Lam Research Corporation(NASDAQ:LRCX)2020年第一季度收益電話會議(美國東部時間2019年10月23日下午5:00)
參與者
Tina Correia - Corporate Vice President of Investor Relations
Tim Archer - President & Chief Executive Officer
Doug Bettinger - Executive Vice President & Chief Financial Officer
Tim Archer
在本季度中,,Lam取得了可喜的成績,。我們更加堅信,,隨著晶圓制造設備的價格上漲,,Lam的表現(xiàn)將強于大盤。2019年稀釋后的每股收益將是我們歷史上的第二高水平,。
從行業(yè)角度來看,,我們已將2019年半導體制造設備的指引上調(diào)至400億美元的中部范圍,,而我們先前的預測是同比下降百分之十幾,。
我們開始看到以NAND為首的存儲器市場的發(fā)展,。NAND需求正在改善,隨著我們進入下個季度,,供過于求的狀況將繼續(xù)改善,。我們預計到2019年末,NAND的比特供應增長率約為30%,,遠低于我們對長期需求的看法,,因此,預計2020年上半年NAND庫存將下降至正常水平,。
盡管總是很難預測存儲設備支出恢復的時間,,但我們鼓勵客戶繼續(xù)控制供應增長,即使我們開始看到終端市場需求指標變向有利,。這表明行業(yè)發(fā)展良好,,并為2020年增加NAND做好了準備,。在DRAM方面,,庫存一直處于上升狀態(tài),我們預計直到2020年下半年才能達到正常水平,。
但是,,我們認為服務器和智能家居市場都將出現(xiàn)積極的需求催化作用。我們的服務器CPU升級周期預計將從明年開始,,隨著領先制造商越來越多地采用新一代平臺,。對于智能手機,主要供應商正計劃推出其他5G型號,,預計將在2020年推動整個智能手機市場的增長,。
談到代工和邏輯,整個2019年該領域的支出一直很高,,根據(jù)最近的客戶評價看來,,這種情況將持續(xù)到明年。多樣化的終端市場應用推動了更高水平的晶圓代工和邏輯支出,此外,,在邏輯器件中擴展功能模塊(如SRAM)將導致芯片尺寸的增加,,而這些反過來又加速了器件架構和芯片制造技術的變化。
Lam在主要的代工廠和邏輯客戶中的地位不斷提高,,這使我們能夠從長期趨勢中逐步受益,。有競爭力的是,我們正在高水平執(zhí)行,。根據(jù)我們下一季度的指引,,Lam的2019年代工和邏輯收入將大大超過已宣布的客戶資本支出計劃。我們現(xiàn)在在代工和邏輯領域看到的份額增長是多年來緊密的客戶協(xié)作和強大的產(chǎn)品執(zhí)行力以及多次技術轉(zhuǎn)換的結果,。它們證明了在整個行業(yè)周期中持續(xù)投資于研發(fā)的好處,。
縱觀整個市場,包括內(nèi)存,,代工廠和邏輯,,我們有望在2019年實現(xiàn)有史以來最好的滲透率,以本年做出的決策的前瞻性三年凈營收來衡量,。我們在防御性能上的強大滲透力的關鍵貢獻在于,,人們會繼續(xù)關注支持3D設備架構的技術,這些技術對于在所有細分市場中的性能和成本擴展越來越重要,。
我們在2D到3D方面進行了早期投資,,隨著這些過渡的進行,我們看到市場份額在擴大,。蝕刻和沉積工藝是3D的關鍵推動力,,我們正大力投資以提供滿足客戶路線圖所需的技術和生產(chǎn)率創(chuàng)新。正如我們今年在滲透防御方面的勝利所證明的那樣,,我們相信我們正在擴大Lam在這一領域的領導地位,。
在3D NAND中,我們成功地捍衛(wèi)了100%的存儲器電介質(zhì)蝕刻份額,,并繼續(xù)成為所有3D NAND制造商這些應用的供應商,。我們還贏得了3D NAND應用的青睞,因為生產(chǎn)力是差異化的主要重點,。
