電子電路中,，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來(lái)使用,，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似,，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管,？

　　下面我們就來(lái)了解一下,，MOS 管和 IGBT 管到底有什么區(qū)別吧！

　　什么是 MOS 管,？

　　場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型,，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS 管）。

　　MOS 管即 MOSFET,，中文全稱是金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,。

　　MOSFET 又可分為 N 溝耗盡型和增強(qiáng)型,；P 溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

　　▲ MOSFET 種類與電路符號(hào)

　　有的 MOSFET 內(nèi)部會(huì)有個(gè)二極管,，這是體二極管,，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管,。

　　關(guān)于寄生二極管的作用,，有兩種解釋：

　　1、MOSFET 的寄生二極管,，作用是防止 VDD 過(guò)壓的情況下,，燒壞 MOS 管，因?yàn)樵谶^(guò)壓對(duì) MOS 管造成破壞之前,，二極管先反向擊穿,，將大電流直接到地，從而避免 MOS 管被燒壞,。

　　2,、防止 MOS 管的源極和漏極反接時(shí)燒壞 MOS 管，也可以在電路有反向感生電壓時(shí),，為反向感生電壓提供通路,，避免反向感生電壓擊穿 MOS 管。

　　MOSFET 具有輸入阻抗高,、開關(guān)速度快,、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性,，在電路中,，可以用作放大器,、電子開關(guān)等用途。

　　什么是 IGBT,？

　　IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和 MOS 管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件,。

　　IGBT 作為新型電子半導(dǎo)體器件,，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低,，控制電路簡(jiǎn)單,，耐高壓，承受電流大等特性,，在各種電子電路中獲得極廣泛的應(yīng)用,。

　　IGBT 的電路符號(hào)至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時(shí)一般是借用三極管,、MOS 管的符號(hào),，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號(hào)來(lái)判斷是 IGBT 還是 MOS 管。

　　同時(shí)還要注意 IGBT 有沒(méi)有體二極管,，圖上沒(méi)有標(biāo)出并不表示一定沒(méi)有,，除非官方資料有特別說(shuō)明,，否則這個(gè)二極管都是存在的,。

　　IGBT 內(nèi)部的體二極管并非寄生的，而是為了保護(hù) IGBT 脆弱的反向耐壓而特別設(shè)置的,，又稱為 FWD（續(xù)流二極管）,。

　　判斷 IGBT 內(nèi)部是否有體二極管也并不困難，可以用萬(wàn)用表測(cè)量 IGBT 的 C 極和 E 極,，如果 IGBT 是好的,，C、E 兩極測(cè)得電阻值無(wú)窮大,，則說(shuō)明 IGBT 沒(méi)有體二極管,。

　　IGBT 非常適合應(yīng)用于如交流電機(jī)、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域,。

　　MOS 管和 IGBT 的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

　　MOS 管和 IGBT 管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示,。

　　IGBT 是通過(guò)在 MOSFET 的漏極上追加層而構(gòu)成的。

　　IGBT 的理想等效電路如下圖所示,，IGBT 實(shí)際就是 MOSFET 和晶體管三極管的組合,，MOSFET 存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn),，但 IGBT 克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí) IGBT 仍具有較低的導(dǎo)通電阻,。

　　另外,，相似功率容量的 IGBT 和 MOSFET，IGBT 的速度可能會(huì)慢于 MOSFET,，因?yàn)?IGBT 存在關(guān)斷拖尾時(shí)間,，由于 IGBT 關(guān)斷拖尾時(shí)間長(zhǎng)，死區(qū)時(shí)間也要加長(zhǎng),，從而會(huì)影響開關(guān)頻率,。

　　選擇 MOS 管還是 IGBT？

　　在電路中,，選用 MOS 管作為功率開關(guān)管還是選擇 IGBT 管,，這是工程師常遇到的問(wèn)題，如果從系統(tǒng)的電壓,、電流,、切換功率等因素作為考慮，可以總結(jié)出以下幾點(diǎn)：

　　也可從下圖看出兩者使用的條件,，陰影部分區(qū)域表示 MOSFET 和 IGBT 都可以選用,，“？”表示當(dāng)前工藝還無(wú)法達(dá)到的水平,。

　　總的來(lái)說(shuō),，MOSFET 優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百 kHz,、上 MHz,，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場(chǎng)合功耗較大；而 IGBT 在低頻及較大功率場(chǎng)合下表現(xiàn)卓越,，其導(dǎo)通電阻小,，耐壓高。

　　MOSFET 應(yīng)用于開關(guān)電源,、鎮(zhèn)流器,、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī),、通信電源等等高頻電源領(lǐng)域,；IGBT 集中應(yīng)用于焊機(jī)、逆變器,、變頻器,、電鍍電解電源、超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域,。