《電子技術(shù)應(yīng)用》
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南亞科10納米DRAM技術(shù)終于有了新突破

2020-01-13
來源:集微網(wǎng)
關(guān)鍵詞: 南亞科 DRAM

  據(jù)臺灣《聯(lián)合報》報道,南亞科總經(jīng)理李培瑛于10日宣布,,已完成自主研發(fā)10納米級DRAM技術(shù),將在今年下半年試產(chǎn),。

  據(jù)悉,全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星,、SK海力士,、美光三家公司中,他們的份額高達95%以上,,關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻,,其他公司突圍起來很難。

  南亞科現(xiàn)在以20納米技術(shù)為主力,技術(shù)來源為美光,。隨著南亞科10納米制程導(dǎo)入自主技術(shù),,意味未來不再仰賴美光授權(quán),每一顆產(chǎn)品都是公司自行開發(fā),,擺脫數(shù)十年來技術(shù)長期依賴國際大廠的狀況,,免除動輒上百億元的授權(quán)費用,包袱大減,。

  李培瑛表示,,南亞科已成功開發(fā)出10納米DRAM新型記憶體生產(chǎn)技術(shù),使DRAM產(chǎn)品可持續(xù)微縮至少三個時代,。第一代的10納米前導(dǎo)產(chǎn)品8Gb DDR4,、LPDDR4及DDR5將建構(gòu)在自主制程技術(shù)及產(chǎn)品技術(shù)平臺,2020下半年后將進入產(chǎn)品試產(chǎn),。

  第二代10納米制程技術(shù)已開始研發(fā)階段,,預(yù)計2022年前導(dǎo)入試產(chǎn),后續(xù)會開發(fā)第三代10納米制程技術(shù),。他強調(diào),,南亞科進入10納米制程之后,會以自行研發(fā)的技術(shù)為主,,降低授權(quán)費用支出,能大幅提升效能,。

  順應(yīng)10納米制程發(fā)展,,南亞科今年資本支出金額將高于去年的55億元。李培瑛說,,除可改善成本,,南亞科成功自主開發(fā)10納米制程技術(shù),將有助掌握朝高密度新產(chǎn)品發(fā)展機會與技術(shù)進展,。


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