值得注意的是,,Lam率先提供了經(jīng)過生產(chǎn)驗證的蝕刻良率解決方案。在本季度中,,我們在撓性電介質(zhì)蝕刻系統(tǒng)上使用了Corvus可調(diào)邊緣硬件,,以改善輪廓傾斜均勻性,并贏得了重要的對生產(chǎn)率敏感的狹縫蝕刻應用,。
在半導體蝕刻方面,,我們希望將3D NAND應用用于新的垂直架構,以減少管芯尺寸,這是降低位成本的技術解決方案,。在沉積過程中,,我們在DT向量中標記了重要的3D NAND,隨著層數(shù)的增加,,該向量會沉積背面薄膜以控制應力,。另一個重大的勝利是使用我們的AOD設備,隨著長寬比的提高,,該設備可用于沉積高質(zhì)量的襯里和GAAP填充,。
我們還將繼續(xù)在3D NAND空間之外擴展3D,包括在快速增長的市場(例如高級封裝和異構集成)中,。在過去三年中,,我們的SABRE 3D電鍍系統(tǒng)的安裝基礎增長了70%以上,并且我們是TSV,,DRAM,,CMOS圖像傳感器和邏輯器件的領先電鍍供應商。
我們的SABRE 3D電鍍解決方案嵌入了一流的技術,,并擁有多年的大量生產(chǎn)經(jīng)驗。隨著在服務市場上的每一次成功,,Lam設備的安裝基礎持續(xù)增長,,從而為我們的客戶支持業(yè)務擴展了長期的收入機會。
為了在設備的整個生命周期中為客戶創(chuàng)造價值,,我們積極開發(fā)升級和高級服務,,以擴展技術能力并提高現(xiàn)有已安裝基礎資產(chǎn)的生產(chǎn)率。這些產(chǎn)品可幫助我們的客戶降低總成本,。結果,,我們繼續(xù)看到需求增長??蛻糁С謽I(yè)務的收入在9月季度連續(xù)增長,,并且Reliant業(yè)務連續(xù)第三季度創(chuàng)下創(chuàng)紀錄的季度收入。
我們預計2019年整體將是我們客戶支持業(yè)務的又一增長年,。從年初至今的表現(xiàn)來看,我們在實現(xiàn)擴展SAM,、增加市場份額和建立基礎業(yè)務的目標方面取得了巨大進步,。重要的是,2019年是Lam鞏固其在晶圓代工和邏輯領域的地位的一年,。同樣,,隨著NAND需求改善的早期跡象以及DRAM的積極推動,我們在2020年對Lam的表現(xiàn)將越來越樂觀。
道格·貝丁格
我們的結果再次超出了所有財務指標的指引,。營業(yè)收入和每股攤薄收益在我們指導范圍的高端,,我們在整個季度中仍謹慎管理支出。讓我一如既往地開始談論我們在本季度的收入細分,。內(nèi)存部分與第二季度持平,,占總收入的64%。非易失性存儲器業(yè)務有所下降,,從46%下降至38%,,而DRAM的收入從18%增長到26%,。
NAND領域的支出集中在多個節(jié)點上,,我們開始看到128層結構的首次出現(xiàn)。在DRAM方面,,除了1x和1y節(jié)點外,,1z開始初始投資,。正如我在上個季度的財報電話會議上指出的那樣,,代工和邏輯支出強勁,,我們預計該部門的實力將持續(xù)到年底,。
代工業(yè)務占本季度系統(tǒng)收入的25%,,與在7和5納米節(jié)點上的支出有關,。邏輯另一部分的收入較上一季度略有下降,占收入的11%,。我們繼續(xù)在代工和邏輯領域展示出強勁的進步,,使我們能夠在內(nèi)存支出低迷的時期內(nèi)保持穩(wěn)定的盈利水平。
我相信12月份的晶圓代工邏輯支出可能會更大,。該季度的收入為21.66億美元,再次高于目標,。與6月季度相比,,9月季度我們的收入在地域上略有擴大,主要仍然是中國大陸,,韓國和中國臺灣。中國地區(qū)的季度業(yè)績?nèi)匀桓哂谖覀兊臍v史平均收入集中度,。
與我上個季度所說的類似,,其中大部分來自多個細分市場的中國客戶,。毛利率為45.4%,比中值高40個基點,,主要是由于客戶構成,。就像我們在前幾個季度中所說的那樣,毛利率是幾個因素的函數(shù),,例如業(yè)務量,,產(chǎn)品組合和客戶集中度。
我們繼續(xù)保持公司經(jīng)理人支出水平,,九月份季度的運營支出從上一季度的4.5億美元下降至4.31 億美元,。我們?nèi)匀粚W⒂趯ρ邪l(fā)計劃的投資,因為我們看到支出和研發(fā)費用的百分比環(huán)比增長至運營支出的67%,。
