《電子技術(shù)應(yīng)用》
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基于二硫化碳的超材料太赫茲透射特性調(diào)控
2019年電子技術(shù)應(yīng)用第7期
施依琳1,,楊素英2,高亞臣1
1.黑龍江大學(xué) 電子工程學(xué)院,,黑龍江 哈爾濱150080,;2.朝陽市衛(wèi)生學(xué)校 物理組,,遼寧 朝陽122000
摘要: 目前,光控太赫茲波超材料主要是利用激光改變半導(dǎo)體材料的載流子濃度來實(shí)現(xiàn)的,。半導(dǎo)體材料的復(fù)合壽命一般為納秒量級(jí),,因此調(diào)控時(shí)間受到了限制。與半導(dǎo)體材料相比,,二硫化碳(CS2)的光響應(yīng)速度很快,,只有1.68 ps,并且也具有較大的光學(xué)非線性,。以亞波長周期金屬塊陣列結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),,提出了利用CS2來實(shí)現(xiàn)超材料太赫茲透射調(diào)控的方案。具體利用時(shí)域有限差分法(FDTD)研究了該結(jié)構(gòu)的太赫茲波透射調(diào)控,。
中圖分類號(hào): TN761
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.190409
中文引用格式: 施依琳,,楊素英,,高亞臣. 基于二硫化碳的超材料太赫茲透射特性調(diào)控[J].電子技術(shù)應(yīng)用,,2019,45(7):23-26,,31.
英文引用格式: Shi Yilin,,Yang Suying,Gao Yachen. Regulation of the transmission characteristics of terahertz metamaterials based on CS2[J]. Application of Electronic Technique,,2019,,45(7):23-26,31.
Regulation of the transmission characteristics of terahertz metamaterials based on CS2
Shi Yilin1,,Yang Suying2,,Gao Yachen1
1.College of Electronic Engineering,Heilongjiang University,,Harbin 150080,,China; 2.Physics Group,,Chaoyang Medical School,,Chaoyang 122000,China
Abstract: At present, optically controlled terahertz band metamaterials are mainly realized by changing the carrier concentration of semiconductor materials with laser. The composite lifetime of semiconductor materials is generally in nanosecond order, which limits the controlling time. Compared with semiconductor materials, CS2 has a fast light response time of about 1.68 ps and large optical nonlinearity. Based on the structure of sub-wavelength periodic metal block arrays, a strategy to adjust terahertz transmission of metamaterials using CS2 is proposed. Specifically, the control of terahertz wave transmission in this structure is studied by finite difference time domain(FDTD).
Key words : tunable metamaterials,;terahertz transmission,;CS2;finite difference time domain method

0 引言

    太赫茲(Terahertz,,THz)波是介于毫米波與紅外光之間的電磁波,,其頻率范圍為100 GHz~10 THz[1]。太赫茲技術(shù)在生物分子識(shí)別[2],、醫(yī)療領(lǐng)域的成像與識(shí)別[3-9],、天文學(xué)探測傳感器[10]和顯微鏡技術(shù)[11-12]等領(lǐng)域中具有潛在的應(yīng)用,,引起了人們廣泛的關(guān)注。隨著太赫茲技術(shù)發(fā)展,,設(shè)計(jì)和制作太赫茲波段的調(diào)控器件變得非常迫切,。由于自然材料對(duì)太赫茲波段缺乏適當(dāng)?shù)捻憫?yīng),人們把目光轉(zhuǎn)移到了人工設(shè)計(jì)的超構(gòu)材料的研發(fā)當(dāng)中[13],。超構(gòu)材料又稱超材料,,最先由WALSER A R M等人[14]提出,指人工制造的亞波長周期結(jié)構(gòu)材料,,一般是由亞波長周期金屬結(jié)構(gòu)組成的,。與一般的天然材料相比,它能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)的折射率[15],、逆多普勒效應(yīng)和逆切倫科夫輻射[16]等特殊的電磁現(xiàn)象,。在過去十多年中,太赫茲波段超材料引起了人們極大的興趣[17-34],。2008 年,,TAO H等人[17]利用表面微加工技術(shù)在半絕緣GaAs基片上制備了“雙開口SRRs-介質(zhì)層 金屬線”結(jié)構(gòu),其在共振頻率1.3 THz處對(duì)入射波的吸收率達(dá)到了70%,。2009年,,OLIVER P等人[18]設(shè)計(jì)并制作了兩種基于超材料的太赫茲濾波器,分別為線板結(jié)構(gòu)和十字槽結(jié)構(gòu),,通過激發(fā)低損的“誘捕?!保沟脗鬏斖◣У耐干渎食^80%,,阻帶的透射得到明顯抑制,。同年,WEIS P等人[19]利用制備在BCB板上的“斷續(xù)線對(duì)”銅制金屬周期結(jié)構(gòu),,設(shè)計(jì)并制作出高透射率的λ/4和λ/2波片,,透射波強(qiáng)度分別超過74%和58%。2013年,,Li Jiusheng等人[20]設(shè)計(jì)并制備了雙耳異向單頻帶太赫茲吸波材料,,其在0.573 THz處吸收率達(dá)到了99.6%。以上提到的器件都屬于被動(dòng)調(diào)控器件,,一旦結(jié)構(gòu)確定,,其對(duì)太赫茲波的響應(yīng)也就相應(yīng)確定了,。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲波段超材料的動(dòng)態(tài)調(diào)控,,人們引入了溫度場[21-22]、電場[23-24],、磁場[25],、機(jī)械場[26-27],、光場[28-33],提出了各種結(jié)構(gòu)的可調(diào)控的超材料,。

