GlobalFoundries,、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作,，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT－MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存）,，包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。

MRAM是一種非易失性存儲,，其前景被廣泛看好,，Intel、IBM,、TDK,、三星,、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM,、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存,，但同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存,、閃存的優(yōu)點(diǎn)。

STT－MRAM則進(jìn)一步通過自旋電流實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)寫入,，具備結(jié)構(gòu)簡單,、成本低、損耗小,、速度快等一系列優(yōu)點(diǎn),，只是容量密度提升困難，所以想取代內(nèi)存,、閃存暫時不現(xiàn)實(shí),，但非常適合用在各種嵌入式領(lǐng)域。

GF,、Everspin的良好合作由來已久,，2012年的第一代STT－MRAM就是用GF 40nm制造的，單顆容量32MB,，2019年的第二代則升級為GF 28nm,，單顆容量翻了兩番達(dá)到128MB。

就在日前,，GF 22FDX工藝成功試產(chǎn)了eMRAM,，－40℃到125℃環(huán)境下可工作10萬個周期，數(shù)據(jù)保持可長達(dá)10年,。

進(jìn)一步升級到12nm,，自然有利于進(jìn)一步提升MRAM的容量密度，并繼續(xù)降低成本,，尤其是隨著MRAM芯片容量的提高,，迫切需要更先進(jìn)的工藝。

GF 12nm工藝包括12LP,、12LP＋兩個版本,，雖然算不上多先進(jìn)但也有廣闊的用武之地，尤其適合控制器,、微控制器等,，比如群聯(lián)電子、Sage的不少企業(yè)級SSD主控都計(jì)劃加入eMRAM,，從而提升性能,、降低延遲,、提高QoS。

雖然大家可能覺得沒見過MRAM,，不過Everspin宣稱已經(jīng)向100多家客戶出貨了1．25億顆MRAM芯片,，還援引報告稱到2029年獨(dú)立MRAM芯片銷售額可達(dá)40億美元。

作者：上方文Q