據(jù)悉,，恩智浦半導(dǎo)體（NXP）宣布正式啟用位于美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的 6 英寸射頻氮化鎵（GaN）晶圓廠,，這是美國境內(nèi)專注于 5G 射頻功率放大器的最先進晶圓廠。

　　恩智浦表示，這座全新氮化鎵晶圓廠已通過認證，首批產(chǎn)品將持續(xù)推出上市，預(yù)計 2020 年底將達到產(chǎn)能滿載,。

　　恩智浦指出，此全新工廠結(jié)合恩智浦射頻功率領(lǐng)導(dǎo)者的專業(yè)與大規(guī)模量產(chǎn)技術(shù),，代表實現(xiàn)創(chuàng)新,，有助支持 5G 基站與先進通信基礎(chǔ)設(shè)施在工業(yè)、航空航天和國防市場的擴展,。

　　恩智浦半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官 Kurt Sievers 在演講中表示,，今日象征著恩智浦的重要里程碑。通過在亞利桑那州建立此先進廠房與吸引關(guān)鍵人才,，讓恩智浦能夠更聚焦于發(fā)展氮化鎵技術(shù),，將其作為推動下一代 5G 基站基礎(chǔ)建設(shè)的一部分。

　　隨著 5G 的發(fā)展,，射頻解決方案中每個天線所需的功率密度呈指數(shù)級增長,，但仍需保持相同的機箱尺寸，并降低功耗,。氮化鎵功率晶體管已成為滿足這些嚴格要求的新黃金標(biāo)準(zhǔn),，能夠大幅提高功率密度和效率。

　　同時,，恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼無線電功率業(yè)務(wù)部總經(jīng)理 Paul Hart 表示,，恩智浦團隊向來致力于建造世界上最先進的射頻氮化鎵晶圓廠，該晶圓廠的能力可擴展至 6G 甚至更高,。

　　氮化鎵是硅的替代品,，被視為是第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料第一代為硅,，第二代是砷化鎵,，第三代除了氮化鎵，還包括碳化硅,。氮化鎵是 5G 網(wǎng)絡(luò)中的關(guān)鍵材料之一,，因為它能處理應(yīng)用于 5G 網(wǎng)絡(luò)的高頻率,，同時比其他芯片材料功號更低，所占空間更少,。

　　利用氮化鎵量產(chǎn)芯片仍是一項具利基的嘗試，多數(shù)的供應(yīng)來自恩智浦,、SkyWorks Solutions 與 Qorvo,。

　　恩智浦半導(dǎo)體表示，這座新工廠將生產(chǎn) 6 英寸的氮化鎵晶圓,，與用于多數(shù)傳統(tǒng)硅計算芯片的晶圓尺寸相比只有一半,，但在替代性材料中，這樣的尺寸很常見,。

　　據(jù)悉,，恩智浦的亞利桑那州工廠將設(shè)有一座研發(fā)中心，協(xié)助工程師加速氮化鎵半導(dǎo)體的開發(fā)與申請專利,。

　　恩智浦表示,，預(yù)計這座工廠年底前就會產(chǎn)能全開。

　　值此之際,，美國政府正討論推出百十億美元的激勵計劃,，用以讓更多芯片制造商將生產(chǎn)線遷回美國本土。

　　由此來看,，恩智浦在美國設(shè)廠的重要原因,，或許是為了給予平息美國的“擔(dān)憂”，從而進一步開拓當(dāng)?shù)厥袌觥?/p>

　　據(jù)日經(jīng)亞洲評論 9 月 26 日消息,，美國國會正醞釀一項計劃,，打算撥款 250 億美元（折合約 1705 億元人民幣）作為激勵資金，鼓勵更多跨國芯片制造商將生產(chǎn)線遷至美國,。根據(jù)美國的設(shè)想,，將對每個新來的芯片項目發(fā)放 30 億美元（折合約 204 億元人民幣）的補貼。

　　早從去年 10 月開始,，美國就頻繁對外喊話,，希望更多制造商將供應(yīng)鏈放到美國。這一舉動的背后,，就是美國擔(dān)憂華為,、中興等中國企業(yè)的崛起，或?qū)嗫鐕酒圃焐虒⑸a(chǎn)集中至中國,，屆時美國失去了在芯片領(lǐng)域的優(yōu)勢地位,，很有可能將面臨“斷供”的困境。

　　值得一提的是,，恩智浦半導(dǎo)體與華為也有著不小的“淵源”,。在 2018 年華為公布的 92 家核心供應(yīng)商名單中,，這家荷蘭巨頭是華為為數(shù)不多的連續(xù)十年金牌供應(yīng)商之一，另一個是美國巨頭英特爾,。隨著 9 月 14 日美國新規(guī)正式生效,，外界也紛紛猜測華為在歐洲的供貨商是否會受到影響。

　　數(shù)據(jù)顯示,，中國是恩智浦全球第一大市場,，2018 年，來自中國的訂單額在其全年營收的占比高達 36%,。而據(jù)美國媒體報道,，截至目前，恩智浦半導(dǎo)體還未對美國的新規(guī)做出任何回應(yīng),。