數(shù)據(jù)是當今世界最有價值的商品之一。趨勢如即將開啟的5G意味著大量數(shù)據(jù)將能快速移動,，從而支持數(shù)據(jù)密集型格式如虛擬實境(VR) / 增強實境(AR)所需的視頻內(nèi)容的進一步增長。我們越趨轉(zhuǎn)向云來保護這些重要信息,。

    隨著數(shù)據(jù)存儲成本的降低，對舊數(shù)據(jù)的整理變得不那么重要-所需的存儲容量正以前所未有的速度呈螺旋式增長,。因此,，保持數(shù)據(jù)中心正常運行所需的電力非常重要，且還在持續(xù)快速增長,。估計目前數(shù)據(jù)中心消耗3%的美國電力,，預計到2040年將達到15%。

    能源昂貴,，確保足夠的電力可用是數(shù)據(jù)中心運營商面臨的主要挑戰(zhàn),。另一個昂貴的商品是空間占位，數(shù)據(jù)中心的占位也在增加,，以容納每年增加一千萬臺服務器,。為了控制成本，數(shù)據(jù)中心運營商正謀求使用更少的電力,，并減少其占位,。

    為實現(xiàn)這些目標,，電源系統(tǒng)必須提高能效，減少廢熱,，減少熱管理問題，并且功率密度可增加,，從而減小整體尺寸,。因提高能效而降低溫度也有助于提高可靠性，這在數(shù)據(jù)中心中非常有用,。

    為了實現(xiàn)這性能和可靠性,，電源系統(tǒng)越來越精密，且集成度更高,，尤其是在功率開關MOSFET及其相關驅(qū)動器領域,。更多的功能被納入以確保最高水平的正常運行時間，包括熱插拔設備如風扇和磁盤驅(qū)動器的能力,。

    功率密度的下一級水平是智能功率級(SPS)方案,，集成MOSFET、驅(qū)動器和檢測電流及溫度的感測器,。這方案支持構成部分相互匹配和優(yōu)化,，從而實現(xiàn)分立方案無法實現(xiàn)的性能水平。

    MOSFET技術已顯著改進,，能在非常高效和緊湊的封裝中集成控制IC和MOSFET,。例如，安森美半導體最近推出了NCP3284 1MHz DC-DC轉(zhuǎn)換器,，具有30A能力,，并提供多種保護功能，占位5mm x 6mm,。以更高的頻率工作可減小外部無源器件的尺寸,，從而增加整體功率密度。

    eFuse如NIS5020,、NIS5820和NIS6150在數(shù)據(jù)中心應用中發(fā)揮重要作用,。這些基于智能半導體的器件在電力系統(tǒng)中至關重要，需要在移除負載時保持電源接通,。這樣,，就可以先更換出現(xiàn)故障的部件如風扇或磁盤驅(qū)動器等，并允許進行例行維護如升級磁盤驅(qū)動器,，同時保持系統(tǒng)運行,。

    數(shù)據(jù)中心中電源相關技術最重大的變化也許是用現(xiàn)代寬禁帶材料如氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)替代傳統(tǒng)的硅基器件的趨勢?；谶@些材料的器件不僅能在更高的頻率和更高的溫度下運行,，而且本質(zhì)上能效更高,，從而創(chuàng)建了數(shù)據(jù)中心所需的更小、更冷卻,、更可靠的高能效方案,。

    盡管SiC 基MOSFET的成本仍高于硅基MOSFET，但成本卻下降了,，電感和電容器的相關節(jié)省(其值低于硅設計)意味著SiC基電源方案的物料單(BoM)成本現(xiàn)在比硅設計更低,。預計這將成為轉(zhuǎn)折點，導致更快地采用WBG技術,，從而進一步降低成本,。