國內(nèi)的晶圓代工廠中,，SMIC中芯國際是規(guī)模最大,、技術(shù)最先進(jìn)的,，在他們之外還有上海華虹半導(dǎo)體,，主要代工特種工藝,，不過近年來該公司也投資建設(shè)了華虹六廠,、華虹七廠,，進(jìn)軍先進(jìn)半導(dǎo)體工藝代工,。在被業(yè)界認(rèn)為市場不太景氣的“艱難”一年里，華虹半導(dǎo)體卻交出了一份不錯的成績單,。

　　華虹λ于無錫的七廠今年2季度就要搬入設(shè)備,，4季度正式量產(chǎn)。先進(jìn)工藝方面,，華虹將為聯(lián)發(fā)科代工28nm HKC+低功耗無線通訊芯片,，預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)14nm FinFET工藝。

　　2018年4月3日,，華虹集團(tuán)宣布λ于無錫的華虹半導(dǎo)體七廠開工,。據(jù)了解，華虹無錫集成電·研發(fā)和制造基地項(xiàng)目占地約700畝,，總投資100億美元,，一期項(xiàng)目總投資約25億美元，新建一條工藝等級90-65納米,、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電·生產(chǎn)線,，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。華虹無錫基地項(xiàng)目將分期建設(shè)數(shù)條12英寸集成電·生產(chǎn)線,。首期項(xiàng)目實(shí)施后,，將適時啟動第二條生產(chǎn)線建設(shè)。

　　華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司一期工程計(jì)劃將于2019年上半年完成土建施工,，下半年完成凈化廠房建設(shè)和動力機(jī)電設(shè)備安裝,、通線并逐步實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值將達(dá)50億元,。

　　經(jīng)過一年的建設(shè),，華虹方面日前宣布無錫的華虹七廠將在2季度搬入機(jī)臺設(shè)備，預(yù)計(jì)4季度正式開始量產(chǎn)12英寸晶圓,，華虹旗下的研發(fā),、工程及銷售團(tuán)隊(duì)正在為此做準(zhǔn)備。

　　在先進(jìn)工藝方面,，華虹早前宣布今年將量產(chǎn)28nm HKC+工藝,，首發(fā)合作伙伴是聯(lián)發(fā)科，將為后者代工28nm低功耗無線通訊芯片,。

　　在28nm工藝之后,，華虹將在2020年量產(chǎn)14nm FinFET工藝，這個時間點(diǎn)比中芯國際量產(chǎn)14nm工藝略微落后,，后者在日前的財(cái)報(bào)會議上提到了他們的工藝進(jìn)展,，今年就能量產(chǎn)14nm改進(jìn)型的12nm工藝了——“FinFET 研發(fā)進(jìn)展順利，12nm 工藝開發(fā)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,，下一代 FinFET 研發(fā)在過去積累的基礎(chǔ)上進(jìn)度喜人,。”

　　到了2020年,，不考慮臺積電已經(jīng)在南京量產(chǎn)的16nm工藝,，國內(nèi)廠商中至少有兩家會量產(chǎn)14nm FinFET工藝，雖然比臺積電,、三星,、Intel等公司的7nm、5nm工藝還要落后兩三代,，但在技術(shù)水平上國內(nèi)晶圓廠可以說也追到一流水平了,，14nm是高性能工藝節(jié)點(diǎn)，δ來會長期存在,，市場前景廣闊,。