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2019年第二季全球前十大晶圓代工營(yíng)收排名出爐

2019-06-22

半導(dǎo)體供應(yīng)鏈上各家廠商之間的關(guān)系正在大洗牌,,昨日的合作伙伴,,未來可能是最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手;本來井水不犯河水的兩家廠商,,也可能瞬間成為競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系,;勢(shì)不兩立幾十年的死對(duì)頭,,也有可能坐下來談聯(lián)合技術(shù)研發(fā),。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來,,顯然還很有看頭。

營(yíng)收排名概述

根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告顯示,,由于全球政經(jīng)局勢(shì)動(dòng)蕩,,2019年第二季全球晶圓代工需求持續(xù)疲弱,,各廠營(yíng)收與去年同期相比普遍下滑,預(yù)估第二季全球晶圓代工總產(chǎn)值將較2018年同期下滑約8%,,達(dá)154億美元,。今年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)將面臨10年來首次負(fù)成長(zhǎng),,總產(chǎn)值較2018年衰退近3%,。

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2019年第二季晶圓代工業(yè)者排名前五與去年相同,第六名至第十名則略有變動(dòng):力晶因存儲(chǔ)器和顯示驅(qū)動(dòng)芯片代工需求下滑,,排名與去年同期相比由第七名下降至第九名,;顯示驅(qū)動(dòng)芯片轉(zhuǎn)移至12寸投產(chǎn)的趨勢(shì)愈加明顯,使得不具有12寸產(chǎn)能的世界先進(jìn)營(yíng)收受沖擊,,排名被華虹半導(dǎo)體超越,,滑落至第八名。

僅有華虹半導(dǎo)體受惠于SmartCard,、IoT,、Automotive的MCU和功率器件等市場(chǎng)需求較為穩(wěn)定,因而營(yíng)收與去年同期持平,,其余業(yè)者皆因市場(chǎng)需求不濟(jì),、庫(kù)存尚待消化等原因,第二季營(yíng)收表現(xiàn)較去年同期下滑,。

其中,,臺(tái)積電以75.53億美元的營(yíng)收位居第一,市場(chǎng)份額更是達(dá)到49.2%,;

三星以27.73億美元的營(yíng)收位列第二,,市場(chǎng)份額18%;

格芯以13.36億美元營(yíng)收位居第三,,市場(chǎng)份額8.7%,。

大陸廠商中芯國(guó)際則以7.9億美元營(yíng)收,排在第五位,,市場(chǎng)份額5.1%,。

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在整個(gè)TOP10廠商名單中,除了中芯國(guó)際,,還有一家大陸廠商入圍,,就是華虹半導(dǎo)體。不過,,它們與臺(tái)積電等廠商差距仍然明顯,。目前兩家大陸廠商量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝還處在28nm的水平上,而臺(tái)積電等廠商已經(jīng)在量產(chǎn)7nm制程工藝,。

臺(tái)積電:不及預(yù)期但仍穩(wěn)坐榜首

臺(tái)積電因受惠7nm先進(jìn)制程客戶需求升溫,,第2季業(yè)績(jī)將約75.53億美元,,將年減4%,衰退幅度也將相對(duì)較其他晶圓代工廠小,,并穩(wěn)居全球晶圓代工業(yè)龍頭地位,。

在半導(dǎo)體工藝上,臺(tái)積電去年量產(chǎn)了7nm工藝(N7+),,今年是量產(chǎn)第二代7nm工藝(N7+),,而且會(huì)用上EUV光刻工藝,2020年則會(huì)轉(zhuǎn)向5nm節(jié)點(diǎn),,目前已經(jīng)開始在Fab18工廠上進(jìn)行了風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),,2020年第二季度正式商業(yè)化量產(chǎn)。

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明年的5nm工藝是第一代5nm,,之后還會(huì)有升級(jí)版的5nmPlus(5nm+)工藝,,預(yù)計(jì)在2020年第一季度風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2021年正式量產(chǎn),。

對(duì)于5nmPlus工藝,,臺(tái)積電還沒有公布該工藝具體的優(yōu)勢(shì),但官方表示5nmPlus工藝不論在性能上還是在能效上都有優(yōu)勢(shì),,畢竟5nm工藝是7nm制程之后另一個(gè)重大高性能節(jié)點(diǎn),,會(huì)是長(zhǎng)期存在的制程工藝。

