《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 電子元件 > 新品快遞 > TI推出其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器,、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的車用GaN FET

TI推出其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器,、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的車用GaN FET

2020-11-12
來源:OFweek電子工程網(wǎng)

工程師可以使車用充電器和工業(yè)電源實(shí)現(xiàn)兩倍的功率密度和更高效率

德州儀器.png" alt="德州儀器.png" width="600" height="366"/>

2020年11月10日,,德州儀器(TI)推出了面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的下一代650V和600V氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET),進(jìn)一步豐富拓展了其高壓電源管理產(chǎn)品線,。與現(xiàn)有解決方案相比,新的GaN FET系列采用快速切換的2.2 MHz集成柵極驅(qū)動(dòng)器,,可幫助工程師提供兩倍的功率密度和高達(dá)99%的效率,,并將電源磁性器件的尺寸減少59%。TI利用其獨(dú)有的GaN材料和在硅(Si)基氮化鎵襯底上的加工能力開發(fā)了新型FET,,與碳化硅(SiC)等同類襯底材料相比,,更具成本和供應(yīng)鏈優(yōu)勢。

電氣化正在改變汽車行業(yè),消費(fèi)者越來越需要充電更快,、續(xù)航里程更遠(yuǎn)的車輛,。因此,工程師亟需在不影響汽車性能的同時(shí),,設(shè)計(jì)出更緊湊,、輕便的汽車系統(tǒng)。與現(xiàn)有的Si或SiC解決方案相比,,使用TI的新型車用GaN FET可將電動(dòng)汽車(EV)車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器的尺寸減少多達(dá)50%,,從而使工程師能夠延長電池續(xù)航,提高系統(tǒng)可靠性并降低設(shè)計(jì)成本,。在工業(yè)設(shè)計(jì)中,,這些新器件可在更低功耗和更小電路板空間占用的情況下,在AC/DC電力輸送應(yīng)用(例如超大規(guī)模的企業(yè)計(jì)算平臺(tái)以及5G電信整流器)中實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度,。

Strategy Analytics的動(dòng)力總成,、車身、底盤和安全服務(wù)總監(jiān)Asif Anwar表示:「GaN等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)無疑為電力電子設(shè)備(尤其是高壓系統(tǒng))帶來了更穩(wěn)定的性能,。德州儀器歷經(jīng)十多年的投資和開發(fā),,提供了獨(dú)有的整體解決方案——將內(nèi)部硅基氮化鎵(GaN-on-Si)器件的生產(chǎn)、封裝與優(yōu)化的硅基驅(qū)動(dòng)器技術(shù)相結(jié)合,,從而能在新應(yīng)用中成功采用GaN,。」

德州儀器高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示:「工業(yè)和汽車應(yīng)用日益需要在更小的空間內(nèi)提供更多的電力,,設(shè)計(jì)人員必須提供能在終端設(shè)備長久的生命周期內(nèi)可靠運(yùn)行的電源管理系統(tǒng),。憑借超過4,000萬個(gè)小時(shí)的器件可靠性測試和超過5 GWh的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用測試,,TI的GaN技術(shù)為工程師提供了能滿足任何市場需求的可靠的全生命周期保障,。」

以更少的器件實(shí)現(xiàn)翻倍的功率密度

在高電壓,、高密度應(yīng)用中,,電路板空間最小化是設(shè)計(jì)中的重要目標(biāo)。隨著電子系統(tǒng)變得越來越小,,其內(nèi)部組件也必須不斷縮小并更加緊湊,。TI的新型GaN FET集成了快速開關(guān)驅(qū)動(dòng)器以及內(nèi)部保護(hù)和溫度感應(yīng)功能,使工程師能夠在電源管理設(shè)計(jì)中減小電路板尺寸,、降低功耗的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高性能,。這種集成再加上TI GaN技術(shù)的高功率密度,使工程師能夠在通常的離散解決方案中減少10多個(gè)組件,。此外,,在半橋配置中應(yīng)用時(shí),,每個(gè)新型30mΩ FET均可支持高達(dá)4 kW的功率轉(zhuǎn)換。

創(chuàng)造TI更高功率因數(shù)校正(PFC)效率

GaN具有快速開關(guān)的優(yōu)勢,,可實(shí)現(xiàn)更小,、更輕、更高效的電源系統(tǒng),。在過去,,要獲得快速的開關(guān)性能,就會(huì)有更高的功率損耗,。為了避免這種不利后果,,新型GaN FET采用了TI的智能死區(qū)自適應(yīng)功能,以減少功率損耗,。例如,,在PFC中,智能死區(qū)自適應(yīng)功能與分立式GaN和SiC金屬氧化物硅FET(MOSFET)相比,,可將第三象限損耗降低多達(dá)66%,。智能死區(qū)自適應(yīng)功能也消除了控制自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間的必要,從而降低了固件復(fù)雜性和開發(fā)時(shí)長,。

更大限度提高熱性能

采用TI GaN FET的封裝產(chǎn)品,,其熱阻抗比性能最接近的同類產(chǎn)品還要低23%,因此可使工程師使用更小的散熱器,,同時(shí)簡化散熱設(shè)計(jì),。無論應(yīng)用場景如何,這些新器件均可提供更大的散熱設(shè)計(jì)靈活性,,并可選擇底部或頂部冷卻封裝,。此外,F(xiàn)ET集成的數(shù)字溫度報(bào)告功能還可實(shí)現(xiàn)有源電源管理,,從而使工程師能在多變的負(fù)載和工作條件下優(yōu)化系統(tǒng)的熱性能,。

封裝、供貨情況

目前TI中國官網(wǎng)上已提供四種新型工業(yè)級(jí)600V GaN FET的預(yù)生產(chǎn)版本,,采用12mm x 12mm方形扁平無引腳(QFN)封裝,。TI預(yù)計(jì)工業(yè)級(jí)器件LMG3425R030將于2021年第一季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。評(píng)估模塊可于TI中國官網(wǎng)購買,。TI中國官網(wǎng)上提供多種付款方式,、信貸額度以及快速、可靠的運(yùn)輸選項(xiàng),。

新型LMG3522R030-Q1和LMG3525R030-Q1 650V車用GaN FET的預(yù)生產(chǎn)版本和評(píng)估模塊預(yù)計(jì)將于2021年第一季度在其中國官網(wǎng)上發(fā)售。

關(guān)于德州儀器(TI)

德州儀器(TI)是一家全球化的半導(dǎo)體公司,,致力于設(shè)計(jì),、制造,、測試和銷售模擬和嵌入式處理芯片,用于工業(yè),、汽車,、個(gè)人電子產(chǎn)品、通信設(shè)備和企業(yè)系統(tǒng)等市場,。我們致力于通過半導(dǎo)體技術(shù)讓電子產(chǎn)品更經(jīng)濟(jì)實(shí)用,,創(chuàng)造一個(gè)更美好的世界。如今,,每一代創(chuàng)新都建立在上一代創(chuàng)新的基礎(chǔ)之上,,使我們的技術(shù)變得更小巧、更快速,、更可靠,、更實(shí)惠,從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,,這就是工程的進(jìn)步,。這正是我們數(shù)十年來乃至現(xiàn)在一直在做的事。 


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章,、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者,。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,請(qǐng)及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們,,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118,;郵箱:[email protected],。