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CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊

2020-03-05
來源:CISSOID
關鍵詞: CISSOID SiC 智能功率

  比利時·蒙-圣吉貝爾,2020年3月5日 – 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布,,將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn),,并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案,,即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊,。

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  這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制,,對于電動汽車(EV)整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效,、更簡潔電機驅(qū)動的電動機制造商而言,該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間,。

  該可擴展平臺中的第一款產(chǎn)品是一個三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模塊,,它具有低導通損耗特性,導通電阻為3.25毫歐(mOhm),,同時具有低開關損耗特性,,在600V/300A時導通和關斷能量分別為8.3mJ和11.2mJ。相比最先進的IGBT功率模塊,,其將損耗降低了至少三倍,。新模塊通過一個輕質(zhì)的鋁碳化硅(AlSiC)針翅底板進行水冷,,結(jié)到流體的熱阻為0.15°C / W。該智能功率模塊可承受高達3600V的隔離電壓(經(jīng)過50Hz,、1分鐘的耐壓測試),。

  內(nèi)置的柵極驅(qū)動器包括3個板載隔離電源(每相1個),可提供每相高達5W的功率,,從而可以在高達125°C的環(huán)境溫度下輕松驅(qū)動頻率高達25KHz的功率模塊,。高達10A的峰值柵極電流和對高dV/dt(> 50KV/?s)的抗擾性可實現(xiàn)功率模塊的快速開關和低開關損耗。還具備欠壓鎖定(UVLO),、有源米勒鉗位(AMC),、去飽和檢測和軟關斷(SSD)等保護功能,,以確保一旦發(fā)生故障時可以安全地驅(qū)動功率模塊并提供可靠的保護,。

  “開發(fā)和優(yōu)化快速開關碳化硅功率模塊并可靠地驅(qū)動它們?nèi)允且粋€挑戰(zhàn),”CISSOID首席執(zhí)行官Dave Hutton表示,?!斑@款新型碳化硅智能功率模塊是在功率模塊和柵極驅(qū)動器方面進行多年開發(fā)的成果,這源于我們和汽車與交通運輸領域領導者們的密切合作,。我們很樂意向早期的碳化硅器件采用者提供首批智能功率模塊樣品,,從而去支持汽車行業(yè)向高效的電動汽車解決方案過渡?!?/p>

  


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