下一季度指引的總支出回升至6月的水平,,這主要是由于可變薪酬支出的增加??勺冃匠旮鶕?jù)季度獲利水平而波動,。我還要提醒您,,當我們展望2020年時,,您會看到與3月季度有關的正常季節(jié)性支出增加,來自工資稅,。
9月季度的營業(yè)收入為5.52億美元,,營業(yè)利潤率為25.5%,處于指引范圍的頂部,。我們9月份季度的非GAAP稅率約為11%,,略低于我們的長期稅率。每個季度的利率都會有所波動,,我們現(xiàn)在預計長期利率將處于百分之十幾,。
在9月份的季度中,其他收入和支出總計約為1100萬美元,。其他收入和支出的主要組成部分我們從所持有的現(xiàn)金和投資余額中獲得的利息收入,,被與未償債務相關的支出所抵消。目前,,每個季度的總利息費用和所有債務分期付款約為4100萬美元,。
在九月份的季度中,我們將繼續(xù)執(zhí)行資本返還計劃,。我們在本季度為資本回報分配了2.34億美元,,其中有7500萬美元與公開市場股票回購相關,還有1.59億美元的股息,。
我想提醒您,,我們?nèi)栽诶^續(xù)進行中的結構化回購計劃,預計該計劃將于下一季度到期,。這將繼續(xù)減少我們的股份數(shù)量,。我們保持承諾的資本回報率的步伐。目前,,我們在董事會授權的股票回購計劃中還剩余約30億美元,。
每股攤薄收益為3.18美元,處于我們?yōu)?月份提供的指引范圍的上限,。我們在9月份季度末的稀釋后每股收益約為1.51億股,,這是稀釋后的股份數(shù)量連續(xù)第七個季度下降。股份數(shù)量包括2041年可轉(zhuǎn)換票據(jù)帶來的約500萬股的攤薄影響,。我會提醒您,,我們的投資者關系網(wǎng)站上提供了剩余的2041可轉(zhuǎn)換債券的稀釋時間表,以供您參考,。
我們的現(xiàn)金和短期投資(包括限制性現(xiàn)金)在9月份季度略有增加,,從6月份季度的57億美元增至58億美元。運營現(xiàn)金流為4.64億美元,,被股票回購和股息抵消,。在2019日歷年的年初至今,我們從運營中獲得了可觀的現(xiàn)金流量,,我們有望在今年年底以公司歷史上第二高的自由現(xiàn)金流量結束,。
銷售變現(xiàn)天數(shù)從上一季度的56天增加到69天,增加與在9月末發(fā)生的客戶付款時間有關,,該時間屬于我們12月份的財務季度,。我們的庫存余額環(huán)比下降了5,700萬美元,,這是連續(xù)第五個季度庫存余額下降,。庫存周轉(zhuǎn)率為3.2,僅比我們在6月季度的3.3少了一點,。
非現(xiàn)金支出包括約4300萬美元的股權補償,,4900萬美元的折舊和1600萬美元的攤銷。9月季度資本支出為3,,900萬美元,,較6月季度的6,600萬美元有所下降,。我們9月份的季度末員工人數(shù)與上一季度持平,,約有10,700名全職正式員工,。
因此,,現(xiàn)在展望未來,,我想提供2019年下一季度的非GAAP指南。我們預計收入為25億美元,,上下浮動1.5億美元,。毛利率為45%上下1個百分點,營業(yè)利潤率為27%上下1個百分點,。
最后,,基于約1.5億股的股票數(shù)量,每股收益為3.80美元(上下浮動0.20美元),。我很高興與您分享我們在整個2019日歷年所取得的成果以及充滿挑戰(zhàn)的行業(yè)環(huán)境,。內(nèi)存市場的供應需求環(huán)境正在改善,我們在代工廠和邏輯定位方面取得了良好的進展,。我們的已安裝基礎業(yè)務將繼續(xù)按計劃在2019年實現(xiàn)增長,。我們已做好進入2020年的準備,并對我們未來的表現(xiàn)感到樂觀,。
我們計劃于2020年3月3日在紐約市舉辦投資者日,。有關場地和確切時間的詳細信息即將發(fā)布。
問答環(huán)節(jié)
Q:
您提到半導體制造設備從400億美元的底部位置上升到中部位置,。如果增加的收入大部分來自代工/邏輯部門,,那么就前景而言?
