《電子技術(shù)應(yīng)用》
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格芯成功研發(fā)22FDX技術(shù),能讓英特爾、三星等行業(yè)巨頭研究多年的eMRAM究竟有何魅力,?

2020-02-28
來(lái)源:與非網(wǎng)
關(guān)鍵詞: 格芯 FDX FinFET

  2 月 28 日訊,,格芯(GlobalFoundries)宣布其已經(jīng)完成了 22FDX(22 nm FD-SOI)技術(shù)開發(fā),,而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器(eMRAM)。

  eMRAM 這種綜合了 RAM 內(nèi)存,、NAND 閃存的新型非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)斷電后不會(huì)丟失數(shù)據(jù),,寫入速度則數(shù)千倍于閃存,可以兼做內(nèi)存和硬盤,,甚至統(tǒng)一兩者,。同時(shí)很關(guān)鍵的是,它對(duì)制造工藝要求低,,良品率也高得多,,可以更好地控制成本,成品價(jià)格自然不會(huì)太離譜,。

  事實(shí)上,,除了 格芯外,Intel,、IBM,、TDK,、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來(lái)一直都在研究 eMRAM,。

  eMRAM 具有許多優(yōu)勢(shì),,它不涉及電荷或電流,而是使用磁存儲(chǔ)元件,,并依賴于讀取由薄勢(shì)壘分隔的兩個(gè)鐵磁膜的磁各向異性,。該方法在寫入數(shù)據(jù)之前不需要擦除周期,這意味著更高的性能,。此外,,可以使用現(xiàn)代工藝技術(shù)生產(chǎn) MRAM,并且具有很高的耐久性,。該技術(shù)有一些缺點(diǎn),,最終將通過(guò)使用 ReRAM 的制造工藝來(lái)解決,但 格芯和三星 Foundry 認(rèn)為 MRAM 在絕大多數(shù)應(yīng)用中都具有巨大潛力,。

  格芯表示,,使用其 22FDX 和 eMRAM 工藝技術(shù)生產(chǎn)的測(cè)試芯片,在 ECC 關(guān)閉模式下,,在 -40°C 到 125°C 的工作溫度下,,具有 10 萬(wàn)個(gè)周期的耐久性和 10 年的數(shù)據(jù)保持能力。此外,,公司的 eMRAM 測(cè)試產(chǎn)品還可以通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)可靠性測(cè)試,,包括 LTOL(168 小時(shí))、HTOL(500 小時(shí))和 5x 焊料回流,,故障率

  格芯在德國(guó)德累斯頓的 Fab1 中使用 22FDX 技術(shù)生產(chǎn)這種芯片,。這種差異化 eMRAM 部署在業(yè)界最先進(jìn)的 FDX 平臺(tái)上,在易于集成的 eMRAM 解決方案中提供了高性能 RF,,低功耗邏輯和集成電源管理的獨(dú)特組合,使客戶能夠交付新一代的超高性能,,低功耗 MCU 的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,。

  eMRAM 是一種可擴(kuò)展功能,預(yù)計(jì)將在 FinFET 和未來(lái)的 FDX 平臺(tái)上推出,,作為公司先進(jìn) eNVM 路線圖的組成部分,。格芯位于德國(guó)德累斯頓 1 號(hào)晶圓廠的先進(jìn) 300mm 產(chǎn)品線將為 MRAM22FDX 的量產(chǎn)提供支持。

  此外,,格芯的 eMRAM 測(cè)試產(chǎn)品還可以通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)可靠性測(cè)試,,包括 LTOL(168 小時(shí))、HTOL(500 小時(shí))和 5x 焊料回流,,故障率<1ppm,,而生產(chǎn)中的的磁抗擾性問(wèn)題也得到了有效解決,。


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