近日，臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情,，其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2,！

　　作為參考,，采用臺積電7nm EUV工藝的麒麟990 5G尺寸113.31mm2，晶體管密度103億,，平均下來是0.9億/mm2,，3nm工藝晶體管密度是7nm的3.6倍。這個密度形象化比喻一下,，就是將奔騰4處理器縮小到針頭大小,。

　　性能提升上，臺積電5nm較7nm性能提升15%,，能耗提升30%,，而3nm較5nm性能提升7%，能耗提升15%,。

　　此外臺積電還表示,，3nm工藝研發(fā)符合預(yù)期，并沒有受到疫情影響,，預(yù)計在2021年進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段,，2022年下半年量產(chǎn)。

　　工藝上,，臺積電評估多種選擇后認(rèn)為現(xiàn)行的FinFET工藝在成本及能效上更佳,，所以3nm首發(fā)依然會是FinFET晶體管技術(shù),。

　　但臺積電老對手三星則押寶3nm節(jié)點(diǎn)翻身，所以進(jìn)度及技術(shù)選擇都很激進(jìn),，將會淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環(huán)繞柵極晶體管,。