【2020年3月3日,，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）成功開(kāi)發(fā)出滿(mǎn)足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案,。對(duì)于MOSFET低頻率開(kāi)關(guān)應(yīng)用而言,，新推出的600 V CoolMOS  S7系列產(chǎn)品可帶來(lái)領(lǐng)先的功率密度和能效。CoolMOS  S7系列產(chǎn)品的主要特點(diǎn)包括導(dǎo)通性能優(yōu)化,、熱阻改進(jìn)以及高脈沖電流能力，并且具備最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),。該器件適合的應(yīng)用包括有源橋式整流器,、逆變極、PLC,、功率固態(tài)繼電器和固態(tài)斷路器等,。此外，10 m CoolMOS  S7 MOSFET是業(yè)界RDS(on)最小的器件,。

　　該產(chǎn)品系列專(zhuān)為低頻率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用而開(kāi)發(fā),，旨在降低它們的導(dǎo)通損耗,，確保響應(yīng)速度最快和效率最高。CoolMOS  S7器件甚至實(shí)現(xiàn)了比CoolMOS  7產(chǎn)品更低的RDS(on) x A,，因而能夠成功地抵消開(kāi)關(guān)損耗,，最終實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電阻降低和成本節(jié)省。對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)而言,，CoolMOS  S7產(chǎn)品擁有市面上最低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）,。此外，10 mΩ芯片采用創(chuàng)新的頂面冷卻QDPAK封裝,，22 mΩ芯片采用先進(jìn)的小型TO無(wú)引腳（TOLL）SMD封裝,。這些MOSFET可助力實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)、簡(jiǎn)化,、緊湊,、模塊化和高效的設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)出來(lái)的系統(tǒng)可以輕松滿(mǎn)足法規(guī)要求和能效認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)（如適用于SMPS的Titanium標(biāo)準(zhǔn)）,，也能滿(mǎn)足功率預(yù)算,，減少零部件數(shù)量和散熱器需求，同時(shí)降低總擁有成本（TCO）,。

供貨情況

　　22 m 600 V CoolMOS  S7器件擁有TO無(wú)引腳封裝和TO-220封裝,，40 m和65 m器件擁有TO無(wú)引腳封裝。10 m CoolMOS  S7 MOSFET將在2020年第四季度上市,。