    與其他調(diào)控方式相比,,光場的調(diào)控方式具有時(shí)間響應(yīng)快、操作簡單的特點(diǎn),,是研究最多的調(diào)控方式,。2005年,德國的Kurz研究組[28]首次研究了基于太赫茲超材料的全光調(diào)制器,,他們利用半導(dǎo)體隨泵浦光功率不同而趨膚深度不同的特性,,通過改變泵浦光功率從0 mW~200 mW,實(shí)現(xiàn)了對(duì)太赫茲超材料諧振峰的調(diào)節(jié),。2006年,,PADILLA W J等人[29]在高阻砷化鎵襯底材料上加工了開口諧振環(huán),通過實(shí)驗(yàn)首次證實(shí)利用光激發(fā)半導(dǎo)體基底中的載流子,,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲超材料的電響應(yīng)的動(dòng)態(tài)調(diào)控,。2007年,F(xiàn)EKETE L等人[30]提出了基于一維光子晶體的太赫茲調(diào)制器,,通過激光作用GaAs層引起光子帶隙的移動(dòng)來實(shí)現(xiàn)太赫茲波透射調(diào)制,,其調(diào)制深度達(dá)到了50%,。2008年,,CHEN H T等人[31]將金屬微帶結(jié)構(gòu)刻在半導(dǎo)體硅基片上,利用光調(diào)控改變電導(dǎo)率的大小來改變電容器的有效尺寸,,在共振頻率處對(duì)透射率的控制幅度達(dá)到了20%,。2011年,SHEN N H等人[32]在亞波長金屬諧振器中加入硅材料,,通過光調(diào)控使共振頻率在0.76~0.96 THz范圍內(nèi)變化,,頻移幅度達(dá)到了26%。2012年,,WEIS P等人[33]利用功率為0~500 mW的激光調(diào)諧石墨烯/高阻硅復(fù)合結(jié)構(gòu),,太赫茲調(diào)制深度達(dá)到了99%。

    現(xiàn)在報(bào)道的光控超材料大多都是通過改變控制光的能量,,使半導(dǎo)體材料中載流子的濃度改變,,引起超材料諧振頻率變化,,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)亞波長金屬結(jié)構(gòu)太赫茲波的動(dòng)態(tài)調(diào)控,。半導(dǎo)體材料載流子的復(fù)合壽命一般為納秒量級(jí)[34],這限制了基于半導(dǎo)體的超材料光調(diào)控的響應(yīng)速度,,且調(diào)控效果對(duì)半導(dǎo)體形狀大小的依賴非常明顯,。CS2是一種簡單的液體材料,具有較大的光學(xué)非線性,,經(jīng)常被用作參考樣品來校準(zhǔn)其他材料的三階非線性光學(xué)性質(zhì),。相比較半導(dǎo)體材料而言,它的響應(yīng)時(shí)間只有1.68 ps[35],,且調(diào)控效果不依賴其大小形狀,,加工方便。

由此,,本文提出一種基于CS2的對(duì)太赫茲波段超材料光調(diào)控的辦法,。

1 結(jié)構(gòu)與仿真

    亞波長金屬塊陣列是典型的超材料結(jié)構(gòu),國內(nèi)外的研究小組對(duì)此結(jié)構(gòu)進(jìn)行了廣泛研究[36-39],。2018年,,JING W等人[36]在亞波長金屬塊陣列結(jié)構(gòu)中引入了液晶材料,,制備了具有大調(diào)制深度和低插入損耗的電可調(diào)太赫茲調(diào)制器。本文以他們提出的亞波長金屬塊陣列結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),,研究利用CS2實(shí)現(xiàn)對(duì)其太赫茲波透射的光調(diào)控,。

