臺積電提交公告表示，6納米技術提供客戶更多具成本效益的優(yōu)勢，并且延續(xù)7納米技術在功耗及效能上的領先地位,。臺積電的6納米技術的邏輯密度比7納米技術增加18%,。

　　新的6nm制程采用了EUV光刻技術,，據稱與第一代7nm制程相比,，晶體管密度增加了18%，而設計規(guī)則與第一代7nm制程完全兼容,，便于升級遷移和降低成本,。

　　臺積電的6nm制程預計將于2020年第一季度試產，適用于中高端移動芯片,、消費應用,、人工智能、網絡,、5G,、高性能計算。

　　在過去幾年里,，英特爾在新制程方面進展緩慢,，而其10nm制程在大規(guī)模生產方面也進展緩慢，主要原因是該公司對技術指標要求高,，難以投入生產,。

　　另一方面，臺積電和三星取得了很大進展,。除了技術上的突破，他們采取了更加靈活的策略,，降低了新技術的難度,，每次稍有改進就會做出一個新的版本。

　　例如,，臺積電的16nm制程是一個重要節(jié)點,，而12nm則是在此基礎上進行了升級和優(yōu)化。三星則更加復雜,，除了14nm,、10nm、7nm,、5nm的升級版,，還有一系列過渡版，如11nm,、8nm,、6nm、4nm,。

　　近日,，臺積電宣布，其5nm EUV制程已開始試制。與7nm相比,，該公司的5nm EUV制程可使性能提高15%,。與此同時，三星的5nm EUV制程可使功耗降低20%,，性能提高10%,。