奈梅亨,，三月 10, 2020：Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF,，這是業(yè)內(nèi)首款專門針對USB4TM標準開發(fā)的ESD保護器件，具有行業(yè)領(lǐng)先的RF性能,。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術(shù)與有源可控硅（SCR）技術(shù),，USB4TM和Thunderbolt接口設(shè)計工程師將會特別感興趣,。該器件可實現(xiàn)極低電容（低至0.1 pF）；極低鉗位電壓 動態(tài)電阻低至0.1 ?）以及非常穩(wěn)健的防浪涌與ESD性能（,，最高可達20A 8/20 μs）,。PESD2V8R1BSF采用超低電感SOD962封裝。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider評論道：“為避免信號完整性問題,，PESD2V8R1BSF ESD保護二極管提供極低的插入損耗和相應(yīng)的低回波損耗,，在10 GHz時分別為-0.21 dB和-17.4 dB。該ESD保護器件可滿足USB 3.2的較高電壓要求,。這意味著,，該器件可放置在USB Type-C?連接器后面，用于保護耦合電容,，同時仍與USB3.2向后兼容?！?/p>

TrEOS保護二極管采用非常緊湊,、非常可靠的DSN0603-2 (SOD962)封裝,。這種廣泛使用的0603外形尺寸能夠帶來諸多優(yōu)勢,，包括電感極低，可提供快速保護,，并且可集成到單片電路中,，無需焊線，從而減少了機械應(yīng)力和熱應(yīng)力,。

如需了解新款ESD保護器件PESD2V8R1BSF的更多信息（包括產(chǎn)品規(guī)格和數(shù)據(jù)手冊）,，請訪問www.nexperia.com/USB4protection

關(guān)于Nexperia

Nexperia是分立器件、MOSFET器件,、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域高產(chǎn)能的生產(chǎn)專家,，其器件符合汽車工業(yè)的嚴苛標準。Nexperia非常注重效率,，能持續(xù)不斷地滿足全球各類電子設(shè)計基礎(chǔ)器件的生產(chǎn)需求：年產(chǎn)量高達900億件,。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸,、功率及性能）方面已經(jīng)成為行業(yè)基準,，擁有業(yè)內(nèi)最小尺寸的封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間,。

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗,，Nexperia一直為全球各地的領(lǐng)先企業(yè)提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲,、歐洲和美國擁有超過11,000名員工,。公司擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合,，并獲得了IATF 16949、ISO 9001,、ISO 14001和OHSAS 18001認證,。

Nexperia：效率致勝。