在半導(dǎo)體晶圓代工上，臺積電一家獨大,，從10nm之后開始遙遙領(lǐng)先,，然而三星的追趕一刻也沒放松,，今年三星也量產(chǎn)了5nm EUV工藝。三星計劃在2年內(nèi)追上臺積電,，2022年將量產(chǎn)3nm工藝,。

從2019年開始，三星啟動了一個“半導(dǎo)體2030計劃”,，希望在2030年之前投資133萬億韓元,，約合1160億美元稱為全球最大的半導(dǎo)體公司，其中先進邏輯工藝是重點之一,，目標就是要追趕上臺積電,。

在最近的幾代工藝上，三星的量產(chǎn)進度都落后于臺積電,，包括10nm,、7nm及5nm,，不過5nm算是縮短了差距，今年也量產(chǎn)了,，此前也獲得了高通,、NVIDIA、IBM等客戶的8nm,、7nm訂單,。

但三星追趕臺積電的關(guān)鍵是在下一代的3nm上，因為這一代工藝上三星押注了GAA環(huán)繞柵極晶體管,，是全球第一家導(dǎo)入GAA工藝以取代FinFET工藝的,，而臺積電比較保守，3nm還是用FinFET,，2nm上才會使用GAA工藝,。

最新消息稱，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門的高管日前透露說,，三星計劃在2022年量產(chǎn)3nm工藝,，而臺積電的計劃是2022年下半年量產(chǎn)3nm工藝，如此一來三星兩年后就要趕超臺積電了,。

值得一提的是,，臺積電也似乎感受到了三星的壓力，原本計劃2024年才推出2nm工藝,，現(xiàn)在研發(fā)順利,，2023年下半年就準確試產(chǎn)了。