    JING W等人[36]研究過的金屬塊陣列結(jié)構(gòu)如圖1所示。金屬塊單元長為L=90 μm,,寬為W=40 μm,金屬塊長為X=55 μm,,寬為Y=8 μm,,厚度為d=0.1 μm,。本文采用SiO2材料為基底,。在太赫茲波段,金屬介電常數(shù)的虛部非常大,因此金屬可看作理想的電導(dǎo)體材料,。

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    如圖2所示,,為了實(shí)現(xiàn)材料的太赫茲透射特性的光調(diào)控,選用CS2作為調(diào)控介質(zhì),,將亞波長周期金屬塊陣列結(jié)構(gòu)浸沒在CS2中,。頻率為1~3.5 THz的太赫茲信號(hào)光經(jīng)透鏡聚焦后入射到金屬塊陣列上,陣列位于太赫茲波焦點(diǎn)處,。同時(shí)采用波長為800 nm的飛秒激光[40]經(jīng)透鏡反射到陣列結(jié)構(gòu)上作為控制光,,且控制光光斑覆蓋太赫茲光斑。在0~2 MW/μm2范圍內(nèi)改變控制光的強(qiáng)度,,從而調(diào)節(jié)CS2的折射率,,實(shí)現(xiàn)對(duì)其太赫茲波透射的光調(diào)控,。

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2 仿真結(jié)果與討論

    CS2是一種典型的具有較大非線性折射率的材料,其折射率可以表示為[41]

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其中,,n0為線性折射率,,取n0=1.627 6;γ為非線性折射率系數(shù),,取γ=2.1×10-7 μm2/W[42-43],;I為光的強(qiáng)度。圖3為CS2折射率與光強(qiáng)的關(guān)系,。

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    由圖3可以看出,,隨著光強(qiáng)度的增大,CS2的折射率線性增加,。本文中選取控制光強(qiáng)度分別為0、0.476,、0.952,、1.428、1.904(MW/μm2),,CS2的折射率相應(yīng)增加為1.73,、1.83、1.93,、2.03,。利用FDTD solution軟件進(jìn)行仿真計(jì)算了不同控制光強(qiáng)度下太赫茲信號(hào)的透射光譜。

    依照文獻(xiàn)[36],,設(shè)置金屬塊陣列結(jié)構(gòu)基底折射率為n1=1,,覆蓋金屬塊的介質(zhì)的折射率設(shè)置為n2=1.5,。仿真得到的透射譜如圖4中的曲線1所示,。由圖4看出,透射譜有兩個(gè)波谷一個(gè)波峰,。其中,,波谷1在2.3 THz處,波谷2在3.2 THz處,,波峰在3.1 THz處,,此結(jié)果與文獻(xiàn)[36]的結(jié)果完全一致。

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    在本文提出的方案中,,基底為SiO2,,控制介質(zhì)為CS2,改變控制光功率分別為0,、0.476,、0.952,、1.428、1.904 (MW/μm2),。不同控制光功率下信號(hào)光的透射頻譜如圖4所示,。當(dāng)控制光的功率為0時(shí),得到的透射譜如圖4中的曲線2所示,,波谷1移動(dòng)至1.88 THz處,,波谷2移動(dòng)至2.90 THz處,波峰移動(dòng)至2.85 THz處,。相比于文獻(xiàn)[36]給出的透射譜,,波谷和波峰都發(fā)生了紅移現(xiàn)象,這種改變是由于基底與覆蓋金屬塊介質(zhì)折射率變化引起的,,本文對(duì)這種變化不予考慮,。當(dāng)控制光功率密度增大為0.476 MW/μm2時(shí),得到的透射譜如圖4中的曲線3所示,,波谷1出現(xiàn)在1.82 THz處,,波谷2出現(xiàn)在2.85 THz處,波峰出現(xiàn)在2.80 THz處,。當(dāng)控制光的功率增加至0.952 MW/μm2時(shí),,得到的透射譜如圖4中的曲線4所示,波谷1出現(xiàn)在1.76 THz處,,波谷2出現(xiàn)在2.80 THz處,,波峰出現(xiàn)在2.74 THz處。當(dāng)控制光的功率增加至1.428 MW/μm2時(shí),,得到的透射譜如圖4中的曲線5所示,,波谷1出現(xiàn)在1.70 THz處,波谷2出現(xiàn)在2.76 THz處,,波峰出現(xiàn)在2.69 THz處,。當(dāng)控制光的功率增加至1.904 MW/μm2時(shí),得到的透射譜如圖4中的曲線6所示,,波谷1出現(xiàn)在1.65 THz處,,波谷2出現(xiàn)在2.72 THz處,波峰出現(xiàn)在2.64 THz處,??梢钥闯觯由峡刂乒夂?,波谷1,、波谷2和波峰都發(fā)生了紅移,并且隨著控制光功率的增加,紅移增加,,具體的改變情況如圖5所示,。

