在臺積電第26屆技術(shù)研討會上,，臺積電不僅確認(rèn)5nm,、6nm已在量產(chǎn)中，且5nm還將在明年推出N5P增強(qiáng)版外,，更先進(jìn)的3nm,、4nm也一并公布。

　　3nm是5nm的自然迭代,，4nm理論上說是5nm的終極改良,。

　　技術(shù)指標(biāo)方面，3nm（N3）將在明年晚些時候風(fēng)險試產(chǎn),，2022年投入大規(guī)模量產(chǎn),。相較于5nm,，3nm將可以帶來25~30%的功耗減少、10~15%的性能提升,。

　　4nm（N4）同樣定于明年晚些時候風(fēng)險試產(chǎn),，2022年量產(chǎn)。對于臺積電N5客戶來說,，將能非常平滑地過渡到N4，也就是流片成本大大降低,、進(jìn)度大大加快,。

　　當(dāng)然，臺積電不是唯一一家3nm廠商,，三星的雄心更大,，明年就想把3nm推向市場。而且在核心技術(shù)方面,，三星的3nm將改用Gate-All-Around（GAA,，環(huán)繞柵極晶體管），臺積電則是堅守FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）,。

　　三星比較雞賊,，3nm對比的是7nm，號稱可將核心面積減少45%,，功耗降低50%,，性能提升35%。