A:
也許我已經(jīng)說過,,也許有些修改,,正如我們已經(jīng)說過的那樣,我們繼續(xù)看到代工和邏輯方面的增長,。這就是其中的一部分,。正如我們現(xiàn)在所指導的下一季度那樣,一些非常早期的跡象表明NAND支出有所增加,。最后,,隨著我們不斷壯大,全年在中國半導體制造設備中的實力不斷增強,。因此,,結合所有這些因素,可以導致我們對半導體制造設備的預期進行向上的修正,。
Q:
好的,。然后,在您準備好的發(fā)言中,,您只是提到了今年的晶圓代工廠/邏輯份額增長高于資本支出,。鑒于EUV步驟不斷增長等因素,我們?nèi)绾慰紤]明年的晶圓代工/邏輯業(yè)務的表現(xiàn),?
A:
好吧,,這是一個很大的問題,,基本上,正如我們在許多場合所說的那樣,,我們看到在每個技術節(jié)點上蝕刻和沉積的強度都在不斷增加,。無論將來是10納米到7納米到5納米到3納米,,我們的SAM都會增長,。即使面對EUV使用量增加,SAM也會增加,。并且有很多原因,。無論引入EUV,圖案化的復雜度都在不斷增加,,因此還有其他沉積和蝕刻步驟,。
EUV本身對硬掩膜引入了新的要求,這使Lam有機會參與,。而且,,我們過去討論過的EUV也為新步驟帶來了機會,例如像原子層蝕刻這樣的最終工藝,,可用于幫助提高EUV圖案本身的質(zhì)量和生產(chǎn)率,。因此,我認為您應該考慮的方式是我們的SAM不斷擴展,,我們的競爭力在不斷增強-我們在其中一些新層中獲得了份額,,并且我們認為在鑄造和邏輯領域中,我們已經(jīng)做好了技術過渡的準備,。
Q:
我想第一個問題是,,如果我們回顧2018年,NAND的半導體制造設備大約占30%,。到2020年進入128層及以上時,,我們應該如何看待份額?
A:
我們的SAM在客戶支出中所占的百分比隨著層數(shù)的增加而不斷增加,,這有兩個原因,,首先顯然是建立和蝕刻更高的堆棧,這很簡單,,但正如我所提到的,,這是解決諸如此類問題的新步驟和新機會的事實。我認為我們的觀點是SAM隨著層數(shù)的增加而增長,。
Q:
全部安裝收入在9月份是否有連續(xù)增長,?我們應該如何看待趨勢?還是我們應該對2020年建模嗎,?
A:
確實是連續(xù)增長的,,并且是該業(yè)務的Reliant部門連續(xù)第三個季度創(chuàng)紀錄,。我明年還不能量化,為時過早,。很難設想一年的安裝基礎業(yè)務不會增長,,它應該每年增長。我們將繼續(xù)向市場推出新的高級服務產(chǎn)品,,以期使我們能夠?qū)崿F(xiàn)越來越多的客戶運營支出,。
Q:
與中國國內(nèi)的貿(mào)易連續(xù)第二季增長。你們是否希望這會持續(xù)到下一季度和明年,,并且與我上次提出的問題類似,?鑒于與美國或更多的中國客戶之間的貿(mào)易緊張局勢,您認為這是否是中國為提高半導體制造能力而進行的重點努力,,而您的中國客戶更有信心推進其初期存儲和代工計劃,?