在先進(jìn)制程方面,,臺(tái)積電處于絕對(duì)領(lǐng)先地位,,早在2011年臺(tái)積電便攻克了28nm制程,之后先進(jìn)制程發(fā)展迅速,,其7nm制程已于2018年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),,預(yù)計(jì)2019年收入占比將超過20%。5nm已于今年4月進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),,預(yù)計(jì)在2020年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。

而受到全球手機(jī)市場(chǎng)需求疲軟,且電動(dòng)車,、高效運(yùn)算所需的芯片也因5G,、AI生態(tài)系尚在醞釀,讓外界揣測(cè)過往年?duì)I收維持在約10%成長(zhǎng)幅度的臺(tái)積電,,2019年將可能無法再維持此神話,。

三星:保二爭(zhēng)一目標(biāo)明確

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在聯(lián)電、格羅方德相繼退出10nm以下制程市場(chǎng),,以及英特爾2018年陷入產(chǎn)能不足的窘境后,,三星被認(rèn)為是晶圓代工龍頭臺(tái)積電近2年的唯一對(duì)手,與其一同競(jìng)爭(zhēng)英偉達(dá),、高通等有7nmEUV技術(shù)需求的客戶,。

蘋果最新一代A13處理器仍舊全數(shù)交由臺(tái)積電生產(chǎn),,并將于2019年第二季度開始量產(chǎn),再加上AMD也發(fā)布7nm相關(guān)產(chǎn)品線進(jìn)度,,以及在2018年便已浮出臺(tái)面的高通,、海思、賽靈思等客戶,,不難想見2019年7nm代工市場(chǎng)將有跳躍性的成長(zhǎng),。

目前先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝已經(jīng)進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下,三星選擇直接進(jìn)入7nmEUV工藝,,進(jìn)度上要比臺(tái)積電落后一年,,不過三星現(xiàn)在要加速追趕了。

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除了7nmFinFET工藝之外,,三星還規(guī)劃了另外三種FinFET工藝——6nm、5nm,、4nm,,今年將完成6nm工藝的批量生產(chǎn),并完成4nm工藝的開發(fā),。

三星電子的投資計(jì)劃,,將在未來12年內(nèi)將投資133萬(wàn)億韓元加強(qiáng)系統(tǒng)LSI和晶圓代工業(yè)務(wù)方面的競(jìng)爭(zhēng)力,擴(kuò)大非存儲(chǔ)器業(yè)務(wù),。其中:73萬(wàn)億韓元的國(guó)內(nèi)研發(fā),,60萬(wàn)億韓元的生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施,預(yù)計(jì)每年平均投資11萬(wàn)億韓元,。

三星的目標(biāo)十分明確,,在保持存儲(chǔ)芯片全球第一的位置的同時(shí),在晶圓代工領(lǐng)域挑落臺(tái)積電,,在CMOS圖像傳感器領(lǐng)域擊敗索尼,,在營(yíng)收方面維持對(duì)英特爾的領(lǐng)先,坐穩(wěn)全球第一大半導(dǎo)體廠商的寶座,。

格芯:負(fù)面打不垮的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

全球晶圓代工大廠格芯在今年伊始負(fù)面消息不停,,繼先前成都廠傳出生產(chǎn)線停擺、工程師爆離職潮后,,韓國(guó)媒體再度爆料指大股東阿布達(dá)比投資基金旗下的ATIC有意將股份打包出售予三星,。

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除了去年下半年宣布不再追求7nm先進(jìn)制程的開發(fā),而在面臨大陸企業(yè)逐步崛起的競(jìng)爭(zhēng)之外,,更加凸顯格芯本身營(yíng)運(yùn)遭遇困境,,特別是阿布達(dá)比資金的抽離、大客戶AMD轉(zhuǎn)而投向臺(tái)積電7nm制程,、格芯跳躍式的制程研發(fā)面臨瓶頸等,,均使得格芯的晶圓代工制程結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型困難重重,。

2019年格芯市占率恐由2018年的9%向下滑落,格芯宣布,,將擱置7納米FinFET項(xiàng)目,,并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)來支持強(qiáng)化的產(chǎn)品組合方案。

對(duì)格芯而言,,專注在成熟制程服務(wù),,卻也未必意味著公司營(yíng)運(yùn)就此步上光明坦途。成熟制程客戶雖多,,需求更多樣化,,但鎖定這塊市場(chǎng)的晶圓代工業(yè)者卻也更多。

