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剩下的機(jī)會(huì)不多了,,SiC產(chǎn)業(yè)窗口期正在關(guān)閉

2019-07-25
關(guān)鍵詞: 碳化硅 SiC 器件 充電器

隨著市場(chǎng)發(fā)展,,碳化硅在能源,、基礎(chǔ)設(shè)備,,汽車、工業(yè)等設(shè)備領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,。2014年,,碳化硅還是一個(gè)不到百萬美金的市場(chǎng),2019年已經(jīng)接近800百萬美金,,未來還會(huì)以更快的增長(zhǎng)速度發(fā)展,。然而,面對(duì)不斷旺盛的需求和目前產(chǎn)業(yè)條件,,想要突出重圍的難度愈發(fā)困難,,對(duì)于國(guó)內(nèi)企業(yè)來說,紅利顯著但機(jī)會(huì)不多,。

SiC產(chǎn)業(yè)窗口期正在關(guān)閉

碳化硅為第三代半導(dǎo)體的主要代表之一,,擁有禁帶寬度大、器件極限工作溫度高、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大,、熱導(dǎo)率等顯著的性能優(yōu)勢(shì),,在電動(dòng)汽車、電源,、軍工,、航天等領(lǐng)域備受歡迎,為眾多產(chǎn)業(yè)發(fā)展打開了全新的應(yīng)用可能性,,被行業(yè)寄予厚望,,但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。

從國(guó)際產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)來看,,特斯拉Model3全面應(yīng)用意法半導(dǎo)體的碳化硅器件,,德國(guó)英飛凌正式提出收購(gòu)意法半導(dǎo)體的要約,國(guó)際主流器件廠商紛紛與美國(guó)科銳鎖定長(zhǎng)期碳化硅晶圓供貨協(xié)議,,這些動(dòng)態(tài)已經(jīng)足以警醒中國(guó)功率器件產(chǎn)業(yè),,碳化硅產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成熟,而且中國(guó)企業(yè)進(jìn)入碳化硅產(chǎn)業(yè)的窗口期正在關(guān)閉,。

未來五年,,全球碳化硅功率器件的產(chǎn)值將會(huì)由2018年的40億元向100億元突破,屆時(shí)中國(guó)如果還沒有一家企業(yè)擁有5億元市場(chǎng)的銷售業(yè)績(jī)(約5%的市場(chǎng)占有率),,那么意味著中國(guó)企業(yè)將再次在功率器件產(chǎn)業(yè)上落伍,,至少要再次承受15年、一整代人的落后,。

國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)優(yōu)劣并存

中國(guó)碳化硅產(chǎn)能,、消費(fèi)量全球第一,但產(chǎn)能利用率低,。同時(shí)也是碳化硅最大的生產(chǎn)國(guó)和消費(fèi)國(guó),,目前大約有200多家生產(chǎn)企業(yè)從事碳化硅冶煉。

2016年全球碳化硅的產(chǎn)能在310萬噸左右,,其中中國(guó)碳化硅產(chǎn)能為230萬噸左右,,占據(jù)全球75%左右的份額。除了中國(guó)以外,,世界上主要的碳化硅生產(chǎn)地集中在美國(guó),、俄羅斯、德國(guó),、荷蘭,、日本等國(guó)。

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此外,,中國(guó)也是碳化硅最大的消費(fèi)國(guó),。2016年,,中國(guó)的消費(fèi)量達(dá)到了65萬噸左右,占據(jù)全球50%左右的消費(fèi)市場(chǎng)份額,。

然而,,由于我國(guó)碳化硅行業(yè)產(chǎn)能過剩嚴(yán)重,導(dǎo)致行業(yè)產(chǎn)能利用率低,,多數(shù)企業(yè)的開工率不足5成,。具體為黑碳化硅約為60%,綠碳化硅為30%,,綜合開工率為50%,。產(chǎn)能的嚴(yán)重過剩,導(dǎo)致行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇,,企業(yè)整體只能維持微利,。

全球各大廠商展開布局

由于SiC具有高耐壓、低損耗,、高效率等特性,,可以讓功率器件突破硅的限制,帶來更好的導(dǎo)電性和電力性能,。這些特性的提高,,正與目前市場(chǎng)上熱門的汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化以及新能源等領(lǐng)域的需求相契合,,因而各大廠商紛紛在SiC上展開了布局,。

根據(jù)Yole于2018年發(fā)布的《功率碳化硅(SiC)材料、器件和應(yīng)用》報(bào)告預(yù)測(cè),,到2023年SiC功率市場(chǎng)總值將超過14億美元,,2017年至2023年的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)到29%。

