一般認為MOSFET是電壓驅(qū)動的,，不需要驅(qū)動電流,。然而，在MOS的G S兩級之間有結(jié)電容存在,，這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單,。

    如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關速度越快越好,，因為開關時間越短,，開關損耗越小，而在開關電源中開關損耗占總損耗的很大一部分,，因此MOS管驅(qū)動電路的好壞直接決定了電源的效率,。     

對于一個MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時間越短,，那么MOS管開啟的速度就會越快,。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時間越短,，那么MOS管關斷的速度也就越快,。     

由此我們可以知道，如果想在更短的時間內(nèi)把GS電壓拉高或者拉低,，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅(qū)動電流,。     

大家常用的PWM芯片輸出直接驅(qū)動MOS或者用三極管放大后再驅(qū)動MOS的方法，其實在瞬間驅(qū)動電流這塊是有很大缺陷的,。    

 比較好的方法是使用專用的MOSFET驅(qū)動芯片如TC4420來驅(qū)動MOS管,，這類的芯片一般有很大的瞬間輸出電流,，而且還兼容TTL電平輸入，MOSFET驅(qū)動芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下：

    MOS驅(qū)動電路設計需要注意的地方：     因為驅(qū)動線路走線會有寄生電感,，而寄生電感和MOS管的結(jié)電容會組成一個LC振蕩電路,，如果直接把驅(qū)動芯片的輸出端接到MOS管柵極的話，在PWM波的上升下降沿會產(chǎn)生很大的震蕩,，導致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸,，一般的解決方法是在柵極串聯(lián)10歐左右的電阻，降低LC振蕩電路的Q值,，使震蕩迅速衰減掉,。   

  因為MOS管柵極高輸入阻抗的特性，一點點靜電或者干擾都可能導致MOS管誤導通,，所以建議在MOS管G S之間并聯(lián)一個10K的電阻以降低輸入阻抗,。相關文章：深度講解三極管和MOS管下拉電阻的作用。     如果擔心附近功率線路上的干擾耦合過來產(chǎn)生瞬間高壓擊穿MOS管的話,，可以在GS之間再并聯(lián)一個18V左右的TVS瞬態(tài)抑制二極管,。

    TVS可以認為是一個反應速度很快的穩(wěn)壓管，其瞬間可以承受的功率高達幾百至上千瓦,，可以用來吸收瞬間的干擾脈沖,。    

MOS管驅(qū)動電路參考：

MOS管驅(qū)動電路的布線設計    

MOS管驅(qū)動線路的環(huán)路面積要盡可能小，否則可能會引入外來的電磁干擾,。     驅(qū)動芯片的旁路電容要盡量靠近驅(qū)動芯片的VCC和GND引腳,，否則走線的電感會很大程度上影響芯片的瞬間輸出電流。

    常見的MOS管驅(qū)動波形,，如下圖,。

    如果出現(xiàn)了這樣圓不溜秋的波形就等著核爆吧。有很大一部分時間管子都工作在線性區(qū),，損耗極其巨大。     一般這種情況是布線太長電感太大,，柵極電阻都救不了你,，只能重新畫板子。

    高頻振鈴嚴重的毀容方波,。     

在上升下降沿震蕩嚴重,，這種情況管子一般瞬間死掉，跟上一個情況差不多,，進線性區(qū),。     

原因也類似，主要是布線的問題,。又胖又圓的肥豬波,。     上升下降沿極其緩慢,，這是因為阻抗不匹配導致的。     芯片驅(qū)動能力太差或者柵極電阻太大,。     

果斷換大電流的驅(qū)動芯片,，柵極電阻往小調(diào)調(diào)就OK了。     打腫臉充正弦的生于方波他們家的三角波,。     驅(qū)動電路阻抗超大發(fā)了,。此乃管子必殺波。解決方法同上,。

    大眾臉型,，人見人愛的方波。     高低電平分明,，電平這時候可以叫電平了,，因為它平。邊沿陡峭,，開關速度快,，損耗很小，略有震蕩,，可以接受,，管子進不了線性區(qū)，強迫癥的話可以適當調(diào)大柵極電阻,。

    方方正正的帥哥波,，無振鈴無尖峰無線性損耗的三無產(chǎn)品，這就是最完美的波形了,。

更多信息可以來這里獲取==>>電子技術應用-AET<<