《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設(shè)計 > 業(yè)界動態(tài) > 臺積電首次公布3nm工藝詳情:FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)

臺積電首次公布3nm工藝詳情:FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)

2020-04-18
來源: 快科技
關(guān)鍵詞: 臺積電 3nm FinFET技術(shù) CPU

    盡管2020年全球半導(dǎo)體行業(yè)會因為疫情導(dǎo)致下滑,,但臺積電的業(yè)績不降反升,掌握著7nm,、5nm先進工藝的他們更受客戶青睞,。今天的財報會上,臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情,,預(yù)定在2022年下半年量產(chǎn),。

    臺積電原本計劃4月29日在美國舉行技術(shù)論壇,正式公布3nm工藝詳情,,不過這個技術(shù)會議已經(jīng)延期到8月份,,今天的Q1財報會議上才首次對外公布3nm工藝的技術(shù)信息及進度。

    臺積電表示,,3nm工藝研發(fā)符合預(yù)期,,并沒有受到疫情影響,預(yù)計在2021年進入風(fēng)險試產(chǎn)階段,,2022年下半年量產(chǎn),。

    在技術(shù)路線上,臺積電評估多種選擇后認為現(xiàn)行的FinFET工藝在成本及能效上更佳,,所以3nm首發(fā)依然會是FinFET晶體管技術(shù),。

    在3nm節(jié)點上,,臺積電最大的對手是三星,后者押注3nm節(jié)點翻身,,所以進度及技術(shù)選擇都很激進,,將會淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環(huán)繞柵極晶體管。

    根據(jù)三星的信息,,相較于7nm FinFET工藝,,3nm工藝可以減少50%的能耗,增加30%的性能,。

    至于量產(chǎn)時間,,三星之前計劃在2021年量產(chǎn),不過因為疫情影響,,現(xiàn)在也推遲到了2022年,,但沒有明確是上半年還是下半年,他們與臺積電誰能首發(fā)3nm工藝還沒定論,。

    隨著3nm工藝的臨近,,人類正在逼近硅基半導(dǎo)體的極限,此前臺積電有信心將工藝推進到2nm甚至1nm,,但還是紙面上的,,相關(guān)技術(shù)并沒有走出實驗室呢。

    如果不能解決一系列難題,,3nm工藝很有可能是未來CPU等芯片的極限了,。

   

0e4b780ec46fbfca4984b9c6d9c19b30.jpg

 

    

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點,。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。