A:
是的,實際上我想描述的是,,我試圖在上一季度的收入中預示這一陰影,,該收入高于中國本地客戶的正常營業(yè)支出。但是蒂姆確實在講話中指出,,半導體制造設備的一些增加來自中國當?shù)?,半導體制造設備的名義價值超過60億美元。而且,,當我們展望明年時,,我們絕對認為明年會再次增長,但是它會起伏不定,,有時這些大型項目可能會上升,,也會下降,具體取決于何時設備運用于項目,。
過去一年中,,我們看到中國國內(nèi)支出有所增加??梢灶A見,,對于Lam而言,中國新增支出中的很大一部分是針對內(nèi)存市場的,。顯然,,這對我們的SAM,以及我們在存儲空間中的份額都非常好,,因此從這個角度來看,,我們認為中國是我們的優(yōu)勢領域。
Q:
非關鍵業(yè)務的發(fā)展速度?相對于您的總收入基礎,,該業(yè)務的規(guī)模大約是多少,?
A:
一些智能數(shù)據(jù)庫設備確實開始幫助我們減少系統(tǒng)故障排除的時間,因為這再次證明了已經(jīng)存在并且相對易于實施的設備的生產(chǎn)率,。因此,,我們正在優(yōu)先考慮生產(chǎn)力,因為這符合客戶和整個行業(yè)的最大利益,。
Q:
關于邏輯/代工市場,,如果您從年初至今看,這為您合并的業(yè)務同比增長了30%至40%,?我想,,我只是想了解我們?nèi)绾慰创氖袌龅匚唬苍S在北美,,我們看到14納米到10納米變到7納米,或者在臺灣,,我們看到7納米變到5納米變3納米,,您能否談談您在某些關鍵蝕刻和沉積步驟中對記錄的產(chǎn)品設備有多少可預見性?
A:
正如我在邏輯和代工廠領域所說的那樣,,建立自己的開發(fā)設備需要花費很多年,。因此,當我們談論我的問題時,,我們對這種滲透和防御有了一些新的了解,。前瞻性三年收益機會聲明,旨在說明從我們贏得這些選擇決定中開始算起需要多長時間,,您會發(fā)現(xiàn)收益將在接下來的三年產(chǎn)生,,在晶圓代工和邏輯領域絕對是正確的。因此,,我認為,,當我們談論從10納米到7納米再到5納米時,我們在接下來的幾年中逐步推廣5納米,,它基本上將是我們未來三年的收入,,再加上該領域的收入。
Q:
在最近一個季度中,,回購價格有所下降,,我認為這是可以理解的。嘗試執(zhí)行回購的步驟,?您要執(zhí)行的現(xiàn)金返還政策,?
A:
回顧過去的兩年,您會看到幾個季度我們實際部署的現(xiàn)金有所減少。那是因為在此之前的季度中,,我們實施了其中一項加速股票回購計劃,。您在本季度也有相同的現(xiàn)象。因此,,即使我們在公開市場回購方面部署的現(xiàn)金在本季度并不是那么重要,,但仍在執(zhí)行回購股票的工作,目前將于下一季度完成,。
我們致力于至少將50%的自由現(xiàn)金流返還給股東,,而且如果您回顧一下我們的歷史,顯然過去五到六年,,我們所做的遠遠不止這些,。
Q:
下一季度,NAND方面的收入增加更多,,還是代工方面的收入增加更多,?
我希望12月份的代工和邏輯季度將繼續(xù)保持強勁勢頭。
Q:
在過去的12個月中,,中國約占您收入的25%,。所以我想,我很好奇這筆資金中有多少投入到了本地項目中,,而不是跨國公司中,。中國2018年半導體制造設備收入約為50億美元,而我認為當時你說的是其中50億美元是中國的30億美元,。中國今年的價格將超過6美元,,今年這6美元中有多少是國內(nèi)收益?
A:
中國約有45億美元的半導體制造設備,。因此,,最終價格可能比我們一直在談論的價格以及今天的價格略高,它高于6美元,,略高于6美元,。我不確定明年會是什么樣。但是,,當我們在即將到來的晶圓廠項目中查看分析數(shù)據(jù)時,,我確實非常相信它會在明年增長。我認為明年中國大陸將繼續(xù)增長,。
Q:
您在準備發(fā)言中談到了NAND恢復的早期跡象,。您評論說下一季度的大部分增長應該來自代工廠和邏輯?