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    由圖5可以發(fā)現(xiàn),波谷1,、波谷2和波峰的頻率隨控制光功率增大發(fā)生紅移,兩者呈線性關(guān)系,。定義單位光強(qiáng)改變?chǔ)引起的波谷或者波峰的頻率改變?chǔ)為調(diào)控靈敏度K,即:

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    調(diào)控靈敏度K越大說明調(diào)控光對(duì)波谷或者波峰的調(diào)控越顯著,。其中波谷1的調(diào)控靈敏度為0.10 THz/(MW/μm2),,波谷2的調(diào)控靈敏度為0.12 THz/(MW/μm2),波峰的調(diào)控靈敏度為0.12 THz/(MW/μm2),。該仿真結(jié)果表明,,波谷波峰的頻率受到基于CS2的光調(diào)控。

    在文獻(xiàn)[36]的透射譜中,,2.3 THz波谷1處出現(xiàn)的共振是對(duì)稱的天線共振[44],,電場強(qiáng)烈局域化分布,品質(zhì)因數(shù)Q=2.7,,簡稱為低Q共振,。3.2 THz波谷2處出現(xiàn)的共振是不對(duì)稱的Fano共振,對(duì)應(yīng)于表面波模式,,由電偶極子相互作用產(chǎn)生,,品質(zhì)因數(shù)Q=53,簡稱為高Q共振,。低Q共振和高Q共振的共振波長都與金屬塊結(jié)構(gòu)的周期大小L,、基底的折射率n1、覆蓋金屬塊的介質(zhì)的折射率n2有關(guān),,可以用式(3)對(duì)這兩處共振發(fā)生的位置進(jìn)行描述,。

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其中,neff為結(jié)構(gòu)有效折射率,,它取決于n1和n2的大?。籐為結(jié)構(gòu)的周期,,和原文獻(xiàn)相同,,采用L=90 μm;λ為材料的共振波長,。由式(3)可以得知在周期長度確定的情況下,超材料的共振波長將主要由周圍介質(zhì)的有效折射率來確定,。

    對(duì)于低Q共振而言,,這里的neff更接近于覆蓋金屬塊的介質(zhì)的折射率n2。隨著光功率逐漸增大,,CS2的折射率隨之增大,,引起有效折射率neff增大,,因此天線共振的位置紅移。對(duì)于高Q共振而言,,由于基底的更換以及覆蓋介質(zhì)n2的改變,,這里的有效折射率neff將不滿足于原文獻(xiàn)中所描述的更加靠近基底折射率n1的關(guān)系。但可以確定的是,,隨著光功率增大使得CS2的折射率增大的同時(shí),,neff也相應(yīng)增大,從而引起Fano共振的位置紅移,。

3 結(jié)論

    本文研究了利用CS2的光克爾效應(yīng)實(shí)現(xiàn)對(duì)亞波長周期金屬塊陣列結(jié)構(gòu)太赫茲透射特性的調(diào)控,。考慮到覆蓋的CS2層厚度極薄,,引起出射光的插入損耗,、相位的變化很小,可以忽略不計(jì),,因此在本文中只探究CS2對(duì)透射譜諧振點(diǎn)位置的調(diào)控,。研究結(jié)果表明,波谷1的調(diào)控靈敏度達(dá)到0.10 THz/(MW/μm2),,波谷2的調(diào)控靈敏度達(dá)到0.12 THz/(MW/μm2),,波峰的調(diào)控靈敏度達(dá)到0.12 THz/(MW/μm2)。

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作者信息:

施依琳1,,楊素英2,高亞臣1

(1.黑龍江大學(xué) 電子工程學(xué)院,,黑龍江 哈爾濱150080,;2.朝陽市衛(wèi)生學(xué)校 物理組,遼寧 朝陽122000)

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