電子電路設(shè)計(jì)在電子行業(yè)十分重要，相關(guān)人員對(duì)于電子電路設(shè)計(jì)均有所了解,。對(duì)于電子電路設(shè)計(jì),，小編于往期文章中有過介紹。上篇文章中,，更是對(duì)保護(hù)電子電路設(shè)計(jì)有所講解,。本文將對(duì)保護(hù)電子電路設(shè)計(jì)的剩余內(nèi)容加以闡述。

    一,、開關(guān)量輸入電路

    圖5中,，開關(guān)量經(jīng)過光電隔離后與CPU相連。其中,，當(dāng)輸人端為高電平時(shí),，輸出端為低電平。

    開關(guān)量輸出電路

    開關(guān)量輸出電路是跳閘合閘信號(hào)的通道,，低電平有效,，如圖6所示。

    IGBT保護(hù)電路的過流保護(hù)設(shè)計(jì)方案

    生產(chǎn)廠家對(duì)IGBT提供的安全工作區(qū)有嚴(yán)格的限制條件,，且IGBT承受過電流的時(shí)間僅為幾微秒(SCR,、GTR等器件承受過流時(shí)間為幾十微秒)，耐過流量小,，因此使用IGBT首要注意的是過流保護(hù),。產(chǎn)生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅(qū)動(dòng)電路故障或干擾等引起誤動(dòng),、輸出線接錯(cuò)或絕緣損壞等形成短路,、輸出端對(duì)地短路與電機(jī)絕緣損壞、逆變橋的橋臂短路等,。

    對(duì)IGBT的過流檢測保護(hù)分兩種情況：(1)驅(qū)動(dòng)電路中無保護(hù)功能,。這時(shí)在主電路中要設(shè)置過流檢測器件。對(duì)于小容量變頻器，一般是把電阻R直接串接在主電路中,，如圖1(a)所示,，通過電阻兩端的電壓來反映電流的大小;對(duì)于大中容量變頻器，因電流大,，需用電流互感器TA(如霍爾傳感器等),。電流互感器所接位置：一是像串電阻那樣串接在主回路中，如圖1(a)中的虛線所示;二是串接在每個(gè)IGBT上,，如圖1(b)所示,。前者只用一個(gè)電流互感器檢測流過IGBT的總電流，經(jīng)濟(jì)簡單,，但檢測精度較差;后者直接反映每個(gè)IGBT的電流,，測量精度高，但需6個(gè)電流互感器,。過電流檢測出來的電流信號(hào),，經(jīng)光耦管向控制電路輸出封鎖信號(hào)，從而關(guān)斷IGBT的觸發(fā),，實(shí)現(xiàn)過流保護(hù),。

    圖1 IGBT的過流檢測

    (2)驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)有保護(hù)功能,。如日本英達(dá)公司的HR065,、富士電機(jī)的EXB840～844、三菱公司的M57962L等,，是集驅(qū)動(dòng)與保護(hù)功能于一體的集成電路(稱為混合驅(qū)動(dòng)模塊),，其電流檢測是利用在某一正向柵壓 Uge下，正向?qū)ü軌航礥ce(ON)與集電極電流Ie成正比的特性,，通過檢測Uce(ON)的大小來判斷Ie的大小,，產(chǎn)品的可靠性高。不同型號(hào)的混合驅(qū)動(dòng)模塊,，其輸出能力,、開關(guān)速度與du/dt的承受能力不同，使用時(shí)要根據(jù)實(shí)際情況恰當(dāng)選用,。由于混合驅(qū)動(dòng)模塊本身的過流保護(hù)臨界電壓動(dòng)作值是固定的(一般為7～10V),，因而存在著一個(gè)與IGBT配合的問題。通常采用的方法是調(diào)整串聯(lián)在 IGBT集電極與驅(qū)動(dòng)模塊之間的二極管V的個(gè)數(shù),，如圖2(a)所示,，使這些二極管的通態(tài)壓降之和等于或略大于驅(qū)動(dòng)模塊過流保護(hù)動(dòng)作電壓與IGBT的通態(tài)飽和壓降Uce(ON)之差。

    圖2 混合驅(qū)動(dòng)模塊與IGBT過流保護(hù)的配合

    上述用改變二極管的個(gè)數(shù)來調(diào)整過流保護(hù)動(dòng)作點(diǎn)的方法,，雖然簡單實(shí)用,，但精度不高。這是因?yàn)槊總€(gè)二極管的通態(tài)壓降為固定值，使得驅(qū)動(dòng)模塊與IGBT集電極c之間的電壓不能連續(xù)可調(diào),。在實(shí)際工作中,，改進(jìn)方法有兩種：(1)改變二極管的型號(hào)與個(gè)數(shù)相結(jié)合。例如,，IGBT的通態(tài)飽和壓降為2.65V,，驅(qū)動(dòng)模塊過流保護(hù)臨界動(dòng)作電壓值為 7.84V時(shí)，那么整個(gè)二極管上的通態(tài)壓降之和應(yīng)為7.84-2.65=5.19V,，此時(shí)選用7個(gè)硅二極管與1個(gè)鍺二極管串聯(lián),，其通態(tài)壓降之和為 0.7&TImes;7+0.3&TImes;1=5.20V(硅管視為0.7V，鍺管視為0.3V),，則能較好地實(shí)現(xiàn)配合(2)二極管與電阻相結(jié)合,。由于二極管通態(tài)壓降的差異性，上述改進(jìn)方法很難精確設(shè)定IGBT過流保護(hù)的臨界動(dòng)作電壓值如果用電阻取代1～2個(gè)二極管,，如圖2(b),，則可做到精確配合。