其正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的FinFET發(fā)展路線圖,,以服務(wù)未來幾年采用該技術(shù)的下一波客戶,。公司將相應(yīng)優(yōu)化開發(fā)資源,讓14/12納米FinFET平臺(tái)更為這些客戶所用,,提供包括射頻,、嵌入式存儲(chǔ)器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。

聯(lián)電:動(dòng)蕩中穩(wěn)中求勝

聯(lián)電在2019年度營(yíng)業(yè)報(bào)告書表示,,去年是金融危機(jī)以來最為動(dòng)蕩的一年,,包括中美貿(mào)易戰(zhàn)國(guó)際情勢(shì)變化以及石油和原物料價(jià)格波動(dòng)等因素,使產(chǎn)業(yè)景氣急速升降,,但面對(duì)如此充滿挑戰(zhàn)的外在環(huán)境,,聯(lián)電持續(xù)于技術(shù)、產(chǎn)能與客戶開發(fā)上有所突破,,全年?duì)I收仍創(chuàng)歷史新高,。

進(jìn)入2019年第2季度,聯(lián)電將繼續(xù)保持其能源及其持續(xù)轉(zhuǎn)型,,這將使其能夠最好地利用有線和無線通信領(lǐng)域內(nèi)的晶圓需求,,智能手機(jī),網(wǎng)絡(luò)和顯示相關(guān)產(chǎn)品將持續(xù)看好,。

雖然近期受到中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響,,但目前在物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊,、汽車電子的應(yīng)用上,,仍有大量的芯片需求,且多為聯(lián)電所專精的成熟和特殊制程,,也是聯(lián)電調(diào)整投資策略之重點(diǎn),,預(yù)期在晶圓出貨量部分將季增5—6%,ASP估增3%,應(yīng)可符合財(cái)測(cè)目標(biāo),。

聯(lián)電將未來的發(fā)展重心轉(zhuǎn)移到成熟制程市場(chǎng),,短時(shí)間內(nèi)恐怕還是很難威脅這些靠著特殊制程技術(shù)生存的業(yè)者。

對(duì)聯(lián)電乃至所有不再走向微縮道路的晶圓代工業(yè)者來說,,未來的技術(shù)發(fā)展方向不外深化與廣化兩條發(fā)展路徑,,畢竟企業(yè)資源有限,想要同時(shí)兼顧深度與廣度,,難免顧此失彼,。

中芯:工藝突破優(yōu)化產(chǎn)線

2018年收入同比成長(zhǎng)8.3%,連續(xù)四年持續(xù)成長(zhǎng),,業(yè)績(jī)創(chuàng)下新高,。2018年第四季收入同比持平,中國(guó)區(qū)收入同比成長(zhǎng)12%,。展望2019年,,全年核心業(yè)務(wù)收入成長(zhǎng)目標(biāo)與晶圓代工行業(yè)成長(zhǎng)率相當(dāng);基于目前的可見度,,一季度收入預(yù)計(jì)為全年相對(duì)低點(diǎn),,環(huán)比下降16%—18%。

去年中芯國(guó)際在智能手機(jī)增速放緩的行業(yè)環(huán)境下,,行業(yè)增長(zhǎng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向由先進(jìn)制程的高性能運(yùn)算產(chǎn)品為主,成熟制程的競(jìng)爭(zhēng)愈加劇烈,,價(jià)格壓力遠(yuǎn)大于預(yù)期,,這也是由于公司在先進(jìn)制程技術(shù)方面的落后造成的。

今年中芯重點(diǎn)建立工藝全方位的解決方案,,特別專注在FinFET技術(shù)的基礎(chǔ)打造,,平臺(tái)的開展,以及客戶關(guān)系的搭建,。目前中芯國(guó)際第一代FinFET14nm技術(shù)進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段,,產(chǎn)品可靠度與良率已進(jìn)一步提升。

同時(shí),,12nm的工藝開發(fā)也取得突破,。透過研發(fā)積極創(chuàng)新,優(yōu)化產(chǎn)線,,強(qiáng)化設(shè)計(jì),,爭(zhēng)取潛在市場(chǎng)。

結(jié)尾:

晶圓代工業(yè)者除了制程微縮之外,,還有許多其他道路可走,。不管是還留在先進(jìn)制程競(jìng)技場(chǎng)上的臺(tái)積電和三星,或是已經(jīng)策略轉(zhuǎn)向的聯(lián)電,、格芯,,以及本來就走小而美路線的特殊制程晶圓代工業(yè)者,,都必須用更全方位的眼光跟策略布局來面對(duì)未來市場(chǎng)需求的變化跟潛在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的動(dòng)向。


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