2 月 28 日訊，格芯（GlobalFoundries）宣布其已經(jīng)完成了 22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開(kāi)發(fā),，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）,。

　　eMRAM 這種綜合了 RAM 內(nèi)存、NAND 閃存的新型非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)斷電后不會(huì)丟失數(shù)據(jù),，寫(xiě)入速度則數(shù)千倍于閃存,，可以兼做內(nèi)存和硬盤(pán),，甚至統(tǒng)一兩者,。同時(shí)很關(guān)鍵的是，它對(duì)制造工藝要求低,，良品率也高得多,，可以更好地控制成本,，成品價(jià)格自然不會(huì)太離譜。

　　事實(shí)上,，除了 格芯外,，Intel、IBM,、TDK,、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來(lái)一直都在研究 eMRAM,。

　　eMRAM 具有許多優(yōu)勢(shì),，它不涉及電荷或電流，而是使用磁存儲(chǔ)元件,，并依賴于讀取由薄勢(shì)壘分隔的兩個(gè)鐵磁膜的磁各向異性,。該方法在寫(xiě)入數(shù)據(jù)之前不需要擦除周期，這意味著更高的性能,。此外,，可以使用現(xiàn)代工藝技術(shù)生產(chǎn) MRAM，并且具有很高的耐久性,。該技術(shù)有一些缺點(diǎn),，最終將通過(guò)使用 ReRAM 的制造工藝來(lái)解決，但 格芯和三星 Foundry 認(rèn)為 MRAM 在絕大多數(shù)應(yīng)用中都具有巨大潛力,。

　　格芯表示,，使用其 22FDX 和 eMRAM 工藝技術(shù)生產(chǎn)的測(cè)試芯片，在 ECC 關(guān)閉模式下,，在 -40°C 到 125°C 的工作溫度下,，具有 10 萬(wàn)個(gè)周期的耐久性和 10 年的數(shù)據(jù)保持能力。此外,，公司的 eMRAM 測(cè)試產(chǎn)品還可以通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)可靠性測(cè)試,，包括 LTOL(168 小時(shí))、HTOL(500 小時(shí))和 5x 焊料回流,，故障率

　　格芯在德國(guó)德累斯頓的 Fab1 中使用 22FDX 技術(shù)生產(chǎn)這種芯片,。這種差異化 eMRAM 部署在業(yè)界最先進(jìn)的 FDX 平臺(tái)上，在易于集成的 eMRAM 解決方案中提供了高性能 RF,，低功耗邏輯和集成電源管理的獨(dú)特組合,，使客戶能夠交付新一代的超高性能，低功耗 MCU 的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,。

　　eMRAM 是一種可擴(kuò)展功能,，預(yù)計(jì)將在 FinFET 和未來(lái)的 FDX 平臺(tái)上推出，作為公司先進(jìn) eNVM 路線圖的組成部分,。格芯位于德國(guó)德累斯頓 1 號(hào)晶圓廠的先進(jìn) 300mm 產(chǎn)品線將為 MRAM22FDX 的量產(chǎn)提供支持,。

　　此外,，格芯的 eMRAM 測(cè)試產(chǎn)品還可以通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)可靠性測(cè)試，包括 LTOL（168 小時(shí)）,、HTOL（500 小時(shí)）和 5x 焊料回流,，故障率<1ppm，而生產(chǎn)中的的磁抗擾性問(wèn)題也得到了有效解決,。