    二,、過壓/過熱保護(hù)電路設(shè)計(jì)

    另外,，由于同一橋臂上的兩個(gè)IGBT的控制信號(hào)重疊或開關(guān)器件本身延時(shí)過長等原因，使上下兩個(gè)IGBT直通,，橋臂短路,，此時(shí)電流的上升率和浪涌沖擊電流都很大，極易損壞IGBT 為此,，還可以設(shè)置橋臂互鎖保護(hù),，如圖3所示。圖中用兩個(gè)與門對(duì)同一橋臂上的兩個(gè)IGBT的驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行互鎖,，使每個(gè)IGBT的工作狀態(tài)都互為另一個(gè) IGBT驅(qū)動(dòng)信號(hào)可否通過的制約條件,，只有在一個(gè)IGBT被確認(rèn)關(guān)斷后，另一個(gè)IGBT才能導(dǎo)通,，這樣嚴(yán)格防止了臂橋短路引起過流情況的出現(xiàn),。

    圖3 IGBT橋臂直通短路保護(hù)

    過壓保護(hù)

    IGBT在由導(dǎo)通狀態(tài)關(guān)斷時(shí)，電流Ic突然變小,，由于電路中的雜散電感與負(fù)載電感的作用,，將在IGBT的c、e兩端產(chǎn)生很高的浪涌尖峰電壓 uce=L dic/dt,，加之IGBT的耐過壓能力較差,，這樣就會(huì)使IGBT擊穿，因此,，其過壓保護(hù)也是十分重要的,。過壓保護(hù)可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行：

    (1)盡可能減少電路中的雜散電感,。作為模塊設(shè)計(jì)制造者來說，要優(yōu)化模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)(如采用分層電路,、縮小有效回路面積等),，減少寄生電感; 作為使用者來說，要優(yōu)化主電路結(jié)構(gòu)(采用分層布線,、盡量縮短聯(lián)接線等),，減少雜散電感。另外,，在整個(gè)線路上多加一些低阻低感的退耦電容,，進(jìn)一步減少線路電感。所有這些,，對(duì)于直接減少IGBT的關(guān)斷過電壓均有較好的效果,。(2)采用吸收回路。吸收回路的作用是;當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí),，吸收電感中釋放的能量,，以降低關(guān)斷過電壓。常用的吸收回路有兩種,，如圖4所示,。其中(a)圖為充放電吸收回路，(b)圖為鉗位式吸收回路,。對(duì)于電路中元件的選用,，在實(shí)際工作中，電容c選用高頻低感圈繞聚乙烯或聚丙烯電容,，也可選用陶瓷電容,，容量為2 F左右,。電容量選得大一些,，對(duì)浪涌尖峰電壓的抑制好一些，但過大會(huì)受到放電時(shí)間的限制,。電阻R選用氧化膜無感電阻,，其阻值的確定要滿足放電時(shí)間明顯小于主電路開關(guān)周期的要求，可按R≤T/6C計(jì)算,，T為主電路的開關(guān)周期,。二極管V應(yīng)選用正向過渡電壓低、逆向恢復(fù)時(shí)間短的軟特性緩沖二極管,。

    (3)適當(dāng)增大柵極電阻Rg,。實(shí)踐證明，Rg增大,，使IGBT的開關(guān)速度減慢,，能明顯減少開關(guān)過電壓尖峰，但相應(yīng)的增加了開關(guān)損耗，使 IGBT發(fā)熱增多,，要配合進(jìn)行過熱保護(hù),。Rg阻值的選擇原則是：在開關(guān)損耗不太大的情況下，盡可能選用較大的電阻,，實(shí)際工作中按Rg=3000/Ic 選取,。

    圖4 吸收回路

    除了上述減少c、e之間的過電壓之外,，為防止柵極電荷積累,、柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞 IGBT，可在g,、e之間設(shè)置一些保護(hù)元件,，電路如圖5所示。電阻R的作用是使柵極積累電荷泄放,，其阻值可取4.7kΩ;兩個(gè)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V1,、 V2。是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT,。

    圖5 防柵極電荷積累與柵源電壓尖峰的保護(hù)

    過熱保護(hù)

    IGBT 的損耗功率主要包括開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,，前者隨開關(guān)頻率的增高而增大，占整個(gè)損耗的主要部分;后者是IGBT控制的平均電流與電源電壓的乘積,。由于 IGBT是大功率半導(dǎo)體器件,，損耗功率使其發(fā)熱較多(尤其是Rg選擇偏大時(shí))，加之IGBT的結(jié)溫不能超過125℃,，不宜長期工作在較高溫度下,，因此要采取恰當(dāng)?shù)纳岽胧┻M(jìn)行過熱保護(hù)。