文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.190409
中文引用格式: 施依琳,,楊素英,,高亞臣. 基于二硫化碳的超材料太赫茲透射特性調(diào)控[J].電子技術(shù)應(yīng)用,,2019,45(7):23-26,,31.
英文引用格式: Shi Yilin,,Yang Suying,Gao Yachen. Regulation of the transmission characteristics of terahertz metamaterials based on CS2[J]. Application of Electronic Technique,,2019,,45(7):23-26,31.
0 引言
太赫茲(Terahertz,,THz)波是介于毫米波與紅外光之間的電磁波,,其頻率范圍為100 GHz~10 THz[1]。太赫茲技術(shù)在生物分子識(shí)別[2],、醫(yī)療領(lǐng)域的成像與識(shí)別[3-9],、天文學(xué)探測傳感器[10]和顯微鏡技術(shù)[11-12]等領(lǐng)域中具有潛在的應(yīng)用,,引起了人們廣泛的關(guān)注。隨著太赫茲技術(shù)發(fā)展,,設(shè)計(jì)和制作太赫茲波段的調(diào)控器件變得非常迫切,。由于自然材料對(duì)太赫茲波段缺乏適當(dāng)?shù)捻憫?yīng),人們把目光轉(zhuǎn)移到了人工設(shè)計(jì)的超構(gòu)材料的研發(fā)當(dāng)中[13],。超構(gòu)材料又稱超材料,,最先由WALSER A R M等人[14]提出,指人工制造的亞波長周期結(jié)構(gòu)材料,,一般是由亞波長周期金屬結(jié)構(gòu)組成的,。與一般的天然材料相比,它能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)的折射率[15],、逆多普勒效應(yīng)和逆切倫科夫輻射[16]等特殊的電磁現(xiàn)象,。在過去十多年中,太赫茲波段超材料引起了人們極大的興趣[17-34],。2008 年,,TAO H等人[17]利用表面微加工技術(shù)在半絕緣GaAs基片上制備了“雙開口SRRs-介質(zhì)層 金屬線”結(jié)構(gòu),其在共振頻率1.3 THz處對(duì)入射波的吸收率達(dá)到了70%,。2009年,,OLIVER P等人[18]設(shè)計(jì)并制作了兩種基于超材料的太赫茲濾波器,分別為線板結(jié)構(gòu)和十字槽結(jié)構(gòu),,通過激發(fā)低損的“誘捕?!保沟脗鬏斖◣У耐干渎食^80%,,阻帶的透射得到明顯抑制,。同年,WEIS P等人[19]利用制備在BCB板上的“斷續(xù)線對(duì)”銅制金屬周期結(jié)構(gòu),,設(shè)計(jì)并制作出高透射率的λ/4和λ/2波片,,透射波強(qiáng)度分別超過74%和58%。2013年,,Li Jiusheng等人[20]設(shè)計(jì)并制備了雙耳異向單頻帶太赫茲吸波材料,,其在0.573 THz處吸收率達(dá)到了99.6%。以上提到的器件都屬于被動(dòng)調(diào)控器件,,一旦結(jié)構(gòu)確定,,其對(duì)太赫茲波的響應(yīng)也就相應(yīng)確定了,。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲波段超材料的動(dòng)態(tài)調(diào)控,,人們引入了溫度場[21-22]、電場[23-24],、磁場[25],、機(jī)械場[26-27],、光場[28-33],提出了各種結(jié)構(gòu)的可調(diào)控的超材料,。
