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美光 DDR5 實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心性能的進(jìn)一步提升

DDR5 RDIMMs 賦能下一代服務(wù)器平臺(tái),,應(yīng)對(duì)云,、企業(yè)端,、高性能計(jì)算和人工智能應(yīng)用環(huán)境中的激增數(shù)據(jù)
2020-01-09
來(lái)源:美光科技股份有限公司
關(guān)鍵詞: 美光 DDR5 數(shù)據(jù)中心

  CES,,拉斯維加斯,,2020 年 1 月 9 日 — Micron Technology, Inc. (美光科技股份有限公司,,納斯達(dá)克: MU) 今日宣布采用行業(yè)領(lǐng)先的 1z 納米制程的 DDR5 寄存型 DIMM (RDIMM) 已開(kāi)始出樣,。DDR5 是迄今為止技術(shù)上最為先進(jìn)的 DRAM,,其內(nèi)存性能提升至少 85%,,從而應(yīng)對(duì)下一代服務(wù)器負(fù)載。如今數(shù)據(jù)中心的系統(tǒng)架構(gòu)正在提供日益增多的處理器核心數(shù),、以及更大的內(nèi)存帶寬與容量,,而 DDR5 使內(nèi)存密度翻倍,并同時(shí)提升可靠性,。

  “幾乎所有應(yīng)用環(huán)境的數(shù)據(jù)都在激增,,數(shù)據(jù)中心從負(fù)載的工作中挖掘價(jià)值的挑戰(zhàn)越來(lái)越大,” 美光科技計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理 Tom Eby 表示,,“更高性能,、更高密度和更優(yōu)質(zhì)的內(nèi)存是應(yīng)對(duì)這些負(fù)載的關(guān)鍵所在。美光出樣 DDR5 RDIMM 是一項(xiàng)重大進(jìn)展,幫助業(yè)界進(jìn)一步提升了下一代以數(shù)據(jù)為核心的應(yīng)用價(jià)值,?!?/p>

  快速增多的數(shù)據(jù)集和計(jì)算密集型應(yīng)用環(huán)境產(chǎn)生了更高要求的工作負(fù)載,進(jìn)而帶來(lái)處理器核心數(shù)的增長(zhǎng),,但目前的 DRAM 技術(shù)無(wú)法滿足帶寬需求,。相較于 DDR4,DDR5 性能提升逾 1.85 倍,。DDR5 還實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心所需要的可靠性,、可用性和可服務(wù)性 (RAS)。

  作為內(nèi)存技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)品牌,,美光在設(shè)計(jì),、制造、交付及向全球合作伙伴和客戶提供支持方面擁有40多年的專業(yè)積淀,。美光的 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品組合采用了比以往更高的標(biāo)準(zhǔn),。

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