荷蘭奈梅亨 – 2019年5月8日,，埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）現(xiàn)在宣布基于其成熟的第9代高壓LDMOS工藝技術(shù)派生出高級加固技術(shù)（Advanced Rugged Technology，ART）,，并借此開發(fā)出新系列射頻功率器件中的首款產(chǎn)品,。這個新工藝的開發(fā)旨在用于實(shí)現(xiàn)極其堅(jiān)固的、工作電壓高達(dá)65V的晶體管,。

首款采用該工藝的產(chǎn)品ART2K0FE是一款2kW的晶體管,，其頻率響應(yīng)為0至650MHz，采用氣腔陶瓷封裝,。其設(shè)計能夠承受工業(yè),、科學(xué)和醫(yī)療（ISM）應(yīng)用中常見的最惡劣的條件，可用于驅(qū)動大功率CO2激光器,、等離子發(fā)生器和一些MRI系統(tǒng),。ART器件之所以適用于這些應(yīng)用，是因?yàn)槠淇梢蕴幚?5V條件下高達(dá)65:1的駐波比（VSWR）失配,，而這在CO2激光器和等離子發(fā)生器工作時可能碰到,。

基于ART工藝開發(fā)的器件具有很高的阻抗，因此在開發(fā)階段更容易將其集成到產(chǎn)品中,，并確保在批量生產(chǎn)中具有更高的產(chǎn)品一致性,。該工藝還可使所開發(fā)的器件比LDMOS競爭產(chǎn)品更加高效。這樣便可通過節(jié)省輸入電能,，降低發(fā)熱,，來降低最終應(yīng)用的運(yùn)營成本。此外,，采用該工藝的器件還可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度,，也就是說，它們可以采用更小,、更低成本的封裝,，從而減少其電路板占位面積，進(jìn)而降低系統(tǒng)成本,。

ART器件還具有高擊穿電壓,，有助于確保它們在整個預(yù)期壽命期間始終如一地可靠工作。埃賦隆半導(dǎo)體還保證這類器件可以供貨15年,，從而使產(chǎn)品設(shè)計人員可以進(jìn)行長期規(guī)劃,。

采用氣腔陶瓷封裝的ART2K0FE現(xiàn)可提供樣品，并有不同頻率的參考電路可以選擇,。埃賦隆半導(dǎo)體還提供較低熱阻的超模壓塑料版本ART2K0PE,。兩種版本預(yù)計在2019年下半年量產(chǎn)。