5月26日消息，根據(jù)韓國(guó)媒體ZDnet Korea 的報(bào)導(dǎo)，近年來，受惠于人工智能（AI）芯片需求的強(qiáng)勁成長(zhǎng)，臺(tái)積電正積極提升其先進(jìn)制程的生產(chǎn)比例。尤其是當(dāng)前已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)的3nm制程，以及即將要進(jìn)入量產(chǎn)的2nm制程技術(shù)，更是觀察其半導(dǎo)體市場(chǎng)健康狀態(tài)的重點(diǎn)。

報(bào)道稱，臺(tái)積電已經(jīng)量產(chǎn)的3nm制程的產(chǎn)能利用率，在過去一段時(shí)間內(nèi)有顯著提升。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Counterpoint Research 的報(bào)告，自量產(chǎn)以來，3nm制程經(jīng)過五季的提升，首次達(dá)到了100%的利用率狀況。帶動(dòng)這股強(qiáng)勁需求的，首先是對(duì)x86 PC 中央處理器（CPU）的需求大幅提升，以及其他應(yīng)用處理器，這些芯片廣泛應(yīng)用于高效能運(yùn)算和旗艦智能手機(jī)上。其中包含了蘋果用于其最新產(chǎn)品的A17 Pro 和A18 Pro 芯片。

展望未來，隨著下一代AI半導(dǎo)體，例如英偉達(dá)即將推出的Rubin GPU、Google 自主研發(fā)的TPU v7，以及亞馬遜AWS 的Trainium 3 等AI 芯片逐步導(dǎo)入，預(yù)期將進(jìn)一步維持3nm制程的高產(chǎn)能利用率，這突顯了PC、行動(dòng)處理器與先進(jìn)AI 芯片對(duì)于最尖端制程的強(qiáng)烈需求。

相較于3nm制程，臺(tái)積電較成熟的節(jié)點(diǎn)制程，如7nm、6nm，以及5nm、4nm等因?yàn)槭袌?chǎng)主要?jiǎng)幽苡兴煌Ｆ渲校?nm、6nm制程主要針對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)，該制程的利用率曾在2020年因當(dāng)時(shí)智能手機(jī)需求的激增而達(dá)到頂峰，然而產(chǎn)能擴(kuò)張?jiān)谶^去相對(duì)緩慢。

而5、4nm制程的情況則呈現(xiàn)了另一種趨勢(shì)，雖然也針對(duì)智能手機(jī)，但其利用率在經(jīng)歷一段時(shí)間的調(diào)整后，于2023年中旬開始逐步復(fù)蘇，并展現(xiàn)出反彈的動(dòng)能。這種復(fù)蘇狀況在很大程度上并非完全來自智能手機(jī)的復(fù)蘇，而是主要?dú)w功于對(duì)AI 加速器芯片需求的爆炸性成長(zhǎng)。例如，英偉達(dá)用于AI 數(shù)據(jù)中心的H100、B100、B200，以及最新發(fā)布的GB200 等高性能AI 芯片，其生產(chǎn)便大量使用了5nm、4nm制程。這些AI 芯片需求的激增，有效推動(dòng)了AI 數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展，進(jìn)而顯著提升了臺(tái)積電5nm、4nm制程的整體利用率，這也代表AI 的應(yīng)用開已經(jīng)始影響了被視為成熟節(jié)點(diǎn)的利用率。

放眼未來，臺(tái)積電的下一代的2nm制程技術(shù)，其預(yù)計(jì)將以一種前所未有的速度達(dá)到產(chǎn)能利用率的滿載。因?yàn)椋A(yù)估臺(tái)積電的2nm制程僅需四季即可達(dá)到滿產(chǎn)的產(chǎn)能利用率階段，這個(gè)速度比過去任何一個(gè)新制程節(jié)點(diǎn)都要快。這種超高的爬升速度，被市場(chǎng)解讀為智能手機(jī)和人工智能應(yīng)用同時(shí)出現(xiàn)的強(qiáng)勁，且龐大需求的結(jié)果。

根據(jù)臺(tái)積電在2025年第一季的財(cái)報(bào)會(huì)議上透露的信息，未來2nm制程在量產(chǎn)后的前兩年內(nèi)，預(yù)計(jì)將迎來比3nm和5nm、4nm制程更多的全新設(shè)計(jì)案。而這些新設(shè)計(jì)和需求的主要驅(qū)動(dòng)力將來自于智慧型手機(jī)和高效能運(yùn)算應(yīng)用。除了核心客戶蘋果之外，目前已知包括高通、聯(lián)發(fā)科、英特爾和AMD 等全球主要的IC 設(shè)計(jì)公司，以及整合元件制造商（IDM），都正在積極考慮或規(guī)劃導(dǎo)入臺(tái)積電的2nm技術(shù)。這些關(guān)鍵客戶的采用，預(yù)期將會(huì)是維持2nm制程達(dá)到并維持高運(yùn)轉(zhuǎn)率的關(guān)鍵因素。