《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 模擬設(shè)計(jì) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 臺(tái)積電6nm制程工藝將至,,明年Q1試產(chǎn)

臺(tái)積電6nm制程工藝將至,,明年Q1試產(chǎn)

2019-05-07
關(guān)鍵詞: Intel 華為 麒麟 晶體管

雖然Intel在10nm工藝上卡殼了,但是它的對(duì)手們卻是突飛猛進(jìn),,勢(shì)如破竹,;比如臺(tái)積電,,前腳才剛宣布5nm EUV工藝試產(chǎn),后腳又來(lái)了個(gè)6nm(N6)工藝官宣,。

wx_article_20190503001800_vb98F2.jpg

據(jù)悉,,臺(tái)積電新推的6nm制程工藝系7nm基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái),號(hào)稱(chēng)在已有7nm(N7)工藝的基礎(chǔ)上大幅度增強(qiáng),,可提供極具競(jìng)爭(zhēng)力的高性價(jià)比,,并能加速產(chǎn)品研發(fā),、量產(chǎn)、上市速度,。

wx_article_20190503001800_JxUlHL.jpg

周知,,目前臺(tái)積電7nm工藝有兩個(gè)版本,第一代采用傳統(tǒng)DUV光刻技術(shù),,第二代則是首次加入EUV極紫外光刻,,已進(jìn)入試產(chǎn)階段,預(yù)計(jì)下一代蘋(píng)果A,、華為麒麟都會(huì)用,。而新的6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術(shù),聲稱(chēng)相比第一代7nm工藝可以將晶體管密度提升18%,,同時(shí)設(shè)計(jì)規(guī)則完全兼容第一代7nm,,便于升級(jí)遷移,降低成本,。

wx_article_20190503001800_vgXcr0.jpg

臺(tái)積電6nm預(yù)計(jì)2020年第一季度試產(chǎn),,主要服務(wù)于中高端移動(dòng)芯片、消費(fèi)應(yīng)用終端,、AI,、網(wǎng)絡(luò)、5G,、高性能計(jì)算芯片等,。

臺(tái)積電CEO兼副董事長(zhǎng)魏哲家(CC Wei)表示:“絕大多數(shù)7nm工藝客戶,都會(huì)轉(zhuǎn)向6nm工藝,,使用率和量產(chǎn)產(chǎn)能都會(huì)迅速擴(kuò)大,。”2019年臺(tái)積電憑借這兩者合計(jì)可貢獻(xiàn)大約25%的收入,。

不過(guò),,大家切忌認(rèn)為臺(tái)積電的7nm就一定比Intel的10nm強(qiáng),不同晶圓加工廠對(duì)工藝的標(biāo)準(zhǔn)都不盡相同,,叫法當(dāng)然也是五花八門(mén),;目前業(yè)界普遍認(rèn)為臺(tái)積電的7nm其實(shí)就差不多等同于Intel的10nm;但5nm,,可能就真的要甩開(kāi)Intel一大截了!不過(guò),,確實(shí)這樣的叫法很容易讓普通消費(fèi)者產(chǎn)生誤解,,這方面私以為臺(tái)積電和三星都耍了滑頭,Intel有點(diǎn)吃虧,!


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章,、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者,。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118,;郵箱:[email protected],。