就像人腦中有專(zhuān)門(mén)負(fù)責(zé)記憶功能的記憶區(qū),,智能設(shè)備也都必須要有具備“記憶功能”的存儲(chǔ)器,。
所以理所當(dāng)然的,,存儲(chǔ)器成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支,。全球半導(dǎo)體協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示,,存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè) 2019 年全球銷(xiāo)售額約1200億美元,,約占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收4121億美元的30%,。
但是過(guò)去中國(guó)在核心技術(shù)上長(zhǎng)期受制于人,,存儲(chǔ)器這個(gè)領(lǐng)域,中國(guó)市場(chǎng)對(duì)美日韓企業(yè)的依賴尤其嚴(yán)重,。
存儲(chǔ)器市場(chǎng)被瓜分殆盡
中國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng),,同樣也是最大的存儲(chǔ)器市場(chǎng)。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示,,2019 年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模為 415.8 億美元,,占據(jù)近 35%的全球銷(xiāo)售額。也就是說(shuō),,我國(guó)的存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模在全球占比超過(guò)1/3,。
然而,在龐大的市場(chǎng)規(guī)模下,,芯片嚴(yán)重依賴進(jìn)口,,仍然是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)多來(lái)年的真實(shí)處境。
長(zhǎng)期以來(lái),,我國(guó)都不具備存儲(chǔ)芯片自產(chǎn)能力,。國(guó)內(nèi)相關(guān)市場(chǎng)被美光、西部數(shù)據(jù),、鎧俠(東芝),、三星、 SK 海力士這些美日韓企業(yè)完全把持,。
這就導(dǎo)致了很?chē)?yán)重的兩個(gè)后果:其一,,中國(guó)智能終端市場(chǎng)的大額利潤(rùn)被國(guó)際巨頭攝取,很多終端廠商做硬件都不賺錢(qián);其二,,一旦發(fā)生貿(mào)易摩擦,,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片被長(zhǎng)期斷供,幾乎所有國(guó)產(chǎn)終端設(shè)備廠商都將面臨滅頂之災(zāi),。
舉一個(gè)大家熟悉的例子,,同款智能手機(jī)的低配或者高配,由RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和ROM(只讀存儲(chǔ)器)是4GB+64GB還是8GB+512GB的不同組合決定,,差價(jià)會(huì)有數(shù)千元,。但是因?yàn)閲?guó)內(nèi)企業(yè)并不具備存儲(chǔ)芯片自產(chǎn)能力,所以只能任憑中間的利潤(rùn)大頭被美光,、三星這些國(guó)際存儲(chǔ)器巨頭拿走,。
而一旦美光、鎧俠(東芝),、三星這些國(guó)際巨頭決定對(duì)華為或者其他國(guó)產(chǎn)廠商斷供存儲(chǔ)器芯片,。長(zhǎng)期斷供之后,因?yàn)樵趪?guó)內(nèi)找不到替代方案,,國(guó)產(chǎn)廠商一臺(tái)手機(jī)都生產(chǎn)不出來(lái),,這就是實(shí)實(shí)在在的“卡脖子”威脅。
近幾年,,國(guó)際貿(mào)易市場(chǎng)的不確定性不斷提高,,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)對(duì)全球巨頭的依賴,成為了中國(guó)IT產(chǎn)業(yè)發(fā)展的致命軟肋,。
因此,,必須盡快扭轉(zhuǎn)存儲(chǔ)器市場(chǎng)受制于人的現(xiàn)狀。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)逆勢(shì)突圍
在現(xiàn)狀與困境之下,,背負(fù)著打破國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展困局使命的國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)企業(yè)(武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ),、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華)相繼發(fā)力,。其中,,NAND閃存作為存儲(chǔ)芯片的重要產(chǎn)品之一,是長(zhǎng)江存儲(chǔ)要重點(diǎn)攻克的領(lǐng)域所在,。
相關(guān)項(xiàng)目從2014年10月開(kāi)始啟動(dòng),,到2016年7月長(zhǎng)江存儲(chǔ)有限責(zé)任公司成立,其32層3D NAND閃存測(cè)試芯片設(shè)計(jì)已經(jīng)完成,。到2017年11月,,32層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)首次流片,并于2018年第三季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。
這個(gè)進(jìn)度比起全球最大存儲(chǔ)器巨頭三星晚了4年多,,所以在市場(chǎng)中并沒(méi)有引起太大的反響。但這只是長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)力沖擊市場(chǎng)格局的蓄力期,在此之后長(zhǎng)江存儲(chǔ)不斷加速,。
2018年8月,,搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研Xtacking技術(shù)架構(gòu)的64層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)流片,2019年9月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),,把和三星的差距縮短到了2年內(nèi),。
