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CISSOID在紐倫堡PCIM 2019展會(huì)上展出新款高溫柵極驅(qū)動(dòng)器,、碳化硅器件及功率模塊

2019-05-13

  各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID,在2019年歐洲功率電子智能傳動(dòng)產(chǎn)品展覽會(huì)(PCIM 2019)上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模塊,。PCIM 2019是全球領(lǐng)先的電力電子、智能傳動(dòng),、可再生能源和能源管理展覽及會(huì)議,。

  CISSOID公司推出了一款新型柵極驅(qū)動(dòng)器板,該板針對(duì)額定溫度為125°C(環(huán)境溫度)的62mm碳化硅MOSFET功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化,。該板基于CISSOID的HADES柵極驅(qū)動(dòng)器芯片組,,還可以驅(qū)動(dòng)IGBT功率模塊,同時(shí)可為汽車和工業(yè)應(yīng)用中高密度功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)提供散熱空間,。它支持高頻(> 100KHz)和快速的碳化硅MOSFET開關(guān)(dV/dt> 50KV/μs),,從而可以提升功率轉(zhuǎn)換器的效率并減小其尺寸和重量。該板專為惡劣的電壓環(huán)境而設(shè)計(jì),,支持1200V和1700V功率模塊的驅(qū)動(dòng),,隔離電壓高達(dá)3600V(經(jīng)過50Hz、1分鐘的耐壓測(cè)試),,爬電距離為14mm,。欠壓鎖定(UVLO)、有源米勒鉗位(AMC)和去飽和檢測(cè)等保護(hù)功能,,確保一旦發(fā)生故障時(shí)既可以保證安全駕駛,,還能為功率模塊提供可靠的保護(hù)?!斑@款新型碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器板是與汽車,、運(yùn)輸和航空航天市場(chǎng)中的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者們多年合作開發(fā)的成果。它結(jié)合了CISSOID在碳化硅器件方面的專業(yè)知識(shí)以及設(shè)計(jì)適應(yīng)惡劣環(huán)境的芯片和電子系統(tǒng)方面的長(zhǎng)期經(jīng)驗(yàn),?!盋ISSOID工程副總裁Etienne Vanzieleghem 先生表示。

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  在紐倫堡,,CISSOID還展示了最新的碳化硅MOSFET器件和IGBT功率模塊,。一款新型分立式1200V/40mOhms碳化硅MOSFET晶體管已可供貨,其采用TO-247封裝,,可以在-55°C至175°C的溫度范圍內(nèi)正常工作,。該MOSFET在25°C(結(jié)溫)時(shí),漏極到源極導(dǎo)通電阻是40mOhms,在175°C(結(jié)溫)時(shí),,導(dǎo)通電阻是75mOhms,。很低的開關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷能量(分別為1mJ和0.4mJ)使該器件成為高效緊湊的DC-DC轉(zhuǎn)換器、功率逆變器和電池充電器的理想選擇,。CISSOID公司還展示了兩款額定電流分別為200A和300A的62mm 1200V IGBT功率模塊,。

  CISSOID還在致力于研發(fā)碳化硅MOSFET功率模塊,并將在未來幾個(gè)月推出,?!斑@些新產(chǎn)品表明CISSOID致力于提供全面的基于碳化硅的解決方案,包括晶體管,、模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器,,以支持行業(yè)在新型電動(dòng)汽車和可再生能源應(yīng)用中使用高效、輕便,、緊湊的功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品,,”CISSOID首席執(zhí)行官Dave Hutton先生表示?!拔覀冋c整車廠和汽車零部件供應(yīng)商密切合作,,為新型碳化硅功率逆變器在新能源汽車中的應(yīng)用定制柵極驅(qū)動(dòng)器?!彼a(bǔ)充道,。


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