《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 電源技術(shù) > 業(yè)界動態(tài) > 英飛凌推出高效率,、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

2024-11-20
來源:英飛凌
關(guān)鍵詞: 英飛凌 氮化鎵

【2024年11月20日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶體管,,該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛,包括USB-C適配器和充電器,、照明,、電視,、數(shù)據(jù)中心,、電信整流器等消費(fèi)和工業(yè)開關(guān)電源(SMPS),、可再生能源,,以及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動器,。

28.jpg 

CoolGaN? 650 V G5晶體管

 

最新一代CoolGaN?晶體管可直接替代CoolGaN? 600 V G1晶體管,,實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有平臺的快速重新設(shè)計(jì)。新器件改進(jìn)了性能指標(biāo),,確保為重點(diǎn)應(yīng)用帶來具有競爭力的開關(guān)性能,。與主要同類產(chǎn)品和英飛凌之前的產(chǎn)品系列相比,CoolGaN? 650 V G5晶體管輸出電容中存儲的能量(Eoss)降低了多達(dá)50%,,漏源電荷(Qoss)和柵極電荷(Qg)均減少了多達(dá) 60%,。憑借這些特性,新器件在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中都具有出色的效率,。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體技術(shù)相比,,其功率損耗大幅降低,根據(jù)具體使用情況可降低20%-60%,。

這些優(yōu)勢使該系列器件能夠在高頻率下以極低的功耗工作,,因此具有出色的功率密度。CoolGaN? 650 V G5晶體管使SMPS應(yīng)用變得更小,、更輕,,或在規(guī)定外形尺寸的情況下提高輸出功率范圍。

該新型高壓晶體管產(chǎn)品系列提供多種 RDS(on) 封裝組合,。十種 RDS(on) 級產(chǎn)品采用各種SMD封裝,,如 ThinPAK 5x6、DFN 8x8,、TOLL 和 TOLT,。所有產(chǎn)品均在奧地利菲拉赫和馬來西亞居林的高性能8英寸生產(chǎn)線上生產(chǎn)。未來,,CoolGaN?將過渡到 12 英寸生產(chǎn)線。這將使英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)大其CoolGaN?產(chǎn)能,,并確保在GaN功率市場上擁有穩(wěn)健的供應(yīng)鏈,。Yole Group預(yù)測到2029年,該市場規(guī)模將達(dá)到 20 億美元[1],。

 

供貨情況

目前可向英飛凌訂購CoolGaN? 650 V G5晶體管產(chǎn)品系列,,未來幾周將開放電商訂購渠道。

5ebfc6ef0e82c9915228c13531c8d074.jpg

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章,、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,,請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。