氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)?；纳a(chǎn)能力,，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢論壇上,，這個主題受到國內(nèi)媒體的集體“圍觀”,。富士通電子元器件高級市場經(jīng)理蔡振宇（Eric）的“氮化鎵產(chǎn)品主要的應(yīng)用場景和未來的趨勢”主題分享，將富士通電子旗下代理產(chǎn)品線Transphorm公司獨特GaN技術(shù)和產(chǎn)品方案第一次帶到中國媒體面前,，采用創(chuàng)新的Cascode結(jié)構(gòu)的HEMT高壓產(chǎn)品讓Transphorm在氮化鎵功率表技術(shù)領(lǐng)域劍走偏鋒,，成為該陣營的領(lǐng)頭羊。
富士通電子元器件高級市場經(jīng)理蔡振宇（Eric）主題演講中
高壓GaN技術(shù)的領(lǐng)頭羊是如何煉成的,？
最近一年多以來,，一個中國工程師和媒體社群極少聽到的品牌——美國Transphorm公司——以一種“穩(wěn)秘模式”異軍突起，已成為電子能源轉(zhuǎn)換行業(yè)開發(fā)與供應(yīng)GaN解決方案業(yè)務(wù)的國際公認領(lǐng)導(dǎo)廠商,。據(jù)Eric介紹,，基于知名投資公司的資金支持(其中包括富士通、谷歌風(fēng)投,、索羅斯基金管理公司以及量子戰(zhàn)略合作伙伴資助等),，Transphorm成為了一家快速成長的公司，尤其是在高壓GaN解決方案方面是國際公認的領(lǐng)導(dǎo)者,，Transphorm致力實現(xiàn)高效且緊湊的電源轉(zhuǎn)換,。
“事實上，Transphorm已經(jīng)是GaN技術(shù)的行業(yè)‘老兵’,?！盓ric指出，“Transphorm創(chuàng)始人與核心工程團隊在電源和GaN半導(dǎo)體方面,，有超過20年的直接經(jīng)驗和領(lǐng)先地位,。”據(jù)悉,，自1994年以來,，Transphorm的團隊已經(jīng)率先推出了最早的GaN晶體管的開發(fā)，幾經(jīng)合并后的團隊帶來了卓越的垂直整合經(jīng)驗,，其中包括GaN材料和器件,、制造與測試、可靠性和應(yīng)用工程,，以及制造和電力行業(yè)知識,。“這種垂直專業(yè)技術(shù)保證了能夠以最快的速度響應(yīng)客戶的需求，并且確保了重要的知識產(chǎn)權(quán)地位,，同時還提供符合客戶的要求專用電源解決方案,。”Eric表示,。
Transphorm公司的GaN專業(yè)知識和垂直整合使其能夠快速開發(fā)出高性能,、可靠并且強勁的產(chǎn)品。Transphorm是重要戰(zhàn)略性知識產(chǎn)權(quán)的初創(chuàng)者,，擁有超過400項國際專利,，包括收購富士通的功率GaN設(shè)計、開發(fā)和知識產(chǎn)權(quán)資產(chǎn),。Transphorm的專利實現(xiàn)了成功將GaN商業(yè)化的方方面面,，包括材料生長、器件結(jié)構(gòu),、器件制造方法、電路的應(yīng)用,、架構(gòu)和封裝等,。
結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，HEMT改善的不僅僅是效率
據(jù)Eric介紹,，Transphorm HEMT 氮化鎵產(chǎn)品的獨特性源于其獨特的產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu),。從半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)來看，HEMT 氮化鎵產(chǎn)品跟普通MOSFET不一樣,，電流是橫向流,，它是在硅的襯底上面長出氮化鎵，它是S極垂直往上的,，上面是S極流到D極,，與傳統(tǒng)的MOS管流動不一樣。
HEMT器件獨特的Cascode結(jié)構(gòu)剖析
目前所有的產(chǎn)品在技術(shù)和研發(fā)上有兩個方向,，一個是上電的管子是關(guān)著的,，還有一種是上電以后管子是打開的?；旧锨懊娴漠a(chǎn)品是沒有辦法用的,，因為一上電管子就關(guān)了?！坝杏焉淘诘谝粋€管子上面人為地做成Normally off（常關(guān)）,。但隨著時間的推移，原來5伏可以打開,，慢慢時間久了可能6伏才能打開,。”Eric指出，“對這個問題,，Transphorm給出了解決辦法——通過增加一個低壓MOS管,，這個結(jié)構(gòu)就是前面提到的Cascode結(jié)構(gòu)，用常開的產(chǎn)品實現(xiàn)常閉產(chǎn)品一樣的性能,?！?/p>
據(jù)Eric解釋，此結(jié)構(gòu)的優(yōu)點首先是它的閾值非常穩(wěn)定地設(shè)定在2V,，即給5伏就可以完全打開,，一旦到0V會完全關(guān)閉。而且這個結(jié)構(gòu)還帶來另一個優(yōu)勢：氮化鎵的驅(qū)動和現(xiàn)在的硅基是兼容的,，可以無縫地連接到氮化鎵的功率器件上,，沒有必要改成新的結(jié)構(gòu)。這為工程師設(shè)計會帶來一些便利,，GaN橫向結(jié)構(gòu)沒有寄生二極管更小的反向恢復(fù)損耗和器件高可靠性,，
