晶圓代工產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷今年第一季度大幅衰退后,，隨著半導(dǎo)體供應(yīng)鏈庫存告一段落、行業(yè)進(jìn)入傳統(tǒng)旺季，第二季度迎來回暖,。中芯國際第二季度營收環(huán)比增長18.2%,，也體現(xiàn)了行業(yè)的周期性變化,。中芯國際指出,，伴隨產(chǎn)業(yè)回暖與公司內(nèi)部改革，公司逐步走出調(diào)整期,，成熟工藝平臺顯著增長,，先進(jìn)技術(shù)發(fā)展持續(xù)突破。

　　二季度業(yè)績受智能手機(jī),、物聯(lián)網(wǎng)及相關(guān)應(yīng)用驅(qū)動強(qiáng)勁增長,。從應(yīng)用類型來看，來自通訊領(lǐng)域收入占比達(dá)到48.9%,，同比增加8.5個百分點(diǎn),，環(huán)比增加5.9個百分點(diǎn),；從地區(qū)分類來看，來自美國的收入占比下滑至27.5%,，中國及歐亞地區(qū)收入占比提升,，中國區(qū)收入占比達(dá)到56.9%，歐亞區(qū)收入占比達(dá)到15.8%,；從各技術(shù)制程來看，28nm技術(shù)收入占比達(dá)到3.8%,，40/45nm技術(shù)收入占比達(dá)到19.2%,，55/65nm技術(shù)收入占比達(dá)到26.2%。

　　中國作為芯片行業(yè)的后來者,，一直在努力追趕行業(yè)最先進(jìn)的制程工藝,。如今14納米工藝終于迎來量產(chǎn)，使得中國大陸的集成電路制造技術(shù)水平與行業(yè)龍頭臺積電的距離又拉近了一步,，也進(jìn)一步奠定了中芯國際在大陸晶圓代工領(lǐng)域的龍頭地位,。

　　從制造技術(shù)來看，制造技術(shù)方面,，臺積電2018年已經(jīng)量產(chǎn)7nm工藝,，2020年則會轉(zhuǎn)向5nm節(jié)點(diǎn)。三星7nm EUV工藝預(yù)計(jì)2020年1月份量產(chǎn),，5nm 預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn),。英特爾的10nm(對標(biāo)臺積電的7nm)一再延遲，而聯(lián)電與格芯相繼宣布暫時(shí)擱置7nm制程研發(fā),，目前最先進(jìn)工藝均為14nm,。

　　至此，作為代表著大陸技術(shù)最先進(jìn),、配套最完善,、規(guī)模最大、跨國經(jīng)營的晶圓代工企業(yè),，在努力提升集成電路自給率,、加快國產(chǎn)替代的大背景下，中芯國際邁入了新的歷史階段,。

　　大陸代工企業(yè)方面,，中芯目前已可量產(chǎn)14nm，華力微電子的目標(biāo)是在2020年量產(chǎn),，中芯國際顯然代表了大陸集成電路制造技術(shù)的最高水平,。雖然目前業(yè)界已經(jīng)技術(shù)成熟并量產(chǎn)的7nm工藝相比，仍然有兩代（兩～三年）左右的差距,。但實(shí)際上中芯國際14nm工藝量產(chǎn)的速度,，已經(jīng)比預(yù)設(shè)的進(jìn)度提前了幾個季度,。2015年中芯國際與華為、高通,、比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）合作開發(fā)14nm工藝時(shí),，目標(biāo)是于2020年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，提前實(shí)現(xiàn)了”十三五計(jì)劃“中“加快16/14納米工藝產(chǎn)業(yè)化和存儲器生產(chǎn)線建設(shè),，提升封裝測試業(yè)技術(shù)水平和產(chǎn)業(yè)集中度,，加緊布局后摩爾定律時(shí)代芯片相關(guān)領(lǐng)域”的目標(biāo)。

　　從營收市占率來看,，今年第二季度全球TOP10晶圓代工營收市占率排名中中芯國際名列第五位,，市占率為5.1%，也是大陸代工企業(yè)市占率榜首,。2018年,，中芯國際在90nm以下制程的營收占比為49.9%，而同期華虹半導(dǎo)體的一半收入則來自于0.35um以上制程的產(chǎn)品,。

　　梁孟松加盟以后,，中芯國際在制程工藝上的研發(fā)進(jìn)度的確是突飛猛進(jìn)。集微網(wǎng)記者從中芯國際財(cái)報(bào)會上獲悉,，14nm進(jìn)入客戶風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn),，預(yù)期在今年底貢獻(xiàn)有意義的營收，年底將有小批量出貨,，大規(guī)模出貨預(yù)計(jì)會在2021年,，此外第二代FinFET N+1技術(shù)平臺已開始進(jìn)入客戶導(dǎo)入。此前集微網(wǎng)曾報(bào)道,，中芯國際在去年花費(fèi)了1.2億美元,，購買了一臺ASML最先進(jìn)的極EUV光刻機(jī)，意味著中芯國際第二代FinFET N+1有可能將向更高制程工藝發(fā)起沖擊,。

　　在中國成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場的今天,，在5G的推進(jìn)過程中，自動駕駛,、物聯(lián)網(wǎng),、大數(shù)據(jù)等新興行業(yè)將帶來新的需求增量。在市場需求,，政策鼓勵,，國產(chǎn)化替代以及相對廉價(jià)勞動力的支撐下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正向大陸轉(zhuǎn)移,。然而根據(jù)集邦咨詢的市場研究數(shù)據(jù),，2016~2022年中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)代工需求本土滿足比一直低于40%。到2022年,，90nm以上制程制造能力缺口為20萬片（合12英寸,，下同）,，成熟制程（28nm-90nm，含90nm不含28nm）制造能力缺口為15萬片,，先進(jìn)制程（28nm及以下）缺口為30萬片,。

　　在中國努力提升集成電路自給率、加快國產(chǎn)替代的大背景下,，中芯國際在先進(jìn)制程上取得的每一步突破,，都尤為關(guān)鍵。14nm上線取得階段性成果,，也標(biāo)志著中芯國際的發(fā)展進(jìn)入了下一個歷史使命階段,。