāng)今的電子束光刻(EBL)相比具有更多的優(yōu)勢(shì):首先,,熱光刻顯改善了二維晶體管的質(zhì)量,,抵消了肖特基勢(shì)壘,阻礙了金屬與二維襯底交界處的電子流動(dòng),;與電子束光刻(EBL)不同,,熱光刻技術(shù)使芯片設(shè)計(jì)人員能夠輕松地對(duì)二維半導(dǎo)體進(jìn)行成像,之后在需要的地方對(duì)電極進(jìn)行圖案化,; 此外,,熱掃描探針光刻(t-SPL)制造系統(tǒng)有望在初期節(jié)省成本;最后,,通過使用平行熱探針,,能夠輕松地將該熱制造方法推廣到批量的工業(yè)生產(chǎn)當(dāng)中。

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上圖是Elisa Riedo教授和博士生劉翔宇,,在紐約大學(xué)Tandon工程學(xué)院PicoForce實(shí)驗(yàn)室,,使用他們發(fā)明的熱掃描探針光刻工藝和SwissLitho的NanoFrazor設(shè)備制造高質(zhì)量的2D芯片。


Riedo博士希望t-SPL最終可以從實(shí)驗(yàn)室走向工廠批量制造,,為實(shí)現(xiàn)這個(gè)愿景仍需要研究人員繼續(xù)努力,,快速推進(jìn)材料科學(xué)與芯片設(shè)計(jì)。有一天,,這些t-SPL工具的分辨率將低于10納米,,在標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)境條件下以120伏電源運(yùn)行。


其實(shí),,Riedo在熱探測(cè)方面的經(jīng)驗(yàn)可以追溯到十多年前,,先是在IBM Research-Zurich,后來才到紐約城市大學(xué)(CUNY)研究生中心高級(jí)科學(xué)研究中心(ASRC)探索金屬納米制造的熱光刻,,與該論文的共同第一作者,,Xiao rui Zheng和Annalisa Calò一起工作,并擁有瑪麗居里獎(jiǎng)學(xué)金,。


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