與其他調(diào)控方式相比,,光場的調(diào)控方式具有時(shí)間響應(yīng)快、操作簡單的特點(diǎn),,是研究最多的調(diào)控方式,。2005年,德國的Kurz研究組[28]首次研究了基于太赫茲超材料的全光調(diào)制器,,他們利用半導(dǎo)體隨泵浦光功率不同而趨膚深度不同的特性,,通過改變泵浦光功率從0 mW~200 mW,實(shí)現(xiàn)了對(duì)太赫茲超材料諧振峰的調(diào)節(jié),。2006年,,PADILLA W J等人[29]在高阻砷化鎵襯底材料上加工了開口諧振環(huán),通過實(shí)驗(yàn)首次證實(shí)利用光激發(fā)半導(dǎo)體基底中的載流子,,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲超材料的電響應(yīng)的動(dòng)態(tài)調(diào)控,。2007年,F(xiàn)EKETE L等人[30]提出了基于一維光子晶體的太赫茲調(diào)制器,,通過激光作用GaAs層引起光子帶隙的移動(dòng)來實(shí)現(xiàn)太赫茲波透射調(diào)制,,其調(diào)制深度達(dá)到了50%,。2008年,,CHEN H T等人[31]將金屬微帶結(jié)構(gòu)刻在半導(dǎo)體硅基片上,利用光調(diào)控改變電導(dǎo)率的大小來改變電容器的有效尺寸,,在共振頻率處對(duì)透射率的控制幅度達(dá)到了20%,。2011年,SHEN N H等人[32]在亞波長金屬諧振器中加入硅材料,,通過光調(diào)控使共振頻率在0.76~0.96 THz范圍內(nèi)變化,,頻移幅度達(dá)到了26%。2012年,,WEIS P等人[33]利用功率為0~500 mW的激光調(diào)諧石墨烯/高阻硅復(fù)合結(jié)構(gòu),,太赫茲調(diào)制深度達(dá)到了99%。
現(xiàn)在報(bào)道的光控超材料大多都是通過改變控制光的能量,,使半導(dǎo)體材料中載流子的濃度改變,,引起超材料諧振頻率變化,,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)亞波長金屬結(jié)構(gòu)太赫茲波的動(dòng)態(tài)調(diào)控,。半導(dǎo)體材料載流子的復(fù)合壽命一般為納秒量級(jí)[34],這限制了基于半導(dǎo)體的超材料光調(diào)控的響應(yīng)速度,,且調(diào)控效果對(duì)半導(dǎo)體形狀大小的依賴非常明顯,。CS2是一種簡單的液體材料,具有較大的光學(xué)非線性,,經(jīng)常被用作參考樣品來校準(zhǔn)其他材料的三階非線性光學(xué)性質(zhì),。相比較半導(dǎo)體材料而言,它的響應(yīng)時(shí)間只有1.68 ps[35],,且調(diào)控效果不依賴其大小形狀,,加工方便。
由此,,本文提出一種基于CS2的對(duì)太赫茲波段超材料光調(diào)控的辦法,。
1 結(jié)構(gòu)與仿真
亞波長金屬塊陣列是典型的超材料結(jié)構(gòu),國內(nèi)外的研究小組對(duì)此結(jié)構(gòu)進(jìn)行了廣泛研究[36-39],。2018年,,JING W等人[36]在亞波長金屬塊陣列結(jié)構(gòu)中引入了液晶材料,,制備了具有大調(diào)制深度和低插入損耗的電可調(diào)太赫茲調(diào)制器。本文以他們提出的亞波長金屬塊陣列結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),,研究利用CS2實(shí)現(xiàn)對(duì)其太赫茲波透射的光調(diào)控,。
