臺積電,、三星今年就要量產(chǎn)5nm工藝了,，國內(nèi)的先進工藝還在追趕，最大的晶圓代工廠中芯國際去年底量產(chǎn)了14nm工藝，帶來了1％的營收,，收入769萬美元,，不過該工藝技術(shù)已經(jīng)可以滿足國內(nèi)95％的需求了,。

14nm及改進型的12nm工藝是中芯國際第一代FinFET工藝,，他們還在研發(fā)更先進的N＋1括N＋2 FinFET工藝，分別相當(dāng)于7nm工藝的低功耗,、高性能版本,。

根據(jù)中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松博士所示，N＋1工藝和14nm相比,，性能提升了20％,，功耗降低了57％，邏輯面積縮小了63％,，SoC面積減少了55％,。

N＋1之后還會有N＋2,，這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多,，區(qū)別在于 性能及成本，N＋2顯然是面向高性能的,，成本也會增加,。

至于備受關(guān)注的EUV光刻機，梁孟松表示在當(dāng)前的環(huán)境下,，N＋1,、N＋2代工藝都不會使用EUV工藝，等到設(shè)備就緒之后,，N＋2工藝可能會有幾層光罩使用EUV,，之后的工藝才會大規(guī)模轉(zhuǎn)向EUV光刻工藝,。

現(xiàn)在最關(guān)鍵的是中芯國際的7nm何時量產(chǎn)，最新消息稱中芯國際的N＋1 FinFET工藝已經(jīng)有客戶導(dǎo)入了（不過沒公布客戶名單）,，今年Q4季度小規(guī)模生產(chǎn)——這個消息比之前的爆料要好一些,，進度更快。

為了加快先進工藝產(chǎn)能,，中芯國際今年的資本開支將達到31億美元（該公司一年營收也不過30億美元上下）,，其中20億美元用于中芯國際的上海12英寸晶圓廠，5億美元用于北京12英寸晶圓廠,。

作者：憲瑞