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韓國半導體行業(yè)正在準備迎接新的飛躍,，全球DRAM市場領頭羊三星電子和SK海力士即將開啟“EUV DRAM”時代。
      三星：全球首個EUV DRAM移動產品即將量產

據韓國科技媒體ETNews報道,，三星電子全新半導體工廠“平澤2號”（P2）已于上月開始運營,，這座當前世界上最大的半導體工廠（128900平方米，占地面積相當于18個足球場）將生產全球首個基于EUV的移動DRAM產品,。

據了解,，EUV DRAM為三星電子基于第三代10nm級（1z）工藝的16Gb LPDDR5 DRAM開發(fā)的全新移動DRAM產品，傳輸速度達到6400 Mb/sis,，比目前大多數旗艦智能手機的12Gb LPDDR5（5500 Mb/s）快16%,。而當該DRAM被制成16GB封裝時，能夠在一秒鐘內處理51.2GB大小的文件,，相當于10部全高清電影（5GB）,。

引起注意的是，在制作工藝方面,，此次三星終于成功引入EUV光刻技術,。EUV是一種波長為13.5納米的短光源，其波長大約是今天廣泛使用的ArF光源的十分之一,，能夠在半導體晶圓上刻畫出更加精細的電路。由于簡化了半導體制造工藝，EUV能夠將制造精細電路所需的光刻工藝減少一半,，并大幅提高生產率,。

據三星電子的一位發(fā)言人此前向《電子時報》透露，使用EUV的1a工藝,，生產效率是基于12英寸晶圓的1x工藝的兩倍,。

然而，EUV光刻機造價昂貴,，單臺達到1.29億美元,，所需投資巨大，同時EUV光刻技術也有很高的技術壁壘,。因此,，三星電子的EUV DRAM商業(yè)化決定不可謂不大膽。在今年3月將該技術應用于10nm級（1x）進程的DRAM之后,，三星已具備將該技術應用于其第三代1z進程DRAM的能力,。

三星電子的下一個目標是將該技術應用到下一代產品——第四代10nm級（1a）流程上的DRAM上。公司副董事長金基南（Kim Ki-nam）在今年3月舉行的股東大會上表示,，該公司計劃開發(fā)第四代10nm級DRAM和第七代V-NAND內存,，并計劃在明年某個時候量產第四代10nm級DRAM。

兩大巨頭或推動DRAM市場巨變,，EUV成最大X因素

SK海力士方面,，也已在加速推進其基于1a工藝的EUV DRAM產品量產計劃。公司旗下未來技術研究所專門成立了一個EUV光刻工作小組,，正在研究EUV光刻所需的必要技術,，如光刻、蝕刻和掩模制造,，目標是將EUV工藝應用于明年初的1a DRAM生產,，同時為在2022年完成1b EUV DRAM的開發(fā)制定了路線圖。

據ETNews預計,，SK海力士將在其下一代DRAM的生產基地M16芯片廠批量生產EUV DRAM,，目前已經在園區(qū)內安裝了兩臺EUV光刻機。一旦M16工廠的建設按計劃在今年年底完成,，SK海力士將開始在M16工廠建造與EUV光刻相關的必要設施和設備,。

專家預測，SK海力士將像三星電子一樣,，在ArF光刻機難以實現(xiàn)的層級上應用EUV工藝,。另有一些說法稱，SK海力士已經確保了可觀的EUV DRAM產量水平,。

最新數據顯示,，三星電子,、SK海力士和美光占據了全球DRAM市場約94%的份額，其中三星電子和SK海力士就占據了約74%的份額,。而在這三家公司中,，也僅有美光尚未在其產品中引入EUV技術，據悉正尋求用其現(xiàn)有的光刻技術盡可能滿足需求,。

ETNews認為,，三星電子和海力士正尋求通過自己的EUV DRAM技術實現(xiàn)差異化，這可能會導致市場的寡頭壟斷結構發(fā)生變化,，而這種情況本不可能改變,。EUV DRAM將進一步擴大韓國半導體企業(yè)與中國半導體企業(yè)之間的差距。

根據韓國進出口銀行關于中國半導體行業(yè)現(xiàn)狀和預測的報告,，認為當前韓國與中國的DRAM技術存在5年的差距,。報告還指出，由于EUV設備的昂貴成本和有限的供應能力,，韓國公司將有可能在與中國公司的競爭中確立更大的優(yōu)勢,。