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性價比一流:英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7超結(jié)MOSFET

2020-03-03
來源:英飛凌
關(guān)鍵詞: 英飛凌 低頻率 MOSFET

  【2020年3月3日,,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案,。對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言,新推出的600 V CoolMOS  S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效,。CoolMOS  S7系列產(chǎn)品的主要特點包括導(dǎo)通性能優(yōu)化、熱阻改進以及高脈沖電流能力,,并且具備最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),。該器件適合的應(yīng)用包括有源橋式整流器、逆變極,、PLC,、功率固態(tài)繼電器和固態(tài)斷路器等。此外,,10 m CoolMOS  S7 MOSFET是業(yè)界RDS(on)最小的器件,。

  該產(chǎn)品系列專為低頻率的開關(guān)應(yīng)用而開發(fā),旨在降低它們的導(dǎo)通損耗,,確保響應(yīng)速度最快和效率最高,。CoolMOS  S7器件甚至實現(xiàn)了比CoolMOS  7產(chǎn)品更低的RDS(on) x A,,因而能夠成功地抵消開關(guān)損耗,最終實現(xiàn)導(dǎo)通電阻降低和成本節(jié)省,。對于高壓開關(guān)而言,,CoolMOS  S7產(chǎn)品擁有市面上最低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))。此外,,10 mΩ芯片采用創(chuàng)新的頂面冷卻QDPAK封裝,,22 mΩ芯片采用先進的小型TO無引腳(TOLL)SMD封裝。這些MOSFET可助力實現(xiàn)經(jīng)濟,、簡化,、緊湊、模塊化和高效的設(shè)計,。設(shè)計出來的系統(tǒng)可以輕松滿足法規(guī)要求和能效認證標(biāo)準(zhǔn)(如適用于SMPS的Titanium標(biāo)準(zhǔn)),,也能滿足功率預(yù)算,減少零部件數(shù)量和散熱器需求,,同時降低總擁有成本(TCO),。

供貨情況

  22 m 600 V CoolMOS  S7器件擁有TO無引腳封裝和TO-220封裝,40 m和65 m器件擁有TO無引腳封裝,。10 m CoolMOS  S7 MOSFET將在2020年第四季度上市,。

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