得益于 Xtacking架構(gòu)對(duì)3D NAND控制電路和存儲(chǔ)單元的優(yōu)化,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64 層 TLC 產(chǎn)品在存儲(chǔ)密度,、I/O 性能及可靠性上廣受好評(píng),,真正意義上走通了一條高端存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)制造的創(chuàng)新之路。
到2020年4月,,長(zhǎng)江存儲(chǔ)官宣128層3D NAND閃存研發(fā)成功并在多家客戶通過(guò)驗(yàn)證,,直接從64層跨過(guò)主流的72/96層直接進(jìn)入128層。預(yù)計(jì)將于2020年年底至2021年年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。和三星的差距,,也縮短到了1年內(nèi)。
(NAND廠商技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),,圖片來(lái)自于天風(fēng)證券)
這意味著,今年底到明年初,,在市場(chǎng)中我們就可以見(jiàn)到搭載國(guó)產(chǎn)128層3D NAND閃存芯片的產(chǎn)品,,并且相關(guān)產(chǎn)品的表現(xiàn)將會(huì)不遜于三星、美光這些國(guó)際大廠的同類(lèi)產(chǎn)品,。
短短6年時(shí)間,,在千百工作人員夜以繼日的奮力拼搏下,長(zhǎng)江存儲(chǔ)不負(fù)重任,,終于完成對(duì)國(guó)內(nèi)空白的填補(bǔ),,并有望打破三星、美光這些國(guó)際巨頭對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的壟斷,。
產(chǎn)業(yè)生態(tài)互惠共贏
立項(xiàng)以來(lái)短短6年時(shí)間,,長(zhǎng)江存儲(chǔ)不斷取得突破,成功打破了國(guó)內(nèi)3D NAND閃存芯片“零自主”的困局,。
然而長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得如此成就并不是靠單打獨(dú)斗,,它取得的成功,也不只是一家存儲(chǔ)器芯片IDM廠商的成功,。
為了實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器芯片的生產(chǎn),,長(zhǎng)江存儲(chǔ)需要搭建自己的生產(chǎn)線和工廠。需要用到硅片,、化學(xué)液體,、特種氣體等半導(dǎo)體材料;PVD、刻蝕,、熱處理設(shè)備,、介質(zhì)刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備等半導(dǎo)體設(shè)備,。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)盡量選擇和國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料廠商,、設(shè)備廠商合作,給晶瑞股份,、華特氣體,、北方華創(chuàng)、中微公司這些上游國(guó)產(chǎn)廠商帶來(lái)大量的訂單,。
為了進(jìn)行客戶驗(yàn)證,,長(zhǎng)江存儲(chǔ)需要和群聯(lián)、威剛,、慧榮這些下游渠道商建立緊密的合作關(guān)系,。同時(shí)他們也可以幫助長(zhǎng)江存儲(chǔ)更快、更好地適應(yīng)市場(chǎng),。
所以長(zhǎng)江存儲(chǔ)不斷取得成功,,也帶動(dòng)了國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)上下游實(shí)現(xiàn)生態(tài)共贏,讓中國(guó)有望全面擺脫存儲(chǔ)器這個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心領(lǐng)域被“卡脖子”的威脅,。這對(duì)中國(guó)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)健康發(fā)展,,都會(huì)產(chǎn)生巨大的推動(dòng)作用。
反守為攻的曙光
年初疫情爆發(fā)以來(lái),,全球在線教育,、在線辦公、在線娛樂(lè),、電子商務(wù)需求陡增,。客觀來(lái)看,,這其實(shí)大大加速了全球數(shù)字化社會(huì)建設(shè)的進(jìn)程,。
與之相伴的是,全球云計(jì)算,、服務(wù)器市場(chǎng)的高速增長(zhǎng),。在中國(guó),這種趨勢(shì)更加明顯,。同時(shí)在新基建加速落實(shí)的熱潮中,,5G、人工智能,、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)加速落地,,中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求強(qiáng)勁增長(zhǎng),。
這時(shí)長(zhǎng)江存儲(chǔ)帶領(lǐng)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)取得重大突破,實(shí)現(xiàn)128層3D NAND閃存芯片成功自研,,可謂是恰逢其會(huì),。
只要長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)128層3D NAND閃存芯片量產(chǎn)之后,芯片的可靠性,、可用性能夠再次讓國(guó)內(nèi)市場(chǎng)滿意,。那么以中國(guó)市場(chǎng)的巨大規(guī)模所能提供的強(qiáng)勁助力,可以讓長(zhǎng)江存儲(chǔ)在短短幾年內(nèi)就躋身于國(guó)際巨頭行列,,參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng),。
到那時(shí),長(zhǎng)江存儲(chǔ)就會(huì)踏出中國(guó)核心技術(shù)反守為攻的第一步,。