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科銳推出新型650V MOSFET,,提供業(yè)界領(lǐng)先效率

2020-04-02
來(lái)源:與非網(wǎng)

作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳(Cree Inc., 美國(guó)納斯達(dá)克上市代碼:CREE)公司,,于近日宣布推出 Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合,,適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用,,助力新一代電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電,、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用,,提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率,。

 

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Wolfspeed 高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理 Cengiz Balkas 表示:“科銳引領(lǐng)從硅向碳化硅的全球產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,。我們的新型 650V MOSFET 系列邁進(jìn)了一步,為包括工業(yè)應(yīng)用在內(nèi)的更多應(yīng)用領(lǐng)域提供高功率解決方案,。650V MOSFET 所提供的優(yōu)異功率效率,,助力現(xiàn)今最大的技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)開(kāi)發(fā)新一代電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電,、數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能方案等,,幫助重塑我們的云技術(shù)和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施,。”

 

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新型 15 mΩ 和 60 mΩ 650V 器件,,采用科銳業(yè)界領(lǐng)先的第 3 代 C3M MOSFET 技術(shù),,比之競(jìng)品碳化硅 MOSFET,可最高降低 20%開(kāi)關(guān)損耗,,為更高效率和更高功率密度的解決方案提供更低的導(dǎo)通電阻,。終端用戶(hù)將在各種不同應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的功率使用效率、降低散熱需求,、業(yè)界領(lǐng)先的可靠性,,從而實(shí)現(xiàn)更低的總體擁有成本,并從中獲益,。

 

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與硅基方案相比較,,Wolfspeed 新型 650V 碳化硅 MOSFET 能夠降低 75%開(kāi)關(guān)損耗和 50%導(dǎo)通損耗,,從而有望帶來(lái) 300%功率密度提升,。設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在可以滿足甚至超越業(yè)界極為嚴(yán)苛的效率標(biāo)準(zhǔn),這其中包括了針對(duì)服務(wù)器電源的 80 Plus? Titanium 要求,。

 

新型 650V MOSFET 系列同樣也適合于電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的車(chē)載充電機(jī),。更高的效率和更快的開(kāi)關(guān),幫助客戶(hù)在設(shè)計(jì)更小尺寸方案時(shí)仍能獲得附加性能,。Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 能夠助力車(chē)載充電機(jī)實(shí)現(xiàn)雙向充電功能,,無(wú)需在系統(tǒng)的尺寸、重量,、復(fù)雜度等方面進(jìn)行權(quán)衡妥協(xié),。與此同時(shí),,Wolfspeed 在車(chē)用 AEC-Q101 認(rèn)證方面的經(jīng)驗(yàn),以及業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的 E- 系列 MOSFET,,都為之后車(chē)用認(rèn)證 650V MOSFET 鋪平了道路,。

 

其它工業(yè)應(yīng)用,比如多用途開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),,也可以從科銳這家全球業(yè)界領(lǐng)先的垂直整合碳化硅技術(shù)供應(yīng)商所開(kāi)發(fā)的新型 650V 碳化硅 MOSFET 優(yōu)勢(shì)中獲益,。

 

Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)插件及貼片封裝,現(xiàn)已可獲取,。


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