IT之家11月6日消息 根據(jù)西安紫光國芯半導(dǎo)體的消息,，紫光國芯在GLOBALFOUNDRIES（格芯）舉辦的中國全球科技會議上正式發(fā)布了基于格芯12納米低功耗工藝（GF 12LP）的GDDR6存儲控制器和物理接口IP,。

　　官方表示，與已有的方案相比,，新方案在芯片功耗,、面積和成本等方面均有明顯的提升,，并能滿足在面向人工智能（AI）和計算應(yīng)用等熱點(diǎn)領(lǐng)域不斷增長的需求,。

　　IT之家了解到，西安紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP包括一個可配置的內(nèi)存控制器（MC）,，其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0標(biāo)準(zhǔn),，并允許設(shè)計工程師生成具有優(yōu)化延遲和帶寬的GDDR6控制器以滿足高性能應(yīng)用的要求，如顯卡,，游戲機(jī)和AI計算等,。該IP針對功耗和性能進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計，西安紫光國芯的GDDR6物理接口（PHY）提供了高達(dá)12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的數(shù)據(jù)速率,，同時兼容JEDEC250和DFI3.1標(biāo)準(zhǔn),。物理接口（PHY）部分還嵌入了高性能鎖相環(huán)以滿足嚴(yán)格的時序規(guī)范。與主流GDDR6存儲顆粒集成,，經(jīng)過流片測試驗證,，該IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps數(shù)據(jù)率時滿足設(shè)計規(guī)格要求。且當(dāng)數(shù)據(jù)率為16Gbps時,，平均每個DQ的最大功耗小于4mW/Gbps,。

　　目前，紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP已經(jīng)在格芯的12LP工藝平臺上架,。