GaN是常開器件Vgs為負壓時關(guān)斷，實際上Transphorm在GaN上串聯(lián)一個30V的Si MOS解決0V關(guān)斷5V導(dǎo)通的問題,。
HEMT結(jié)構(gòu)的氮化鎵產(chǎn)品確實有很多獨特的優(yōu)勢,，但到底好到什么程度呢？能不能對其與主要的競爭產(chǎn)品進行特性對比,？Eric給出了一組數(shù)據(jù)——Transphorm找了一個市場上比較流行的某友商的產(chǎn)品進行了關(guān)鍵參數(shù)對比：該廠商的正向?qū)ㄋ璧臇艠O電荷是44,，而Transphorm是6.2，約七分之一,；友商產(chǎn)品的QRR一般是5300,，Transphorm是54，只約為其1%,。
幾個關(guān)鍵數(shù)據(jù)的對比,，HEMT GaN技術(shù)特性優(yōu)勢明顯
創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)設(shè)計讓HEMT GaN功率器件可以在極高的dv / dt（>100 V / NS）條件下進行開關(guān)，同時具有低振鈴和小反向恢復(fù),。清潔和快速過渡大大降低開關(guān)損耗,，從而提高了高頻應(yīng)用中的效率，通過使用較小的磁性元件,，可實現(xiàn)更高的功率密度,。尤其是Transphorm公司600V的GaN功率晶體管的推出，使得之前不切實際的非常規(guī)電路能夠得以實現(xiàn),。此外,，來自這些高性能GaN-on-Si HEMT的同步低導(dǎo)通電阻和低反向恢復(fù)電荷，具有低共模EMI的出色特性,，這種基于GaN的PFC具有最小數(shù)字的快速功率器件,，并且為主電流提供最小阻抗的路徑,，可以實現(xiàn)從230Vac到400Vdc電源變換達到99％的效率。
現(xiàn)場展示的基于HEMT器件的電源模塊方案與業(yè)界競爭解決方案的對比
在演講現(xiàn)場,，富士通電子展示了兩款基于HEMT器件的電源模塊方案,。“我們的PFC+LLC電源與類似的競爭方案相比,，電路板尺寸可以縮減45%,，在滿載和10%的負載下，我們可以分別提高1.7%和3%的效率,。對于很多效率要求苛刻的應(yīng)用來說,，這是一個非常大的提升?！盓ric指出,。
嚴(yán)格的JEDEC認證保證創(chuàng)新結(jié)構(gòu)安全性
“盡管性能參數(shù)很不錯，但作為系統(tǒng)的‘心臟’,，電源模塊的設(shè)計工程師通常還是很謹(jǐn)慎的,，到底怎么保證你這個結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品可靠性呢？”在聽完Eric的介紹后,，現(xiàn)場與會工程師對HEMT氮化鎵產(chǎn)品的性能產(chǎn)生了極高的關(guān)注,，但也有部分人提出類似的顧慮?！斑@確實是個很重要的問題，但工程師可以非常放心選擇HEMT功率解決方案,，我們600V的氮化鎵產(chǎn)品是第一個也是目前唯一一個通過JEDEC業(yè)界認證的氮化鎵產(chǎn)品,。”Eric介紹道,。
獨特的性能優(yōu)勢,、更小的電路板尺寸受到與會者的關(guān)注
據(jù)Eric介紹，要通過這個認證,，需要通過一系列的嚴(yán)格測試,，比如高、低溫測試,、高濕測試,。每個測試項要經(jīng)過77個產(chǎn)品的檢測，放在三個不同的地方做這些不同的測試,，而且必須是全部231顆芯片完全沒有問題才能通過該認證,。“可靠性是電源工程師非常重要的指標(biāo),。我們做了那么多實驗都完全沒有問題,，所以我們產(chǎn)品的可靠性也獲得了全球客戶的信賴,。”Eric對現(xiàn)場工程師和媒體表示,。
事實上,，Transphorm已經(jīng)實施了美國最先進的質(zhì)量管理體系，并通過了ISO 9001：2008認證,，所有產(chǎn)品均符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn) JESD47,。作為唯一一家通過JEDEC認證的氮化鎵產(chǎn)品，Transphorm展示了高電壓GaN功率器件固有的生命周期性能,，電場和溫度加速測試已經(jīng)證明了在600V（HVOS測試超過1,000伏,，150°C）條件下超過1,000萬個小時的續(xù)航時間，以及在200°C的結(jié)溫條件下,，超過1,000萬小時的壽命,。
兼顧高壓與低壓，技術(shù)創(chuàng)新進行時
Transphorm依據(jù)基本發(fā)展路線圖進行開發(fā),，首先是合格的600 V器件和1000V器件,。Transphorm的研究和開發(fā)還在繼續(xù)，現(xiàn)在推出了600V的擴展系列,，采用更低的R（ON）設(shè)備和高功率封裝（含模塊）,，然后是繼150V器件之后的1200 V器件。據(jù)Eric透露,，今年會推出900V和1200V的產(chǎn)品,，低壓方面會提供150V的產(chǎn)品。據(jù)悉,，未來Transphorm還將推出代替Cascode的E-Mode創(chuàng)新結(jié)構(gòu)技術(shù),，將會把當(dāng)前結(jié)構(gòu)中存在的不利因素解決掉，實現(xiàn)更卓越的功率器件性能,。將提供更大功率的產(chǎn)品,，從2014年推出第一顆TO240，電流從30,、40,，逐步往60、70,、80的方向發(fā)展,。