A:
是的,,也許我們所說的話沒有太大的改變,。我們-從今年年初開始,,我們就說過,內(nèi)存支出全年可能仍會相對疲軟,。但我們?nèi)匀粓猿终J為以30%的比特供應增長率結束這一年,,并且客戶正在審慎地管理供應增長,但是我確實認為那些項目是早期跡象,,這是一個健康的行業(yè)而且我們將在2020年看到增長,。
Q:
如果我們假設到2020年邏輯和代工方面的支出基本持平,并且假設EUV的采用率持續(xù)增長,。您能在這種環(huán)境背景下增加邏輯和代工收入嗎,?
A:
答案是肯定的?;谝韵聨c,,我們希望在這種情況下會有所增長,第一,,即使在同一半導體制造設備上,,由于仍繼續(xù)過渡到更高級的節(jié)點,我們的SAM作為半導體制造設備的百分比應會增加,。即使面對EUV,,蝕刻和沉積的機會也會在每個后續(xù)技術節(jié)點上增加。因此,,我認為在所描述的情況下,我們希望將有更大的機會,,并且我們確實相信我們也將贏得份額,,因此我們會成長。
Q:
您談到了一個行業(yè)關注的問題,,即今年的NAND位增長將達到30%,,如果明年比特增長低于30%。您是否仍然預計明年會有120層的出現(xiàn),,因為它本質(zhì)上更具戰(zhàn)略性,,如果需求增長速度變慢,它可能會受到抑制,?
A:
今年大部分行業(yè)支出都分配給了節(jié)點轉(zhuǎn)換,,而不是增加了新容量,因為這降低了每位成本,,我們認為技術轉(zhuǎn)換每年都在發(fā)生,,這僅僅是因為比特成本的優(yōu)勢。因此,,我想我想說的是,,在任何一年,這不是我們對供應增長下降的看法,我們?nèi)匀粫吹酱蟛糠旨夹g轉(zhuǎn)型支出,。而且我想還有一個要考慮的關鍵點,,我們在從96層到128層的技術過渡中已經(jīng)提到過幾次了,其中大部分花費是用于蝕刻和沉積,。因此,,如果支出繼續(xù)僅基于技術轉(zhuǎn)型,肯定會有一個超越績效的聲明,。
Q:
如何成功捍衛(wèi)100%介電蝕刻設備的市場份額,?特別是對于NAND方面。
A:
我想我要指出的是,,我們通過介電蝕刻設備制造了數(shù)百萬個晶圓,,這是一個非常重要的成果。
之前還有一個問題,,即生產(chǎn)率,,可靠性,穩(wěn)定性,,缺陷性能,。這些都是我們再次擁有數(shù)百萬片晶圓的經(jīng)驗。因此,,作為現(xiàn)有企業(yè),,必須每個節(jié)點都具有優(yōu)勢。具體來說,,可以對128納米及以下節(jié)點中的大多數(shù)對象進行存儲,。
Q:
談到MRAM,ReRAM等下一代內(nèi)存技術時,。您能否對Lam如何利用這些下一代機會進行自我定位提供定性看法,?
A:
是的,我想也許我在公司內(nèi)部所做的更簡單的表述是,,我們并沒有失去我們在內(nèi)存領域的領導地位,,這包括了這些新興的內(nèi)存市場。因此,,我們正在積極尋求開發(fā)新的應用程序和新設備,,以滿足那些設備的需求。我們已經(jīng)討論過,,其中最重要的一個是今年以來用于MRAM的離子束邊緣設備,,我們已經(jīng)在該特定應用中確立了非常強大的地位,即相變存儲器ReRAM,,還有其他設備我們正在積極與領先公司合作開發(fā),。因此,,這是我們的目標市場。
Q:
您談到了原子層沉積的機會,。我想從大角度看,,您如何看待整個市場?您是否看到它從哪里開始擴展,。能擴展到晶圓代工廠/邏輯方面嗎,?