JING W等人[36]研究過的金屬塊陣列結(jié)構(gòu)如圖1所示。金屬塊單元長為L=90 μm,,寬為W=40 μm,金屬塊長為X=55 μm,,寬為Y=8 μm,,厚度為d=0.1 μm,。本文采用SiO2材料為基底,。在太赫茲波段,金屬介電常數(shù)的虛部非常大,因此金屬可看作理想的電導(dǎo)體材料,。
如圖2所示,,為了實(shí)現(xiàn)材料的太赫茲透射特性的光調(diào)控,選用CS2作為調(diào)控介質(zhì),,將亞波長周期金屬塊陣列結(jié)構(gòu)浸沒在CS2中,。頻率為1~3.5 THz的太赫茲信號(hào)光經(jīng)透鏡聚焦后入射到金屬塊陣列上,陣列位于太赫茲波焦點(diǎn)處,。同時(shí)采用波長為800 nm的飛秒激光[40]經(jīng)透鏡反射到陣列結(jié)構(gòu)上作為控制光,,且控制光光斑覆蓋太赫茲光斑。在0~2 MW/μm2范圍內(nèi)改變控制光的強(qiáng)度,,從而調(diào)節(jié)CS2的折射率,,實(shí)現(xiàn)對(duì)其太赫茲波透射的光調(diào)控,。
2 仿真結(jié)果與討論
CS2是一種典型的具有較大非線性折射率的材料,其折射率可以表示為[41]:
其中,,n0為線性折射率,,取n0=1.627 6;γ為非線性折射率系數(shù),,取γ=2.1×10-7 μm2/W[42-43],;I為光的強(qiáng)度。圖3為CS2折射率與光強(qiáng)的關(guān)系,。
由圖3可以看出,,隨著光強(qiáng)度的增大,CS2的折射率線性增加,。本文中選取控制光強(qiáng)度分別為0、0.476,、0.952,、1.428、1.904(MW/μm2),,CS2的折射率相應(yīng)增加為1.73,、1.83、1.93,、2.03,。利用FDTD solution軟件進(jìn)行仿真計(jì)算了不同控制光強(qiáng)度下太赫茲信號(hào)的透射光譜。
依照文獻(xiàn)[36],,設(shè)置金屬塊陣列結(jié)構(gòu)基底折射率為n1=1,,覆蓋金屬塊的介質(zhì)的折射率設(shè)置為n2=1.5,。仿真得到的透射譜如圖4中的曲線1所示,。由圖4看出,透射譜有兩個(gè)波谷一個(gè)波峰,。其中,,波谷1在2.3 THz處,波谷2在3.2 THz處,,波峰在3.1 THz處,,此結(jié)果與文獻(xiàn)[36]的結(jié)果完全一致。
在本文提出的方案中,,基底為SiO2,,控制介質(zhì)為CS2,改變控制光功率分別為0,、0.476,、0.952,、1.428、1.904 (MW/μm2),。不同控制光功率下信號(hào)光的透射頻譜如圖4所示,。當(dāng)控制光的功率為0時(shí),得到的透射譜如圖4中的曲線2所示,,波谷1移動(dòng)至1.88 THz處,,波谷2移動(dòng)至2.90 THz處,波峰移動(dòng)至2.85 THz處,。相比于文獻(xiàn)[36]給出的透射譜,,波谷和波峰都發(fā)生了紅移現(xiàn)象,這種改變是由于基底與覆蓋金屬塊介質(zhì)折射率變化引起的,,本文對(duì)這種變化不予考慮,。當(dāng)控制光功率密度增大為0.476 MW/μm2時(shí),得到的透射譜如圖4中的曲線3所示,,波谷1出現(xiàn)在1.82 THz處,,波谷2出現(xiàn)在2.85 THz處,波峰出現(xiàn)在2.80 THz處,。當(dāng)控制光的功率增加至0.952 MW/μm2時(shí),,得到的透射譜如圖4中的曲線4所示,波谷1出現(xiàn)在1.76 THz處,,波谷2出現(xiàn)在2.80 THz處,,波峰出現(xiàn)在2.74 THz處。當(dāng)控制光的功率增加至1.428 MW/μm2時(shí),,得到的透射譜如圖4中的曲線5所示,,波谷1出現(xiàn)在1.70 THz處,波谷2出現(xiàn)在2.76 THz處,,波峰出現(xiàn)在2.69 THz處,。當(dāng)控制光的功率增加至1.904 MW/μm2時(shí),得到的透射譜如圖4中的曲線6所示,,波谷1出現(xiàn)在1.65 THz處,,波谷2出現(xiàn)在2.72 THz處,波峰出現(xiàn)在2.64 THz處,??梢钥闯觯由峡刂乒夂?,波谷1,、波谷2和波峰都發(fā)生了紅移,并且隨著控制光功率的增加,紅移增加,,具體的改變情況如圖5所示,。
