6月4日,，武漢新芯集成電路制造有限公司透露,，其自主研發(fā)的50納米浮柵式代碼型閃存（SPI NOR Flash）芯片已全線量產(chǎn),。

目前，在全球NOR Flash存儲芯片領(lǐng)域,，業(yè)界通用技術(shù)為65納米。武漢新芯新一代50納米技術(shù),，已逼近此類芯片的物理極限,，無論是存儲單元面積還是存儲密度，均達(dá)到國際先進(jìn)水平,。

據(jù)了解,，武漢新芯50納米閃存技術(shù)于2019年12月取得突破，隨后投入量產(chǎn)準(zhǔn)備,。從65納米到50納米的躍升,，武漢新芯用了18個月。

Flash指非易失性存儲介質(zhì),。此次量產(chǎn)產(chǎn)品為寬電源電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC,，容量覆蓋16兆到256兆。性能測試顯示,，在1.65伏至3.6伏電壓范圍內(nèi),，該系列NOR Flash存儲芯片的工作頻率可達(dá)133兆赫，即使在零下40℃或105℃這種極端溫度下,，依然不會停止“芯跳”,。其無障礙重復(fù)擦寫可達(dá)10萬次，數(shù)據(jù)保存時間長達(dá)20年,。

研發(fā)人員介紹,，作為NOR Flash存儲芯片中的“閃電俠”，該芯片在連續(xù)讀取模式下,，能實現(xiàn)高效的存儲器訪問,，僅需8個時鐘的指令周期,，即可讀取24位地址。不僅如此,，它還可使便攜式設(shè)備的電池壽命延長1.5倍以上,，令用戶通過寬電壓功能實現(xiàn)更好的庫存管理。

“對此次研發(fā)而言,，最難的挑戰(zhàn)是速度,、功耗和可靠性?！蔽錆h新芯運營中心副總裁孫鵬說,，隨著50納米NOR閃存的重大突破，武漢新芯將在性能和成本上進(jìn)一步提高競爭力,，針對快速發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)和5G市場,，持續(xù)研發(fā)自有品牌的閃存產(chǎn)品，不斷拓展產(chǎn)品線,。

近期,，武漢新芯與業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)核心芯片和解決方案平臺樂鑫科技達(dá)成長期戰(zhàn)略合作，雙方將圍繞物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場,，在物聯(lián)網(wǎng),、存儲器芯片與應(yīng)用方案開發(fā)上展開合作。樂鑫科技CEO張瑞安表示,，武漢新芯NOR Flash存儲芯片,，支持低功耗、寬電壓工作,，能滿足該平臺全系物聯(lián)網(wǎng)芯片,、智能家居及工業(yè)模組的應(yīng)用要求。

武漢新芯成立于2006年,，專注于NOR Flash存儲芯片的研發(fā)制造,，并以全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體三維集成制造技術(shù)，在圖像傳感器,、射頻芯片,、DRAM存儲器等產(chǎn)品上，不斷實現(xiàn)性能和架構(gòu)突破,。