英飛凌OptiMOS? 3和5同類最佳(BiC)功率MOSFET采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝,，與先前型號相比,，具有更高的功率密度和穩(wěn)健性，從而降低系統(tǒng)成本和提升整體性能,?？蛻艨梢栽L問儒卓力電子商務(wù)平臺www.rutronik24.com.cn了解有關(guān)OptiMOS? BiC功率MOSFET產(chǎn)品信息。

　　由于具有最低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),，這些BiC MOSFET能夠以良好的性價比降低損耗,。此外，通管殼(Junction to Case (RthJC)) 的較低熱阻提供了出色的散熱性能,，從而帶來更低的滿載運作溫度,。較低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)通過顯著減小電壓過沖來提高系統(tǒng)可靠性，從而最大限度地減少對緩沖電路的需求,，同時也減少了工程成本和工作量,。

　　這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°，有助于實現(xiàn)在更高的工作結(jié)溫下具有更高功率,，或者在相同的工作結(jié)溫下具有更長使用壽命的設(shè)計,。此外，隨著額定溫度的增加,，安全工作區(qū)域(SAO)亦改善了20%,。

　　這些BiC MOSFET具有出色的性能數(shù)據(jù)，非常適合電信,、服務(wù)器,、三相逆變器、低壓驅(qū)動器以及D類音頻等應(yīng)用,。英飛凌OptiMOS? BiC功率MOSFET產(chǎn)品系列包括60V至250V型款,。

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