A:
已經(jīng)擴展了,我的意思是,,ALD不特定于內(nèi)存,。因此,我們在邏輯和代工方面也使用這些薄膜,。ALD原子層蝕刻隨著器件變得越來越小以及結構變得越來越復雜,,這些技術將繼續(xù)被越來越多地使用。因此,,我認為這是一個不斷擴展的市場機會,,實際上,我認為在未來幾年中,,您將開始看到例如從批處理設備到單晶片ALD的變化,,再次反映出晶片的均勻性類型和這些工藝的要求。因此,,這是我們不斷發(fā)展的領域,,我們對設備本身的開發(fā)活動充滿信心。
Q:
您一直在談論的晶圓代工廠/邏輯份額增長的最佳點,,以及您從看起來不錯且令人鼓舞的好轉(zhuǎn)中獲得的幫助,?開始出現(xiàn)在NAND或SAM擴展之類的東西上?
A:
是的,,我認為我們需要為您提供更多有關突破的細節(jié),您必須等到我們實際討論下個季度的2020半導體制造設備前景,。我們在內(nèi)存市場上有很高的杠桿作用,,并且我們相信明年的支出組合會重新回到我們的預期。隨著我們在該領域擴展高級服務產(chǎn)品組合,,CSBG將繼續(xù)增長,。
Q:
經(jīng)營利潤率提高了約300個基點。其中,,營業(yè)費用占銷售額的百分比有了顯著提高,。正如您所指出的那樣,存在著大量的研發(fā),。問題是,,增加運營杠桿的模型有多少進一步的好處,?您還需要多少才能進一步推動來自SG&A的研發(fā)費用?
A:
我們將不斷提高效率,,以節(jié)省我們花費在SG&A上的美元,。為了使我們可以將更多的美元用于研發(fā),我認為上季度60%,,70%可能是公司的歷史最高水平,。這是歷史最高水平。我們將繼續(xù)保持下去,,我們將繼續(xù)努力變得更好,,專注于持續(xù)改進。
Q:
DRAM在該季度表現(xiàn)強勁,。我想知道是什么原因造成的,,這種趨勢的可持續(xù)性如何?
A:
今年DRAM的供應量增長可能還很少,。我們認為長期需求增長可能會接近20%,。但是我所知道的是,在某個時候庫存將被消耗掉,,支出將顯著增加,。在每個季度中取決于客戶進行的項目。
Q:
19財年來看,,營運資金中有大量現(xiàn)金流入,,我們應該如何看待今年的營運資金?
A:
我們的現(xiàn)金太強大了,,我認為我們已經(jīng)連續(xù)兩個季度擁有約9億美元的運營現(xiàn)金流,,您是對的。其中很多來自營運資金?,F(xiàn)在,,您通常會在業(yè)務增長時看到它會消耗營運資金,這意味著將需要現(xiàn)金來建立庫存和應收賬款等,。
當它穩(wěn)定下來或簽訂合同時,,它將產(chǎn)生現(xiàn)金,而這實際上就是上半年的情況,。我的意思是,,我們非常主動地管理現(xiàn)金,但是實際情況是業(yè)務起起落落,??紤]企業(yè)自由現(xiàn)金流的正確方法是,應可持續(xù)地維持運營現(xiàn)金流,。
Q:
NAND工廠利用率,?
A:
今年我們看到它在NAND和DRAM中有所下降,。客戶對此表示了很好的理解,。我們并不總是確切知道他們的利用率是多少,。
Q:
您說的是今年要達到NAND供應增長的30%,我想,,問題是我們?nèi)绾慰紤]達到2020年
預期需求增長所需的容量擴展水平,?
A:
我們說了30%,我認為長期NAND增長處于最高水平,,也許是40%,。為了使供應量增長40%,我們需要每年增加晶圓,,因此今年并沒有那么多,,您會看到供應量增長下降。
Q:
您認為今年結束我們將開始看到DRAM供需平衡嗎,?
A:
好吧,,我認為我們所說的DRAM也許只是我們認為要到明年上半年。庫存仍在增加,,所以實際上不是,,我想目前我們的觀點是明年下半年DRAM可能更多。顯然,,隨著我們對2020年的全面展望,,我們將提供更多展望。NAND僅僅是因為今年以來出現(xiàn)了供應緊張的問題,,而且現(xiàn)在正在出現(xiàn)NAND需求催化劑,。
Q:
容量升級是在2020年的什么時候?
A:
還為時過早,,無法詳細談論2020年,。