報道稱,，存儲芯片競爭激烈,，三星、海力士,、東芝,、西部數據、美光,、英特爾等巨頭在產能上持續(xù)投入,。2018年，64層,、72層的3D NAND閃存就已經是主力產品,，2019年開始量產92層、96層的產品,，到2020年,，大廠們即將進入128層3D NAND閃存的量產。

近日,，紫光集團旗下長江存儲近日宣布,，已開始量產基于自主研發(fā)Xtacking架構的64層三維閃存(3D NAND)，容量為256Gb,，以滿足固態(tài)硬盤(SSD)嵌入式存儲等主流市場應用的需求,，這也是中國首款64層三維閃存芯片,業(yè)界預測，長江存儲最快明年跳過96層直接進入128層三維閃存,，實現(xiàn)彎道超車,。

據香港《大公報》近日報道，長江存儲官網消息,，上海中國國際半導體博覽會舉行前夕，公司宣布已開始量產基于XtackingR架構的64層“三階儲存單元”3D NAND閃存,。作為中國首款64層3D NAND閃存,，該產品將亮相博覽會紫光集團展臺。

所謂3D NAND是通過將原本平鋪的儲存單元堆疊起來,，形成多層結構提供容量,，使原本只有1層的儲存單元堆疊成64層或更多層。

縮短產品上市周期

報道指出,，長江存儲64層三維閃存是全球首款基于Xtacking架構設計并實現(xiàn)量產的閃存產品,，擁有同代產品中最高存儲密度。創(chuàng)新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合,，相比傳統(tǒng)三維閃存架構可帶來更快的傳輸速度,、更高的存儲密度和更短的產品上市周期,。

長江存儲相關負責人向《大公報》表示，長江存儲64層三維閃存產品的量產,，將使中國與世界一線三維閃存企業(yè)的技術差距縮短到兩年以內,。

明年底月產六萬片晶圓

業(yè)界有關人士分析，長江儲存發(fā)展迅速,，但目前表態(tài)保守,，其雖然未公布量產規(guī)模，預計2020年底其可望將產能提升至月產6萬片晶圓的水平,。

據報道,，長江存儲64層三維閃存產品的量產有望使中國存儲芯片自產率從8%提升至40%。在美日韓大廠壟斷下,，長江存儲的64層3D NAND閃存量產消息別具意義,。

據悉，長江存儲已推出Xtacking2.0規(guī)劃,，借以提升NAND吞吐速率,、提升系統(tǒng)級存儲的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業(yè)模式等,，相關產品將被廣泛應用于數據中心,，企業(yè)級服務器、個人電腦和移動設備等領域,。

紫光集團聯(lián)席總裁刁石京表示,，長江存儲進入到這個領域之前，國內一直沒有大規(guī)模存儲芯片的生產,，未來,，隨著云計算、大數據的發(fā)展,，人類對數據存儲要求是越來越高,，三維閃存存儲芯片是高端芯片一個重要領域，它的量產也標志著中國離國際先進水平又大大跨近一步,，把中國產品水平跟海外的先進水平縮短到了一代,。，將使中國與世界一線三維閃存企業(yè)的技術差距縮短到兩年以內,，被視為中國打破美日韓壟斷關鍵一戰(zhàn),。