目前,,SiC功率市場(chǎng)仍然主要受功率因數(shù)校正(PFC)和光伏(PV)應(yīng)用中使用的二極管驅(qū)動(dòng),。預(yù)計(jì)五年內(nèi),驅(qū)動(dòng)SiC器件市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要因素將是晶體管,,該細(xì)分市場(chǎng)在2017—2023年期間的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到驚人的50%,。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看,SiC包括單晶襯底,、外延片、器件設(shè)計(jì),、器件制造等環(huán)節(jié),,但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。其中,,尤以美國(guó),、歐洲,、日本為大。美國(guó)居于領(lǐng)導(dǎo)地位,,占有全球SiC產(chǎn)量的70%—80%,;歐洲擁有完整的SiC襯底、外延,、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈,;日本則是設(shè)備和模塊開發(fā)方面的絕對(duì)領(lǐng)先者。

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在全球市場(chǎng)中,,單晶襯底企業(yè)主要有cree,、dowcorning、sicrystal,、ii-vi,、新日鐵住金、norstel等,,外延片企業(yè)主要有dowcorning,、ii-vi、norstel,、cree,、羅姆、三菱電機(jī),、infineon等,,器件方面,全球大部分市場(chǎng)份額被infineon,、cree,、羅姆、意法半導(dǎo)體等少數(shù)企業(yè)瓜分,。

由于碳化硅產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)如芯片性能與材料,、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、制造工藝之間的關(guān)聯(lián)性較強(qiáng),,不少企業(yè)仍選擇采用idm模式,,如羅姆和cree均覆蓋了碳化硅襯底、外延片,、器件,、模組全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié),其中cree占據(jù)襯底市場(chǎng)約40%份額,、器件市場(chǎng)約23%份額,。

如今SiC器件在國(guó)內(nèi)光伏逆變器、車載充電器,、充電樁等領(lǐng)域雖已開始應(yīng)用,,但國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上大部分碳化硅功率器件依賴進(jìn)口,,主要為cree、infineon,、羅姆等占有,。

不過,近年來國(guó)內(nèi)已初步建立起相對(duì)完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈體系,,包括有idm廠商中車時(shí)代電氣,、世紀(jì)金光、泰科天潤(rùn),、揚(yáng)杰電子等,,單晶襯底企業(yè)山東天岳、天科合達(dá),、同光晶體等,,外延片企業(yè)天域半導(dǎo)體、瀚天天成等,,部分廠商已取得階段性進(jìn)展,。

我國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)努力結(jié)束壟斷

在半導(dǎo)體對(duì)外投資受阻情況下,國(guó)內(nèi)自主創(chuàng)新發(fā)展是必由之路,。2018年,,在政策和資金的雙重支持下,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域新增3條SiC產(chǎn)線,。

生產(chǎn)模式上,,大陸在第三代半導(dǎo)體電力電子器件領(lǐng)域形成了從襯底到模組完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系,器件制造方面以IDM模式為主,,且正在形成“設(shè)計(jì)—制造—封測(cè)”的分工體系,;大陸代工產(chǎn)線總體尚在建設(shè)中,尚未形成穩(wěn)定批量生產(chǎn),。

區(qū)域方面,,我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展初步形成了京津冀、長(zhǎng)三角,、珠三角,、閩三角、中西部5大重點(diǎn)發(fā)展區(qū)域,,其中,,長(zhǎng)三角集聚效應(yīng)凸顯,占從2015年下半年至2018年底投資總額的64%,。此外,,北京、深圳,、廈門,、泉州、蘇州等代表性城市正在加緊部署,、多措并舉,、有序推進(jìn)。

總體而言,,我國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)都取得較好進(jìn)展,,但在材料指標(biāo)、器件性能等方面與國(guó)外先進(jìn)水平仍存在一定差距,,市場(chǎng)繼續(xù)被國(guó)際巨頭占據(jù),,國(guó)產(chǎn)化需求迫切。

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我國(guó)從2014年碳化硅二極管就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn),,但事實(shí)上,,還沒有形成完整的產(chǎn)業(yè),與外國(guó)產(chǎn)業(yè)規(guī)模差距大,,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上大部分碳化硅功率器件依賴進(jìn)口,,形成國(guó)際大廠壟斷局面。

單晶襯底方面,,中科鋼研打造全國(guó)最大的碳化硅晶體襯底片生產(chǎn)基地,,我國(guó)將有望擺脫碳化硅半導(dǎo)體襯底片依賴進(jìn)口的尷尬局面。

外延片方面,,瀚天天成將在明年上半年逐步釋放新產(chǎn)能,,實(shí)現(xiàn)每年30萬片的產(chǎn)能目標(biāo)。

器件方面,,泰科天潤(rùn)已建成國(guó)內(nèi)第一條碳化硅器件生產(chǎn)線,。基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC 系列 SiC JBS已火熱上市,。

結(jié)尾:

目前整個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè)尚未進(jìn)入成熟期,,但國(guó)際廠商已實(shí)現(xiàn)多個(gè)環(huán)節(jié)規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)瓶頸的突破,并已摩拳擦掌,、即將掀起一場(chǎng)大戰(zhàn),,而國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)仍處于起步階段,與國(guó)際水平仍存在差距,,擺在國(guó)內(nèi)企業(yè)面前的是可觀的前景以及突圍的難度,。


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