由圖5可以發(fā)現(xiàn),波谷1,、波谷2和波峰的頻率隨控制光功率增大發(fā)生紅移,兩者呈線性關(guān)系,。定義單位光強(qiáng)改變?chǔ)引起的波谷或者波峰的頻率改變?chǔ)為調(diào)控靈敏度K,即:
調(diào)控靈敏度K越大說明調(diào)控光對(duì)波谷或者波峰的調(diào)控越顯著,。其中波谷1的調(diào)控靈敏度為0.10 THz/(MW/μm2),,波谷2的調(diào)控靈敏度為0.12 THz/(MW/μm2),波峰的調(diào)控靈敏度為0.12 THz/(MW/μm2),。該仿真結(jié)果表明,,波谷波峰的頻率受到基于CS2的光調(diào)控。
在文獻(xiàn)[36]的透射譜中,,2.3 THz波谷1處出現(xiàn)的共振是對(duì)稱的天線共振[44],,電場強(qiáng)烈局域化分布,品質(zhì)因數(shù)Q=2.7,,簡稱為低Q共振,。3.2 THz波谷2處出現(xiàn)的共振是不對(duì)稱的Fano共振,對(duì)應(yīng)于表面波模式,,由電偶極子相互作用產(chǎn)生,,品質(zhì)因數(shù)Q=53,簡稱為高Q共振,。低Q共振和高Q共振的共振波長都與金屬塊結(jié)構(gòu)的周期大小L,、基底的折射率n1、覆蓋金屬塊的介質(zhì)的折射率n2有關(guān),,可以用式(3)對(duì)這兩處共振發(fā)生的位置進(jìn)行描述,。
其中,neff為結(jié)構(gòu)有效折射率,,它取決于n1和n2的大?。籐為結(jié)構(gòu)的周期,,和原文獻(xiàn)相同,,采用L=90 μm;λ為材料的共振波長,。由式(3)可以得知在周期長度確定的情況下,超材料的共振波長將主要由周圍介質(zhì)的有效折射率來確定,。
對(duì)于低Q共振而言,,這里的neff更接近于覆蓋金屬塊的介質(zhì)的折射率n2。隨著光功率逐漸增大,,CS2的折射率隨之增大,,引起有效折射率neff增大,,因此天線共振的位置紅移。對(duì)于高Q共振而言,,由于基底的更換以及覆蓋介質(zhì)n2的改變,,這里的有效折射率neff將不滿足于原文獻(xiàn)中所描述的更加靠近基底折射率n1的關(guān)系。但可以確定的是,,隨著光功率增大使得CS2的折射率增大的同時(shí),,neff也相應(yīng)增大,從而引起Fano共振的位置紅移,。
3 結(jié)論
本文研究了利用CS2的光克爾效應(yīng)實(shí)現(xiàn)對(duì)亞波長周期金屬塊陣列結(jié)構(gòu)太赫茲透射特性的調(diào)控,。考慮到覆蓋的CS2層厚度極薄,,引起出射光的插入損耗,、相位的變化很小,可以忽略不計(jì),,因此在本文中只探究CS2對(duì)透射譜諧振點(diǎn)位置的調(diào)控,。研究結(jié)果表明,波谷1的調(diào)控靈敏度達(dá)到0.10 THz/(MW/μm2),,波谷2的調(diào)控靈敏度達(dá)到0.12 THz/(MW/μm2),,波峰的調(diào)控靈敏度達(dá)到0.12 THz/(MW/μm2)。
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作者信息:
施依琳1,,楊素英2,高亞臣1
(1.黑龍江大學(xué) 電子工程學(xué)院,,黑龍江 哈爾濱150080,;2.朝陽市衛(wèi)生學(xué)校 物理組,遼寧 朝陽122000)