氮化鎵(GaN)是一種具有高電子遷移率的寬禁帶半導(dǎo)體材料,。在晶體管級,，GaN比傳統(tǒng)硅晶體管具有更高的電流,、更快的開關(guān)速度和更小的物理尺寸,。還可以使用增強模式GaN (e-GaN)和采用Cascode結(jié)構(gòu) FET GaN開關(guān)結(jié)構(gòu),。
e-GaN開關(guān)是一種正常關(guān)閉的GaN高電子遷移率晶體管(HEMT),，它的工作原理與普通MOSFET類似,，但需要更多的注意門驅(qū)動電路的設(shè)計,。e-GaN HEMTs就是專門為開關(guān)而設(shè)計的門驅(qū)動器,。在Cascode結(jié)構(gòu)中,，Cascode耗盡模式GaN開關(guān)與硅MOSFET串聯(lián)使用常開耗盡模式GaN HEMT。硅MOSFET控制開關(guān)中的氮化鎵HEMT的開關(guān),，因此可以使用標準的MOSFET柵驅(qū)動器,，并集成了GaN HEMT和相關(guān)的GaN門驅(qū)動電路的部件也可使用。
應(yīng)用前景
隨著越來越多的供應(yīng)商向市場提供產(chǎn)品,，GaN在電力應(yīng)用中的應(yīng)用顯著增長,。相對于硅,，GaN具有更高的開關(guān)頻率、更低的損耗和更小的物理尺寸,。這意味著工程師在設(shè)計有限空間和高效率的電力電路時有更多的選擇,。從GaN中獲益最多的應(yīng)用程序是那些需要高效率或緊湊物理空間的應(yīng)用程序。在服務(wù)器,、電信,、適配器/充電器、無線充電和D級音頻等市場有著光明的情景,。
廠商產(chǎn)品一覽
EPC
自從2009年推出商用增強型GaN (eGaN?)晶體管以來,，EPC現(xiàn)在提供了廣泛的GaN FETs和集成GaN器件選擇。場效應(yīng)晶體管有單晶體管和陣列兩種,，單極晶體管Vdss額定值可達200 V,，連續(xù)ID可達90a (TA = 25°C)。晶體管陣列有雙共源,、半橋和半橋+同步引導(dǎo)配置,。此外，集成的GaN器件——EPC2112和EPC2115,，EPC2112包含一個200伏GaN功率晶體管和一個2.9mmx1.1mm封裝優(yōu)化柵驅(qū)動器；EPC2115包含兩個單片150伏GaN功率晶體管,，每個晶體管都有一個優(yōu)化的柵極驅(qū)動器,，封裝在一個2.9毫米x 1.1毫米的封裝中。
由于GaN晶體管比硅晶體管小得多,，故而EPC設(shè)備采用芯片級封裝,。這種組合使得更小的設(shè)備使用更少的PCB空間，讓成本更低,。更小的引腳和更卓越的性能使得GaN
無法設(shè)計更大的硅零件,。EPC的FETs和ICs在評估版和展示板上訪問快速啟動指南，示意圖,，BOMs和Gerber文件,。
英飛凌
英飛凌在硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)中提供基于半導(dǎo)體的電力設(shè)備,。在GaN技術(shù)方面,，英飛凌開發(fā)了用于高壓GaN開關(guān)的600v CoolGaN?增強模式(通常關(guān)閉)GaN電源晶體管和EiceDRIVER?單通道隔離柵驅(qū)動芯片。1EDF5673K,、1EDF5673F和1EDS5663H EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器IC與CoolGaN?power fts具有很強的互補性,。GaN EiceDRIVER?系列的主要優(yōu)點包括正柵和負柵驅(qū)動電流，在非相位時能將柵電壓牢牢地保持在零,，以及集成的電流隔離,。
Navitas
集成電路是集成了GaN功率場效應(yīng)晶體管,、門驅(qū)動器和邏輯的單片GaN芯片。Navitas提供GaN電源集成解決方案,，將完整的電路集成在一個模具中,，在尺寸、開關(guān)速度,、效率和易于集成方面具有顯著的優(yōu)勢,。NV6113、NV6115和NV6117是單開關(guān)設(shè)備,，可用于buck,、boost、半橋和全橋等拓撲,。NVE031E是NV6115的電源演示板,。
德州儀器公司
TI提供GaN驅(qū)動器和集成的GaN電源級設(shè)備。驅(qū)動程序為設(shè)計人員提供了選擇GaN輸出FET的靈活性,，以滿足特定要求,。集成功率級器件可將寄生電感降至最低，從而提高開關(guān)性能,，減少電路板空間,。
TI的GaN驅(qū)動程序包括LMG1205、LMG1210,、LMG1020和LM5113-Q1,。LMG1205的設(shè)計是在同步降壓、升壓或半橋結(jié)構(gòu)下驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)增強模式GaN FETs,。LMG1210具有與LMG1205相同功能,，但提供了優(yōu)越的開關(guān)性能、電阻可配置的死區(qū)時間以及用于更廣泛VDD范圍的內(nèi)部LDO,。LMG12xx評估板包括LMG1205HBEVM和LMG1210EVM-012,。LMG1020是一個單一低側(cè)驅(qū)動程序，用于在高速應(yīng)用中驅(qū)動GaN和邏輯級MOSFET上,。LM5113-Q1用于驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)增強模式GaN FET或硅MOSFET同步降壓,、升壓或半橋結(jié)構(gòu)的汽車應(yīng)用，并符合EC-Q100,，它的評估版是LM5113LLPEVB,。
TI的集成電源級設(shè)備包括LMG3411和LM5200。LMG3411集成了600伏GaN場效應(yīng)管,、驅(qū)動器和保護電路,，它的評估板是lmg3411ev -029。LMG5200集成了兩個80伏GaN場效應(yīng)管,，由一個高頻驅(qū)動器驅(qū)動,，采用半橋結(jié)構(gòu),。
Transphorm
最后，Transphorm提供的GaN電源開關(guān),，其基礎(chǔ)是一個正常關(guān)閉的低電壓硅MOSFET和一個正常打開的高電壓GaN HEMT[1]在Cascode結(jié)構(gòu),。
Transphorm的GaN器件就像帶有低電荷體二極管的超高速場效應(yīng)晶體管。與傳統(tǒng)硅相比,，具有較短的恢復(fù)時間等優(yōu)點,。開關(guān)提供非常快的上升與上升時間<10 ns,?？梢杂迷?50伏和900伏的設(shè)備上。
增強型GaN HEMT可在低,、中壓范圍(高達200V)使用,，很快就可以達到更高電壓(600V)。然而,，就當今的技術(shù)而言,，由于面臨閘極驅(qū)動設(shè)計挑戰(zhàn)，所以必須平衡增強型元件的便利性,、性能和穩(wěn)定性,，增強型GaN HEMT的臨界值電壓較低，而且可以完全導(dǎo)通的增強型VGS和絕對最大額定值的VGS通常只差1V,。鑒于GaN HEMT的開關(guān)速度極快,，促使從漏極耦合到閘極的C dv/dt造成閘極驅(qū)動電路很容易受到「閘極反彈」電壓的影響。盡管如此,，增強型GaN HEMT仍然具有誘人優(yōu)勢，并且將來的產(chǎn)品設(shè)計毫無疑問會越來越好,。
[1] 基本的GaN構(gòu)建模組就是高電子遷移率電晶體(HEMT),，它由一塊基板上生長的各種GaN層構(gòu)成。HEMT基本上是一種超高速,、常開元件,，像通過施加負閘偏壓即可關(guān)閉的電阻。