8月27日,，重慶市人民政府與紫光集團簽署紫光存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地項目合作協(xié)議。紫光集團將在重慶建設包括DRAM總部研發(fā)中心在內的紫光DRAM事業(yè)群總部,、DRAM存儲芯片制造工廠,，據(jù)悉，DRAM存儲芯片制造工廠計劃于2019年底開工建設,，預計2021年建成投產(chǎn)。

DRAM分為很多種,，常見的主要有FPRAM／FastPage,、EDORAM、DDR RAM,、RDRAM,、SGRAM 和WRAM。DRAM也叫動態(tài)隨機存取存儲器,，DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間,，所以需要定時刷新。由于DRAM的特性決定,，DRAM能存儲電荷的時間非常短暫,，這樣它需要在電荷消失之前進行刷新，直到下次寫入數(shù)據(jù)或者計算機斷電才停止,。每次讀寫操作都要刷新DRAM內的電荷,，因此DRAM設計為有規(guī)律的讀取其內的內容。

在全球的DRAM芯片市場上,，韓國三星和海力士,，美國的鎂光、英特爾,、閃迪,，日本的東芝六家廠商,，壟斷了全球九成的產(chǎn)量。其中僅三星,、海力士,、東芝三家，就占了八成的份額,。DRAM芯片作為存儲芯片市場的主力,，近年來，隨著存儲價格的走低,，對整個市場影響很大,，不管是上游制造商還是分銷商、客戶等,，市場走低勢必影響投入,，而紫光本次的加大投入也預示著行業(yè)正在回暖，市場前景仍廣闊,。